Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a V_DS range of 80V to 100V and an R_DS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

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Resultados: 74

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP040N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
2,238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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2,238En existencias

S/5.64

S/2.93

S/2.74

S/2.37

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP014N06NF2SAKMA2
Infineon Technologies
1: S/15.26
113En existencias
1,000Se espera el 28/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP014N06NF2SAKMA2

N.º de artículo de Mouser
726-P014N06NF2SAKMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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113En existencias

1,000Se espera el 28/04/2026

S/15.26

S/8.91

S/8.33

S/6.89

S/6.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

198 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPB016N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.53
1,820En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB016N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB016N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Cinta cortada

S/18.53

S/12.92

S/9.58

S/8.60

Envase tipo carrete

S/7.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

170 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF014N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.79
2,386En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF014N08NF2SATMA1

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726-IPF014N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Cinta cortada

S/17.79

S/11.05

S/9.58

S/9.15

Envase tipo carrete

S/8.33

S/8.17

MouseReel Disponible

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Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

282 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IPP018N03LF2SAKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
2,809En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPP018N03LF2SAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP018N03LF2SAKS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

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S/7.01

S/4.67

S/3.29

S/2.69

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N-Channel

1 Channel

30 V

128 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP026N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/10.32
1,736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP026N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP026N10NF2SAKM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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S/10.32

S/6.89

S/6.58

S/6.54

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

184 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPA030N10NF2SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.39
52En existencias
2,000Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA030N10NF2SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA030N10NF2SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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S/16.39

S/8.68

S/8.06

S/6.54

S/6.19

Min.: 1
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Through Hole

TO-220FP-3

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1 Channel

100 V

83 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPA082N10NF2SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.64
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA082N10NF2SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA082N10NF2SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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580En existencias

S/8.64

S/4.20

S/3.85

S/3.10

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

100 V

46 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB013N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.14
64En existencias
800Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB013N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB013N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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64En existencias

800Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/18.14

S/9.11

S/7.90

S/7.55

Envase tipo carrete

S/6.77

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

198 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP024N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/13.04
997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP024N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP024N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

997En existencias

S/13.04

S/6.93

S/6.34

S/6.07

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

182 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP040N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/11.76
1,121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

1,121En existencias

S/11.76

S/5.88

S/5.29

S/3.93

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

115 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.79
937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP082N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

937En existencias

S/7.79

S/4.20

S/3.79

S/3.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

77 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP129N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.28
1,031En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP129N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP129N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

1,031En existencias

S/7.28

S/7.24

S/3.50

S/3.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

52 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W

IRFB7440PBF
Infineon Technologies
1: S/4.59
337En existencias
1,000Se espera el 27/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7440PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7440PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W

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Hoja de datos

337En existencias

1,000Se espera el 27/02/2026

S/4.59

S/2.50

S/1.99

S/1.92

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W

IRFB7446PBF
Infineon Technologies
1: S/6.31
1,657En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7446PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7446PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W

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Hoja de datos

1,657En existencias

S/6.31

S/3.00

S/2.45

S/2.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

123 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

99 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPB014N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB014N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

45En existencias

Cinta cortada

S/10.35

S/6.70

S/3.05

Envase tipo carrete

S/3.05

S/2.93

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

191 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB015N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
48En existencias
800Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB015N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB015N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

48En existencias

800Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/8.84

S/5.84

S/4.83

S/4.32

Envase tipo carrete

S/4.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

195 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB018N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.78
53En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB018N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB018N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

53En existencias

Cinta cortada

S/10.78

S/7.08

S/4.90

S/4.75

Envase tipo carrete

S/3.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

187 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPB019N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.61
124En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB019N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

124En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/9.46

S/7.01

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

166 A

1.95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPB024N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.69
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB024N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB024N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

19En existencias

Cinta cortada

S/15.69

S/10.32

S/7.28

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

107 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP055N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/9.73
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP055N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

978En existencias

S/9.73

S/4.79

S/4.32

S/3.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP016N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/18.06
2,000Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP016N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000Se espera el 11/06/2026

S/18.06

S/11.95

S/9.34

S/8.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

196 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPB055N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.38
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB055N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB055N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Cinta cortada

S/9.38

S/6.07

S/4.13

S/3.93

Envase tipo carrete

S/2.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

94 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF023N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.04
Plazo de entrega 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPF023N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF023N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 15 Semanas

Cinta cortada

S/16.04

S/10.59

S/7.47

Envase tipo carrete

S/5.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

209 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

46 A
52 A
53 A
71 A
73 A
77 A
78 A
80 A
83 A
94 A
98 A
99 A
107 A
110 A
115 A
117 A
118 A
119 A
120 A
121 A

900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.23 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.75 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms

3 nC
10 nC
13 nC
16 nC
18.6 nC
19 nC
21 nC
24 nC
27 nC
28 nC
33 nC
36 nC
38 nC
42 nC
45 nC
46 nC
50 nC
51 nC
54 nC
57 nC

3.8 W
35 W
41 W
65 W
71 W
75 W
83 W
99 W
100 W
107 W
136 W
143 W
150 W
167 W
188 W
208 W
214 W
245 W
250 W
300 W