Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a V_DS range of 80V to 100V and an R_DS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 74

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP019N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/16.23
1,070En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP019N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP019N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,070En existencias

S/16.23

S/8.25

S/7.32

S/6.15

S/5.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

191 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP026N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/17.59
1,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP026N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP026N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,368En existencias

S/17.59

S/9.65

S/8.76

S/7.32

S/7.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

184 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP050N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/12.69
1,417En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP050N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP050N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,417En existencias

S/12.69

S/6.34

S/5.72

S/4.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP055N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/8.95
3,987En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP055N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,987En existencias

S/8.95

S/4.36

S/3.88

S/3.35

S/2.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC

IRFS7430TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/17.32
2,949En existencias
1,600Se espera el 11/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7430TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7430TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC

Obtenga más información

Hoja de datos

2,949En existencias

1,600Se espera el 11/02/2027

Cinta cortada

S/17.32

S/11.41

S/8.06

S/6.38

Envase tipo carrete

S/6.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

426 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET

IRFS7440TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/14.13
3,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7440TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7440TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3,008En existencias

Cinta cortada

S/14.13

S/9.23

S/5.96

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.94

S/4.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

208 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPB024N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.39
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB024N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB024N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

19En existencias

Cinta cortada

S/13.39

S/8.72

S/6.07

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

107 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPB040N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.65
489En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB040N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB040N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

489En existencias

Cinta cortada

S/9.65

S/6.23

S/3.93

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.86

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

107 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP030N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/8.76
961En existencias
1,000Se espera el 15/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP030N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP030N06NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

961En existencias

1,000Se espera el 15/04/2027

S/8.76

S/4.24

S/3.79

S/3.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

119 A

3.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP129N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP129N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP129N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

921En existencias

S/8.84

S/4.28

S/3.83

S/3.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

52 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF010N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.45
213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF010N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF010N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

213En existencias

Cinta cortada

S/28.45

S/19.19

S/13.94

S/12.38

Envase tipo carrete

S/12.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

293 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPA082N10NF2SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.48
544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA082N10NF2SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA082N10NF2SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

544En existencias

S/11.48

S/6.73

S/5.10

S/3.93

S/3.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

100 V

46 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB018N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.47
53En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB018N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB018N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

53En existencias

Cinta cortada

S/20.47

S/13.58

S/9.69

S/7.98

Envase tipo carrete

S/7.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

187 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPB019N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.60
124En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB019N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

124En existencias

Cinta cortada

S/14.60

S/9.54

S/6.66

S/5.14

Envase tipo carrete

S/5.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

166 A

1.95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPB043N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.13
154En existencias
2,400Se espera el 30/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB043N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB043N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

154En existencias

2,400Se espera el 30/11/2026

Cinta cortada

S/11.13

S/7.20

S/5.06

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

135 A

4.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF017N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.38
415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF017N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF017N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

415En existencias

Cinta cortada

S/22.38

S/14.95

S/10.70

S/8.99

Envase tipo carrete

S/8.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

259 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP024N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/13.97
579En existencias
1,000Se espera el 7/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP024N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP024N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

579En existencias

1,000Se espera el 7/01/2027

S/13.97

S/7.05

S/6.58

S/5.49

S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

182 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W

IRFB7446PBF
Infineon Technologies
1: S/8.49
953En existencias
1,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7446PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7446PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W

Obtenga más información

Hoja de datos

953En existencias

1,000Se espera el 27/08/2026

S/8.49

S/4.16

S/3.61

S/2.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

123 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

99 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W

IRFB7440PBF
Infineon Technologies
1: S/9.50
1En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7440PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7440PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W

Obtenga más información

Hoja de datos

1En existencias

3,000En pedido

S/9.50

S/6.11

S/4.16

S/3.31

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPA030N10NF2SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.19
1,997En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA030N10NF2SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA030N10NF2SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,997En pedido

S/16.19

S/8.25

S/7.47

S/6.07

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

100 V

83 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP016N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/17.28
2,000Se espera el 7/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP016N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000Se espera el 7/01/2027

S/17.28

S/8.84

S/8.02

S/6.58

S/6.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

196 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPB014N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.20
799Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB014N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

799Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/13.20

S/8.60

S/5.96

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

191 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPB055N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB055N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB055N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Cinta cortada

S/8.56

S/5.49

S/3.70

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

94 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF023N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
800: S/6.31
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPF023N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF023N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.31

Min.: 800
Mult.: 800

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

209 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel

StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

46 A
52 A
53 A
71 A
73 A
77 A
78 A
80 A
83 A
94 A
98 A
99 A
107 A
110 A
115 A
117 A
118 A
119 A
120 A
121 A

900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.23 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.75 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms

3 nC
10 nC
13 nC
16 nC
18.6 nC
19 nC
21 nC
24 nC
27 nC
28 nC
33 nC
36 nC
38 nC
42 nC
45 nC
46 nC
50 nC
51 nC
54 nC
57 nC

3.8 W
35 W
41 W
65 W
71 W
75 W
83 W
99 W
100 W
107 W
136 W
143 W
150 W
167 W
188 W
208 W
214 W
245 W
250 W
300 W