Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a V_DS range of 80V to 100V and an R_DS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

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Resultados: 74

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP016N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/10.70
1,302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP016N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-P016N06NF2SAKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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1,302En existencias

S/10.70

S/5.33

S/4.79

S/3.44

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Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

194 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPF042N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.26
959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF042N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-42N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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959En existencias

Cinta cortada

S/9.26

S/4.24

S/3.22

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.70

Ver

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1 Channel

100 V

139 A

4.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPF050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
1,089En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF050N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF050N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1,089En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/4.87

S/3.71

S/3.70

Envase tipo carrete

S/3.55

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

117 A

5.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

51 nC

- 55 C

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150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD055N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
1,401En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD055N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD055N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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1,401En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/5.99

S/3.05

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.69

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

98 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

36 nC

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107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

IRFS7434TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/13.16
5,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7434TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7434TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

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5,997En existencias

Cinta cortada

S/13.16

S/8.60

S/5.99

S/5.53

Envase tipo carrete

S/4.16

S/4.09

MouseReel Disponible

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Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

240 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

210 nC

- 55 C

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245 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF017N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.20
505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF017N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF017N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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505En existencias

Cinta cortada

S/17.20

S/12.42

S/8.84

S/6.93

Envase tipo carrete

S/6.73

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

259 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF039N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.73
768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF039N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF039N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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768En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/7.36

S/6.19

S/5.88

Envase tipo carrete

S/4.94

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

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1 Channel

80 V

126 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

54 nC

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150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPB040N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.71
659En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB040N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB040N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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659En existencias

Cinta cortada

S/14.71

S/9.65

S/6.77

S/6.31

Envase tipo carrete

S/4.87

S/4.75

Min.: 1
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Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

107 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP050N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/10.20
1,224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP050N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP050N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1,224En existencias

S/10.20

S/4.24

S/4.16

S/3.87

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Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

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1 Channel

100 V

110 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

51 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

IPB020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.33
636En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

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636En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/7.32

S/5.06

S/4.75

Envase tipo carrete

S/3.48

Ver

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SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

122 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

IPB018N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.44
624En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB018N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB018N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

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624En existencias

Cinta cortada

S/11.44

S/7.40

S/5.45

S/4.55

Envase tipo carrete

S/3.80

S/3.47

Min.: 1
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Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

125 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

IPB023N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.13
399En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB023N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB023N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

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399En existencias

Cinta cortada

S/11.13

S/7.20

S/4.98

S/4.40

Envase tipo carrete

S/3.69

S/3.34

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

119 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD023N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.15
3,890En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD023N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD023N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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3,890En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.89

S/2.59

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

137 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IPP023N03LF2SAKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.93
3,908En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP023N03LF2SAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP023N03LF2SAKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

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Hoja de datos

3,908En existencias

S/6.93

S/4.40

S/2.93

S/2.43

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

30 V

121 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IPP033N03LF2SAKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.29
3,850En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP033N03LF2SAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP033N03LF2SAKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

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Hoja de datos

3,850En existencias

S/5.29

S/3.45

S/2.40

S/2.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

30 V

78 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

3 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT015N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.56
873En existencias
1,800Se espera el 2/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT015N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-15N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

873En existencias

1,800Se espera el 2/04/2026

Cinta cortada

S/17.56

S/11.64

S/8.25

S/7.63

S/6.23

Envase tipo carrete

S/6.19

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

315 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD038N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.84
3,702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD038N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD038N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,702En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.70

S/2.46

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

3.85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPP011N04NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/13.74
1,622En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP011N04NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP011N04NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

1,622En existencias

S/13.74

S/6.46

S/5.88

S/4.94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

201 A

1.15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPP015N04NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/9.69
1,714En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP015N04NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP015N04NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,714En existencias

S/9.69

S/4.44

S/4.28

S/3.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

193 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT012N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.21
2,068En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

2,068En existencias

Cinta cortada

S/21.21

S/14.17

S/10.16

S/10.00

Envase tipo carrete

S/8.80

S/7.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

351 A

1.23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT017N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.84
2,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT017N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT017N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

2,280En existencias

Cinta cortada

S/15.84

S/10.63

S/7.51

S/6.81

S/6.62

Envase tipo carrete

S/5.53

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

294 A

1.75 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT022N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.47
1,735En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT022N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT022N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Cinta cortada

S/13.47

S/8.80

S/6.15

S/5.41

Envase tipo carrete

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

236 A

2.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP019N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
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4,886En existencias
4,000Se espera el 26/03/2026

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IPP019N06NF2SAKMA1

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726-P019N06NF2SAKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/6.62

S/3.87

S/3.74

S/3.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

185 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.24
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IPD020N03LF2SATMA1

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726-IPD020N03LF2SATM

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S/7.24

S/4.59

S/3.07

S/2.51

Envase tipo carrete

S/1.93

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

143 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

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IPD030N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
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726-IPD030N03LF2SATM

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Cinta cortada

S/5.64

S/3.55

S/2.35

S/1.86

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S/1.47

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

99 A

3.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

46 A
52 A
53 A
71 A
73 A
77 A
78 A
80 A
83 A
94 A
98 A
99 A
107 A
110 A
115 A
117 A
118 A
119 A
120 A
121 A

900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.23 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.75 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms

3 nC
10 nC
13 nC
16 nC
18.6 nC
19 nC
21 nC
24 nC
27 nC
28 nC
33 nC
36 nC
38 nC
42 nC
45 nC
46 nC
50 nC
51 nC
54 nC
57 nC

3.8 W
35 W
41 W
65 W
71 W
75 W
83 W
99 W
100 W
107 W
136 W
143 W
150 W
167 W
188 W
208 W
214 W
245 W
250 W
300 W