Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a V_DS range of 80V to 100V and an R_DS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 74

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT022N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.40
1,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT022N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT022N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1,650En existencias

Cinta cortada

S/14.40

S/9.42

S/6.58

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

236 A

2.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD038N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
3,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD038N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD038N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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3,440En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.40

S/2.90

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.87

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

3.85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPA030N10NF2SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.76
2,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA030N10NF2SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA030N10NF2SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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2,048En existencias

S/18.76

S/9.69

S/9.07

S/7.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

100 V

83 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

IRFS7434TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/14.09
5,474En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7434TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7434TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

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5,474En existencias

Cinta cortada

S/14.09

S/9.19

S/6.42

S/6.07

Envase tipo carrete

S/4.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

240 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

210 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF012N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.48
792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF012N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF012N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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792En existencias

Cinta cortada

S/17.48

S/9.03

S/7.01

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

282 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP050N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/12.69
1,957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP050N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP050N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1,957En existencias

S/12.69

S/6.34

S/5.72

S/4.63

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPD029N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.70
3,047En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD029N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD029N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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3,047En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.13

S/2.84

S/2.23

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

131 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/9.30
1,856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP082N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1,856En existencias

S/9.30

S/4.59

S/4.09

S/3.27

S/2.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

77 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF017N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.01
465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF017N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF017N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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465En existencias

Cinta cortada

S/20.01

S/13.27

S/9.46

S/7.82

Envase tipo carrete

S/7.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

259 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF039N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.52
768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF039N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF039N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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768En existencias

Cinta cortada

S/11.52

S/7.47

S/5.14

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

126 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP040N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/8.37
2,175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

2,175En existencias

S/8.37

S/5.29

S/3.59

S/2.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

IPB018N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.47
664En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB018N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB018N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

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664En existencias

Cinta cortada

S/13.47

S/8.72

S/6.03

S/5.02

Envase tipo carrete

S/4.67

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

125 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

IPB020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.23
706En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

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Hoja de datos

706En existencias

Cinta cortada

S/13.23

S/8.60

S/5.92

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.59

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

122 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT015N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.99
1,164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT015N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-15N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1,164En existencias

Cinta cortada

S/21.99

S/14.40

S/10.74

S/8.99

S/8.33

Envase tipo carrete

S/7.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

315 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB015N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.06
2,097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB015N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB015N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

2,097En existencias

Cinta cortada

S/15.06

S/9.85

S/7.16

S/5.99

Envase tipo carrete

S/5.57

S/5.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

195 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPD023N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.76
16,432En existencias
12,000Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD023N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD023N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

16,432En existencias

12,000Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/8.76

S/5.49

S/3.63

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

143 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPP011N04NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/16.11
3,486En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP011N04NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP011N04NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

3,486En existencias

S/16.11

S/10.55

S/7.86

S/6.58

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

201 A

1.15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT012N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.51
1,832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

1,832En existencias

Cinta cortada

S/26.51

S/17.36

S/12.77

S/11.37

S/10.08

Envase tipo carrete

S/10.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

351 A

1.23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT017N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.62
1,853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT017N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT017N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,853En existencias

Cinta cortada

S/19.62

S/12.85

S/9.58

S/8.02

S/7.43

Envase tipo carrete

S/6.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

294 A

1.75 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP014N06NF2SAKMA2
Infineon Technologies
1: S/23.12
1,077En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP014N06NF2SAKMA2

N.º de artículo de Mouser
726-P014N06NF2SAKMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

1,077En existencias

S/23.12

S/15.14

S/11.29

S/9.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

198 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP019N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/12.38
8,709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP019N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-P019N06NF2SAKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

8,709En existencias

S/12.38

S/7.98

S/5.49

S/4.44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

185 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
971En existencias
6,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD020N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD020N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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971En existencias

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900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.23 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.75 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms

3 nC
10 nC
13 nC
16 nC
18.6 nC
19 nC
21 nC
24 nC
27 nC
28 nC
33 nC
36 nC
38 nC
42 nC
45 nC
46 nC
50 nC
51 nC
54 nC
57 nC

3.8 W
35 W
41 W
65 W
71 W
75 W
83 W
99 W
100 W
107 W
136 W
143 W
150 W
167 W
188 W
208 W
214 W
245 W
250 W
300 W