Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a V_DS range of 80V to 100V and an R_DS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

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Resultados: 74

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD047N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
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IPD047N03LF2SATMA1

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Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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S/6.66

S/4.24

S/2.82

S/2.28

Envase tipo carrete

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71 A

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Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPB012N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.97
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IPB012N04NF2SATMA1

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726-IPB012N04NF2SATM

Infineon Technologies

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S/13.97

S/9.11

S/6.34

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Envase tipo carrete

S/4.83

S/4.63

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Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPF009N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
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S/15.69

S/9.46

S/6.93

S/6.34

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Enhancement

StrongIRFET

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Infineon Technologies
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S/21.99

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S/8.76

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Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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Infineon Technologies
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S/7.63

S/6.50

S/5.76

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Infineon Technologies
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S/13.23

S/6.62

S/5.99

S/4.87

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188 W

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Tube

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StrongIRFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

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S/7.86

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53 A

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StrongIRFET

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Infineon Technologies
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StrongIRFET

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Infineon Technologies
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IPT017N10NF2SATMA1

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S/13.43

S/9.54

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130 nC

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300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD130N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
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2,026En existencias

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IPD130N10NF2SATMA1

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726-IPD130N10NF2SATM

Infineon Technologies

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S/6.77

S/4.32

S/2.86

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Envase tipo carrete

S/1.98

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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Enhancement

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IPP040N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
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IPP040N08NF2SAKMA1

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726-IPP040N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/11.25

S/5.57

S/5.02

S/4.05

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1 Channel

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115 A

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+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP016N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
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IPP016N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-P016N06NF2SAKMA1

Infineon Technologies

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S/11.41

S/5.64

S/4.98

S/4.09

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Min.: 1
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60 V

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP019N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/10.47
8,709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP019N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-P019N06NF2SAKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/10.47

S/5.14

S/4.63

S/3.69

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

185 A

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2.1 V

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPF042N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.93
871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF042N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-42N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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871En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/6.38

S/4.36

S/3.55

Envase tipo carrete

S/2.92

Ver

Min.: 1
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: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

139 A

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- 20 V, 20 V

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167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD040N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.81
1,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD040N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD040N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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1,190En existencias

Cinta cortada

S/9.81

S/6.34

S/4.32

S/3.58

Envase tipo carrete

S/2.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

129 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

54 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD052N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
1,523En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD052N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD052N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

1,523En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/6.77

S/4.63

S/3.71

S/3.44

Envase tipo carrete

S/3.22

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

118 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

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150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD055N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.10
1,047En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD055N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD055N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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1,047En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/5.45

S/3.40

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

98 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF010N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.45
213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF010N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF010N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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213En existencias

Cinta cortada

S/28.45

S/19.19

S/13.94

S/12.38

Envase tipo carrete

S/12.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 800

SMD/SMT

TO-263-7

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1 Channel

60 V

293 A

1.05 mOhms

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2.1 V

203 nC

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+ 175 C

300 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPF013N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.08
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF013N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF013N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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238En existencias

Cinta cortada

S/13.08

S/8.52

S/5.92

S/4.55

Envase tipo carrete

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

232 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

106 nC

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+ 175 C

188 W

Enhancement

StrongIRFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Infineon Technologies
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415En existencias
800Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPF050N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF050N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

415En existencias

800Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/11.48

S/7.43

S/4.75

S/3.82

Envase tipo carrete

S/3.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 800

SMD/SMT

TO-263-7

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1 Channel

100 V

117 A

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- 20 V, 20 V

2.2 V

51 nC

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+ 175 C

150 W

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IPP011N03LF2SAKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.62
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N.º de artículo del Fabricante
IPP011N03LF2SAKSA1

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Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

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Hoja de datos

462En existencias

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S/10.94

S/7.71

S/6.31

S/6.03

Min.: 1
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1 Channel

30 V

210 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

224 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IPP020N03LF2SAKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.78
749En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPP020N03LF2SAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP020N03LF2SAKS

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

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Hoja de datos

749En existencias

S/10.78

S/6.97

S/4.79

S/4.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

30 V

125 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IPP033N03LF2SAKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.64
682En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPP033N03LF2SAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP033N03LF2SAKS

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

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Hoja de datos

682En existencias

S/8.64

S/5.57

S/3.52

S/2.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

30 V

78 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

3 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF014N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.86
4,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF014N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF014N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

4,246En existencias

Cinta cortada

S/26.86

S/18.06

S/13.08

S/11.44

Envase tipo carrete

S/11.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

282 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

46 A
52 A
53 A
71 A
73 A
77 A
78 A
80 A
83 A
94 A
98 A
99 A
107 A
110 A
115 A
117 A
118 A
119 A
120 A
121 A

900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.23 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.75 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms

3 nC
10 nC
13 nC
16 nC
18.6 nC
19 nC
21 nC
24 nC
27 nC
28 nC
33 nC
36 nC
38 nC
42 nC
45 nC
46 nC
50 nC
51 nC
54 nC
57 nC

3.8 W
35 W
41 W
65 W
71 W
75 W
83 W
99 W
100 W
107 W
136 W
143 W
150 W
167 W
188 W
208 W
214 W
245 W
250 W
300 W