Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a V_DS range of 80V to 100V and an R_DS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

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Resultados: 74

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD040N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.06
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IPD040N03LF2SATMA1

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726-IPD040N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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S/5.06

S/3.18

S/2.11

S/1.73

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S/1.31

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1 Channel

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73 A

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- 20 V, 20 V

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75 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD047N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.63
2,431En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD047N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD047N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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2,431En existencias

Cinta cortada

S/4.63

S/2.90

S/1.92

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.18

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SMD/SMT

TO-252-3

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65 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IPP011N03LF2SAKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.87
497En existencias
Nuevo producto

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IPP011N03LF2SAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP011N03LF2SAKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

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497En existencias

S/11.87

S/7.71

S/5.68

S/4.79

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3.8 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IPP020N03LF2SAKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.86
875En existencias
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726-IPP020N03LF2SAKS

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S/7.86

S/5.02

S/3.33

S/2.76

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125 A

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136 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IPP044N03LF2SAKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.41
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IPP044N03LF2SAKSA1

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726-IPP044N03LF2SAKS

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S/5.41

S/2.96

S/2.06

S/1.67

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53 A

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Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IPP050N03LF2SAKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.02
3,187En existencias
Nuevo producto

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IPP050N03LF2SAKSA1

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726-IPP050N03LF2SAKS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

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S/5.02

S/3.17

S/2.10

S/1.72

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N-Channel

1 Channel

30 V

53 A

4.95 mOhms

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Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD040N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.28
2,134En existencias

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IPD040N08NF2SATMA1

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726-IPD040N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/10.28

S/6.85

S/4.75

S/3.84

Envase tipo carrete

S/3.16

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129 A

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2.2 V

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150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD052N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.89
1,793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD052N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD052N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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S/9.89

S/6.38

S/4.40

S/3.46

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S/2.92

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1 Channel

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118 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

51 nC

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150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPF009N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.88
1,356En existencias

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IPF009N04NF2SATMA1

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726-IPF009N04NF2SATM

Infineon Technologies

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S/15.88

S/8.56

S/6.54

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Envase tipo carrete

S/5.53

Presupuesto

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2.1 V

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375 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF012N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.22
892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF012N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF012N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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892En existencias

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S/15.22

S/9.77

S/6.66

S/6.31

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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1.2 mOhms

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+ 175 C

250 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF016N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.49
2,171En existencias
2,400Se espera el 26/03/2026

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IPF016N06NF2SATMA1

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726-IPF016N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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2,171En existencias

2,400Se espera el 26/03/2026

Cinta cortada

S/12.49

S/8.25

S/5.76

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.09

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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1 Channel

60 V

223 A

1.7 mOhms

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2.1 V

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+ 175 C

188 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPB043N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
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1,461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB043N10NF2SATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1,461En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.72

S/3.86

S/3.17

Envase tipo carrete

S/3.06

S/2.46

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

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135 A

4.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

57 nC

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167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPD023N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.77
1,219En existencias
8,000Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD023N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD023N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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1,219En existencias

8,000Se espera el 3/04/2026

Cinta cortada

S/6.77

S/3.93

S/2.75

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.95

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

143 A

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- 20 V, 20 V

2.2 V

68 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD028N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.72
1,930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD028N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD028N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

1,930En existencias

Cinta cortada

S/8.72

S/5.72

S/3.83

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

139 A

2.85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP030N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
1,848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP030N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP030N06NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

1,848En existencias

S/7.90

S/3.80

S/3.41

S/2.71

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

119 A

3.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP019N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/10.55
1,326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP019N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP019N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

1,326En existencias

S/10.55

S/5.84

S/5.76

S/5.37

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

191 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC

IRFS7430TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/11.56
5,242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7430TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7430TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC

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Hoja de datos

5,242En existencias

Cinta cortada

S/11.56

S/6.81

S/5.49

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.67

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

426 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET

IRFS7440TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/7.05
2,563En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7440TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7440TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,563En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.67

S/3.33

S/3.24

Envase tipo carrete

S/2.30

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

208 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPB012N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.26
988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB012N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB012N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

988En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/8.49

S/6.34

S/4.20

Envase tipo carrete

S/4.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

197 A

1.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB029N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.15
877En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB029N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB029N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

877En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/4.71

S/3.54

S/3.53

Envase tipo carrete

S/3.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPD029N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.31
1,151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD029N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD029N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,151En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.66

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

131 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD130N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.34
2,166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD130N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD130N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

2,166En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.01

S/2.68

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

52 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

18.6 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF010N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.53
228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF010N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF010N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

228En existencias

Cinta cortada

S/15.53

S/7.82

S/7.67

S/7.63

Envase tipo carrete

S/7.32

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

293 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPF013N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.02
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF013N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF013N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

238En existencias

Cinta cortada

S/11.02

S/7.55

S/4.52

S/4.32

Envase tipo carrete

S/4.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

232 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPP013N04NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/11.79
692En existencias
1,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP013N04NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP013N04NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

692En existencias

1,000Se espera el 2/03/2026

S/11.79

S/4.32

S/4.24

S/4.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

197 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Tube

StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

46 A
52 A
53 A
71 A
73 A
77 A
78 A
80 A
83 A
94 A
98 A
99 A
107 A
110 A
115 A
117 A
118 A
119 A
120 A
121 A

900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.23 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.75 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms

3 nC
10 nC
13 nC
16 nC
18.6 nC
19 nC
21 nC
24 nC
27 nC
28 nC
33 nC
36 nC
38 nC
42 nC
45 nC
46 nC
50 nC
51 nC
54 nC
57 nC

3.8 W
35 W
41 W
65 W
71 W
75 W
83 W
99 W
100 W
107 W
136 W
143 W
150 W
167 W
188 W
208 W
214 W
245 W
250 W
300 W