Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET

SSM3K72KCT,L3F
Toshiba
1: S/0.817
588En existencias
80,000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K72KCT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72KCTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET

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588En existencias

80,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/0.817

S/0.498

S/0.311

S/0.23

Envase tipo carrete

S/0.113

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6K217FE,LF
Toshiba
1: S/1.91
101En existencias
16,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K217FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K217FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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Cinta cortada

S/1.91

S/1.16

S/0.755

S/0.557

Envase tipo carrete

S/0.362

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

1 Channel

40 V

1.8 A

400 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

1.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6K504NU,LF
Toshiba
1: S/1.95
7,886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K504NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K504NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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Cinta cortada

S/1.95

S/1.18

S/0.763

S/0.568

Envase tipo carrete

S/0.452

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

30 V

9 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

SSM6K517NU,LF
Toshiba
1: S/2.37
3,702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K517NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K517NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

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3,702En existencias

Cinta cortada

S/2.37

S/1.51

S/1.02

S/0.677

Envase tipo carrete

S/0.537

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6B

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

39.1 mOhms

- 8 V, 12 V

1 V

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V

SSM6K518NU,LF
Toshiba
1: S/0.545
4,165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K518NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K518NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V

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Cinta cortada

S/0.545

S/0.537

Envase tipo carrete

S/0.444

S/0.436

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6B

N-Channel

1 Channel

20 V

6 A

108 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A

SSM6L61NU,LF
Toshiba
1: S/2.72
4,607En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L61NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L61NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A

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Cinta cortada

S/2.72

S/1.68

S/1.08

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.545

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

108 mOhms, 157 mOhms

- 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V

400 mV, 500 mV

3.6 nC, 6.74 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVII-H / U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

SSM6N57NU,LF
Toshiba
1: S/2.30
9,693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N57NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N57NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

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9,693En existencias

Cinta cortada

S/2.30

S/1.42

S/0.919

S/0.708

Envase tipo carrete

S/0.529

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1

SSM6N58NU,LF
Toshiba
1: S/2.30
489En existencias
21,000Se espera el 12/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N58NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N58NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1

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Cinta cortada

S/2.30

S/1.41

S/0.899

S/0.681

Envase tipo carrete

S/0.498

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4 A

112 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM6N68NU,LF
Toshiba
1: S/2.30
3,303En existencias
3,000Se espera el 20/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N68NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N68NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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3,000Se espera el 20/02/2026

Cinta cortada

S/2.30

S/1.41

S/0.899

S/0.681

Envase tipo carrete

S/0.541

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4 A

84 mOhms

- 8 V, 12 V

1 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 4.0 A, 0.056Ohma.4.5V, DFN2020B(WF)Automotive

XSM6K376NW,LXHF
Toshiba
1: S/1.21
768En existencias
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XSM6K376NW,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K376NWLXHF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 4.0 A, 0.056Ohma.4.5V, DFN2020B(WF)Automotive

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Cinta cortada

S/1.21

S/0.74

S/0.463

S/0.343

Envase tipo carrete

S/0.245

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN2020B-6

N-Channel

1 Channel

30 V

10 A

56 mOhms

- 8 V, 12 V

1 V

2.2 nC

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

SSM3K56ACT,L3F
Toshiba
1: S/0.467
139,603En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56ACT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

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Cinta cortada

S/0.467

S/0.28

S/0.253

Envase tipo carrete

S/0.202

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

840 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

SSM3K335R,LF
Toshiba
1: S/1.71
18,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K335R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K335RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

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18,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/1.71

S/1.10

S/0.705

S/0.529

Envase tipo carrete

S/0.35

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM3K56CT,L3F
Toshiba
1: S/1.32
20,000Se espera el 18/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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20,000Se espera el 18/02/2026

Cinta cortada

S/1.32

S/0.716

S/0.35

S/0.343

Envase tipo carrete

S/0.222

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

SOT-883-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSVII-H MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

14.4 mOhms
26 mOhms
39.1 mOhms
43 mOhms
46 mOhms
51 mOhms
56 mOhms
84 mOhms
95 mOhms
108 mOhms
108 mOhms, 157 mOhms
112 mOhms
185 mOhms
235 mOhms
235 mOhms, 235 mOhms
400 mOhms
840 mOhms
1.05 Ohms
1.5 Ohms
2.8 Ohms