Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

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Resultados: 44

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM3K56CT,L3F
Toshiba
1: S/2.34
223En existencias
40,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Cinta cortada

S/2.34

S/1.60

S/1.01

S/0.634

Envase tipo carrete

S/0.366

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 10,000

SMD/SMT

SOT-883-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

SSM3K62TU,LF
Toshiba
1: S/2.37
1,681En existencias
3,000Se espera el 10/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K62TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

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Cinta cortada

S/2.37

S/1.46

S/0.934

S/0.705

Envase tipo carrete

S/0.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

43 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

2 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K7002CFU,LF
Toshiba
1: S/0.817
9,562En existencias
45,000Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K7002CFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K7002CFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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Cinta cortada

S/0.817

S/0.479

S/0.292

S/0.21

Envase tipo carrete

S/0.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

3.9 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

270 pC

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A

SSM3K7002KF,LF
Toshiba
1: S/1.36
11,070En existencias
30,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K7002KF,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K7002KFLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A

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Cinta cortada

S/1.36

S/0.923

S/0.584

S/0.37

Envase tipo carrete

S/0.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-346-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

900 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V

SSM3K7002KFU,LF
Toshiba
1: S/0.74
42,953En existencias
48,000Se espera el 22/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K7002KFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K7002KFULF

Toshiba

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S/0.74

S/0.448

S/0.276

S/0.202

Envase tipo carrete

S/0.144

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET VDSS=60V, ID=0.15A

SSM3K72CTC,L3F
Toshiba
1: S/1.09
11,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K72CTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72CTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET VDSS=60V, ID=0.15A

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S/1.09

S/0.658

S/0.409

S/0.304

Envase tipo carrete

S/0.199

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

60 V

150 mA

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

350 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6K217FE,LF
Toshiba
1: S/2.22
7,700En existencias

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SSM6K217FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K217FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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S/2.22

S/1.36

S/0.868

S/0.65

Envase tipo carrete

S/0.518

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

1 Channel

40 V

1.8 A

400 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

1.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, TSOP6F

SSM6K389NU,LF
Toshiba
1: S/1.79
2,086En existencias
6,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K389NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K389NULF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, TSOP6F

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S/1.79

S/1.24

S/0.786

S/0.494

Envase tipo carrete

S/0.378

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6B

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

171 mOhms

20 V

2.1 V

1.84 nC

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V

SSM6K518NU,LF
Toshiba
1: S/2.96
4,135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K518NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K518NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V

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S/2.96

S/1.83

S/1.18

S/0.895

Envase tipo carrete

S/0.685

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6B

N-Channel

1 Channel

20 V

6 A

108 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A

SSM6L61NU,LF
Toshiba
1: S/3.11
1,048En existencias
3,000Se espera el 25/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L61NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L61NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A

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Cinta cortada

S/3.11

S/1.92

S/1.24

S/0.942

Envase tipo carrete

S/0.724

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

108 mOhms, 157 mOhms

- 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V

400 mV, 500 mV

3.6 nC, 6.74 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVII-H / U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A

SSM6N61NU,LF
Toshiba
1: S/3.11
237En existencias
6,000Se espera el 2/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N61NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N61NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A

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S/3.11

S/1.92

S/1.24

S/0.942

Envase tipo carrete

S/0.724

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

20 V

4 A

108 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM6N68NU,LF
Toshiba
1: S/2.61
5,297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N68NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N68NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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Cinta cortada

S/2.61

S/1.61

S/1.03

S/0.779

Envase tipo carrete

S/0.592

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4 A

84 mOhms

- 8 V, 12 V

1 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

T2N7002AK,LM
Toshiba
1: S/0.623
54,035En existencias
96,000Se espera el 7/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
T2N7002AK,LM

N.º de artículo de Mouser
757-T2N7002AKLM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

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Cinta cortada

S/0.623

S/0.378

S/0.234

S/0.171

Envase tipo carrete

S/0.101

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

200 mA

3.9 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

270 pC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected

SSM6N7002KFU,LF
Toshiba
1: S/0.895
999,182En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N7002KFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N7002KFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected

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Cinta cortada

S/0.895

S/0.557

S/0.346

S/0.253

S/0.222

Envase tipo carrete

S/0.128

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

60 V

300 mA

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

SSM3K324R,LF
Toshiba
1: S/2.22
49,790Se espera el 7/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K324R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K324RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

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Cinta cortada

S/2.22

S/1.56

S/0.985

S/0.619

Envase tipo carrete

S/0.475

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

1 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm

SSM3K56MFV,L3F
Toshiba
1: S/2.26
184,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm

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Cinta cortada

S/2.26

S/1.56

S/0.989

S/0.623

Envase tipo carrete

S/0.358

Ver

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 4.0 A, 0.056Ohm@4.5V, DFN2020B(WF)

XSM6K376NW,LXHF
Toshiba
1: S/3.23
65,900Se espera el 17/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XSM6K376NW,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K376NWLXHF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 4.0 A, 0.056Ohm@4.5V, DFN2020B(WF)

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Cinta cortada

S/3.23

S/2.01

S/1.30

S/0.993

Envase tipo carrete

S/0.763

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN2020B-6

N-Channel

1 Channel

30 V

10 A

56 mOhms

- 8 V, 12 V

1 V

2.2 nC

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6K504NU,LF
Toshiba
1: S/2.22
11,976En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K504NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K504NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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11,976En pedido

Cinta cortada

S/2.22

S/1.37

S/0.876

S/0.658

Envase tipo carrete

S/0.498

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

30 V

9 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

SSM6K517NU,LF
Toshiba
1: S/2.96
8,998En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K517NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K517NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

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8,998En pedido

Cinta cortada

S/2.96

S/1.83

S/1.18

S/0.895

Envase tipo carrete

S/0.685

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6B

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

39.1 mOhms

- 8 V, 12 V

1 V

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSVII-H MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

14.4 mOhms
26 mOhms
39.1 mOhms
43 mOhms
46 mOhms
51 mOhms
56 mOhms
84 mOhms
87 mOhms
95 mOhms
108 mOhms
108 mOhms, 157 mOhms
112 mOhms
171 mOhms
185 mOhms
235 mOhms
235 mOhms, 235 mOhms
400 mOhms
840 mOhms
1.05 Ohms