Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F

SSM6K388R,LF
Toshiba
1: S/2.61
2,100En existencias
Nuevo producto

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SSM6K388R,LF

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757-SSM6K388RLF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F

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S/2.61

S/1.81

S/1.14

S/0.708

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S/0.452

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1 Channel

60 V

2 A

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2.1 V

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+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

SSM3K333R,LF
Toshiba
1: S/1.75
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SSM3K333R,LF

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757-SSM3K333RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

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S/1.75

S/1.09

S/0.685

S/0.514

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S/0.358

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1 Channel

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1

SSM6N7002CFU,LF
Toshiba
1: S/0.934
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SSM6N7002CFU,LF

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757-SSM6N7002CFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1

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S/0.934

S/0.576

S/0.358

S/0.265

Envase tipo carrete

S/0.187

Ver

MouseReel Disponible

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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

60 V

170 mA

3.9 Ohms, 3.9 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

270 pC

- 55 C

+ 150 C

285 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

SSM6K781G,LF
Toshiba
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SSM6K781G,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K781GLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

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S/3.19

S/1.97

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

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WCSP6C-6

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1 Channel

12 V

7 A

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- 8 V, 8 V

400 mV

5.4 nC

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+ 150 C

1.6 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F

SSM3K389R,LF
Toshiba
1: S/1.52
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Nuevo producto

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SSM3K389R,LF

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757-SSM3K389RLF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F

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S/1.52

S/1.03

S/0.65

S/0.409

Envase tipo carrete

S/0.311

Ver

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SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

171 mOhms

20 V

2.1 V

1.84 nC

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B

SSM6K389R,LF
Toshiba
1: S/2.26
2,100En existencias
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SSM6K389R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K389RLF

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B

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S/2.26

S/1.56

S/0.989

S/0.623

Envase tipo carrete

S/0.467

Ver

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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6F

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

171 mOhms

20 V

2.1 V

1.84 nC

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, SOT-23F

SSM3K388R,LF
Toshiba
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SSM3K388R,LF

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757-SSM3K388RLF

Nuevo producto

Toshiba

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S/1.75

S/1.21

S/0.763

S/0.483

Envase tipo carrete

S/0.366

Ver

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

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1 Channel

60 V

2 A

87 mOhms

20 V

2.1 V

2.66 nC

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

SSM6K516NU,LF
Toshiba
1: S/2.65
5,251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K516NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K516NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

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S/2.65

S/1.63

S/1.04

S/0.79

Envase tipo carrete

S/0.623

Ver

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: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6B

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

46 mOhms

- 12 V, 20 V

2.5 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

SSM6N55NU,LF
Toshiba
1: S/2.26
9,594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N55NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N55NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

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S/2.26

S/1.51

S/0.961

S/0.728

Envase tipo carrete

S/0.533

Ver

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: 3,000

N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

SSM3K335R,LF
Toshiba
1: S/1.75
16,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K335R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K335RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

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Cinta cortada

S/1.75

S/1.05

S/0.666

S/0.498

Envase tipo carrete

S/0.385

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM6N67NU,LF
Toshiba
1: S/2.57
135,208En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N67NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N67NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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Cinta cortada

S/2.57

S/1.58

S/1.01

S/0.763

Envase tipo carrete

S/0.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4 A

39.1 mOhms

- 8 V, 12 V

400 mV

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET

SSM3K72KCT,L3F
Toshiba
1: S/0.817
169,549En existencias
210,000Se espera el 7/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K72KCT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72KCTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET

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169,549En existencias

210,000Se espera el 7/08/2026

Cinta cortada

S/0.817

S/0.498

S/0.311

S/0.292

Envase tipo carrete

S/0.117

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1

SSM6N58NU,LF
Toshiba
1: S/2.45
29,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N58NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N58NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1

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Cinta cortada

S/2.45

S/1.51

S/0.961

S/0.728

Envase tipo carrete

S/0.553

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4 A

112 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

T2N7002BK,LM
Toshiba
1: S/0.623
244,504En existencias
378,000Se espera el 4/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
T2N7002BK,LM

N.º de artículo de Mouser
757-T2N7002BKLM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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244,504En existencias

378,000Se espera el 4/09/2026

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S/0.623

S/0.378

S/0.234

S/0.171

Envase tipo carrete

S/0.101

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V

SSM3K344R,LF
Toshiba
1: S/1.75
8,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K344R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K344RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V

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S/1.75

S/1.07

S/0.677

S/0.506

Envase tipo carrete

S/0.366

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

20 V

3 A

51 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM3K376R,LF
Toshiba
1: S/1.40
18,115En existencias
72,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K376R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K376RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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72,000En pedido

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S/1.40

S/0.852

S/0.537

S/0.401

Envase tipo carrete

S/0.315

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4 A

56 mOhms

- 8 V, 12 V

1 V

2.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

SSM3K62TU,LF
Toshiba
1: S/2.22
7,244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K62TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

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S/2.22

S/1.37

S/0.876

S/0.658

Envase tipo carrete

S/0.498

Ver

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

43 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

2 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

SSM3K324R,LF
Toshiba
1: S/1.87
3,470En existencias
21,000Se espera el 22/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K324R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K324RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

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3,470En existencias

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Cinta cortada

S/1.87

S/1.14

S/0.716

S/0.533

S/0.475

Envase tipo carrete

S/0.346

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

1 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

SSM3K336R,LF
Toshiba
1: S/1.83
4,709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K336R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K336RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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S/1.83

S/1.11

S/0.705

S/0.525

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S/0.393

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM3K56CT,L3F
Toshiba
1: S/1.48
11,910En existencias
10,000Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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11,910En existencias

10,000Se espera el 28/08/2026

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S/1.48

S/0.903

S/0.568

S/0.424

Envase tipo carrete

S/0.265

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-883-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

SSM3K56FS,LF
Toshiba
1: S/1.25
10,292En existencias
60,000Se espera el 22/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

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Hoja de datos

10,292En existencias

60,000Se espera el 22/05/2026

Cinta cortada

S/1.25

S/0.771

S/0.487

S/0.358

Envase tipo carrete

S/0.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K7002CFU,LF
Toshiba
1: S/0.623
2,725En existencias
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SSM3K7002CFU,LF

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S/0.623

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S/0.234

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S/0.117

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

3.9 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

270 pC

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A

SSM3K7002KF,LF
Toshiba
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11,153En existencias
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SMD/SMT

SOT-346-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

900 mW

Enhancement

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U-MOSVII-H

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SSM3K7002KFU,LF
Toshiba
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SSM3K7002KFU,LF

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S/0.424

S/0.265

S/0.191

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S/0.136

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SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

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AEC-Q101

U-MOSVII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A

SSM3K72CFS,LF
Toshiba
1: S/0.662
75,003En existencias

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SSM3K72CFS,LF

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757-SSM3K72CFSLF

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S/0.397

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S/0.179

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S/0.105

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

350 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

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U-MOSVII-H

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26 mOhms
39.1 mOhms
43 mOhms
46 mOhms
51 mOhms
56 mOhms
84 mOhms
87 mOhms
95 mOhms
108 mOhms
108 mOhms, 157 mOhms
112 mOhms
171 mOhms
185 mOhms
235 mOhms
235 mOhms, 235 mOhms
400 mOhms
840 mOhms
1.05 Ohms