Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

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Resultados: 38

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

SSM3K333R,LF
Toshiba
1: S/1.75
72,941En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K333R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K333RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

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S/1.75

S/1.09

S/0.689

S/0.514

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S/0.374

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

N-Channel

1 Channel

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1

SSM6N7002CFU,LF
Toshiba
1: S/0.895
142,356En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N7002CFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N7002CFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1

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142,356En existencias

Cinta cortada

S/0.895

S/0.541

S/0.335

S/0.245

Envase tipo carrete

S/0.163

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

60 V

170 mA

3.9 Ohms, 3.9 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

270 pC

- 55 C

+ 150 C

285 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

SSM6K781G,LF
Toshiba
1: S/1.95
51,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K781G,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K781GLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

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Cinta cortada

S/1.95

S/1.52

S/1.04

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.623

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

WCSP6C-6

N-Channel

1 Channel

12 V

7 A

14.4 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

SSM6K516NU,LF
Toshiba
1: S/2.65
5,276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K516NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K516NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

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S/2.65

S/1.63

S/1.04

S/0.79

Envase tipo carrete

S/0.623

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6B

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

46 mOhms

- 12 V, 20 V

2.5 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A

SSM6N61NU,LF
Toshiba
1: S/2.72
6,318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N61NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N61NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A

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S/2.72

S/1.68

S/1.08

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.545

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

20 V

4 A

108 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

SSM6N55NU,LF
Toshiba
1: S/1.28
9,826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N55NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N55NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

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S/1.28

S/0.852

S/0.619

S/0.409

Envase tipo carrete

S/0.381

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Carrete: 3,000

N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET N-Channel

SSM6N56FE,LM
Toshiba
1: S/1.44
50,389En existencias
72,000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N56FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N56FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET N-Channel

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S/1.44

S/0.872

S/0.315

S/0.308

Envase tipo carrete

S/0.218

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Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms, 235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

SSM3K324R,LF
Toshiba
1: S/1.48
25,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K324R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K324RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

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S/1.48

S/0.907

S/0.576

S/0.428

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S/0.315

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Carrete: 3,000

N-Channel

1 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3K339R,LF
Toshiba
1: S/1.44
85,624En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K339R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K339RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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S/1.44

S/0.876

S/0.522

S/0.366

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S/0.296

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

40 V

2 A

185 mOhms

- 8 V, 8 V

850 mV

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM3K376R,LF
Toshiba
1: S/1.40
23,770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K376R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K376RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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S/1.40

S/0.794

S/0.564

S/0.401

Envase tipo carrete

S/0.284

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4 A

56 mOhms

- 8 V, 12 V

1 V

2.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

SSM3K56FS,LF
Toshiba
1: S/1.25
80,679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

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Cinta cortada

S/1.25

S/0.763

S/0.42

S/0.319

Envase tipo carrete

S/0.222

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm

SSM3K56MFV,L3F
Toshiba
1: S/1.44
27,515En existencias
32,000Se espera el 14/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm

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S/1.44

S/0.887

S/0.557

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.226

Ver

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Mult.: 1

Carrete: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM6N67NU,LF
Toshiba
1: S/2.37
30,335En existencias
117,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N67NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N67NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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S/2.37

S/1.48

S/0.946

S/0.716

Envase tipo carrete

S/0.518

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4 A

39.1 mOhms

- 8 V, 12 V

400 mV

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected

SSM6N7002KFU,LF
Toshiba
1: S/0.779
440,412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N7002KFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N7002KFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected

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Cinta cortada

S/0.779

S/0.448

S/0.288

S/0.226

Envase tipo carrete

S/0.148

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

60 V

300 mA

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

T2N7002AK,LM
Toshiba
1: S/0.545
117,182En existencias

N.º de artículo del Fabricante
T2N7002AK,LM

N.º de artículo de Mouser
757-T2N7002AKLM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

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117,182En existencias

Cinta cortada

S/0.545

S/0.331

S/0.202

S/0.144

Envase tipo carrete

S/0.086

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

200 mA

3.9 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

270 pC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

T2N7002BK,LM
Toshiba
1: S/0.584
114,621En existencias
81,000Se espera el 20/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
T2N7002BK,LM

N.º de artículo de Mouser
757-T2N7002BKLM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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114,621En existencias

81,000Se espera el 20/02/2026

Cinta cortada

S/0.584

S/0.35

S/0.218

S/0.156

Envase tipo carrete

S/0.086

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

SSM3K62TU,LF
Toshiba
1: S/2.06
80En existencias
9,000Se espera el 13/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K62TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

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Cinta cortada

S/2.06

S/1.28

S/0.779

S/0.615

Envase tipo carrete

S/0.381

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

43 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

2 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET VDSS=60V, ID=0.15A

SSM3K72CTC,L3F
Toshiba
1: S/0.74
14,745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K72CTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72CTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET VDSS=60V, ID=0.15A

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S/0.74

S/0.444

S/0.269

S/0.21

Envase tipo carrete

S/0.163

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

60 V

150 mA

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

350 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.3A VDSS=60V

SSM3K72KFS,LF
Toshiba
1: S/0.701
5,533En existencias
42,000Se espera el 10/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K72KFS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72KFSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.3A VDSS=60V

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Cinta cortada

S/0.701

S/0.44

S/0.272

S/0.199

Envase tipo carrete

S/0.132

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

SSM3K336R,LF
Toshiba
1: S/1.21
7,567En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K336R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K336RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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Cinta cortada

S/1.21

S/0.993

S/0.642

S/0.49

Envase tipo carrete

S/0.323

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V

SSM3K344R,LF
Toshiba
1: S/1.75
988En existencias
9,000Se espera el 10/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K344R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K344RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V

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988En existencias

9,000Se espera el 10/04/2026

Cinta cortada

S/1.75

S/1.06

S/0.673

S/0.506

Envase tipo carrete

S/0.339

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

20 V

3 A

51 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K7002CFU,LF
Toshiba
1: S/0.623
677En existencias
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SSM3K7002CFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K7002CFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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S/0.623

S/0.319

S/0.191

S/0.14

Envase tipo carrete

S/0.078

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

3.9 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

270 pC

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A

SSM3K7002KF,LF
Toshiba
1: S/1.01
4,643En existencias
18,000Se espera el 13/03/2026

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SSM3K7002KF,LF

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S/1.01

S/0.615

S/0.385

S/0.284

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S/0.199

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-346-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

900 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V

SSM3K7002KFU,LF
Toshiba
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42,000Se espera el 17/04/2026

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SSM3K7002KFU,LF

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757-SSM3K7002KFULF

Toshiba

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S/0.701

S/0.413

S/0.257

S/0.187

Envase tipo carrete

S/0.132

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

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SSM3K72CFS,LF
Toshiba
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SSM3K72CFS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72CFSLF

Toshiba

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S/0.35

S/0.214

S/0.179

Envase tipo carrete

S/0.109

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

350 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSVII-H MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

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Recursos

Soporte

14.4 mOhms
26 mOhms
39.1 mOhms
43 mOhms
46 mOhms
51 mOhms
56 mOhms
84 mOhms
95 mOhms
108 mOhms
108 mOhms, 157 mOhms
112 mOhms
185 mOhms
235 mOhms
235 mOhms, 235 mOhms
400 mOhms
840 mOhms
1.05 Ohms
1.5 Ohms
2.8 Ohms