Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SPA06N80C3
Infineon Technologies
1: S/11.25
2,241En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPA06N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA06N80C3

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

Hoja de datos

2,241En existencias

S/11.25

S/7.28

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S/4.01

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1 Channel

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6 A

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2.1 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.93
3,446En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD06N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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S/9.93

S/4.87

S/4.20

S/3.48

S/3.31

Envase tipo carrete

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6 A

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2.1 V

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

SPP08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.46
833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPP08N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

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833En existencias

S/12.46

S/6.23

S/5.61

S/4.32

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8 A

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2.1 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies
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254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPW55N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

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254En existencias

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S/36.16

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
SPA08N80C3XKSA1

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726-SPA08N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

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501En existencias

S/14.01

S/7.20

S/6.38

S/5.10

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Infineon Technologies
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SPB17N80C3

N.º de artículo de Mouser
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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

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952En existencias

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S/10.51

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2.1 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB17N80C3ATMA1
Infineon Technologies
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NRND

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Cinta cortada

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S/9.85

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Envase tipo carrete

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Infineon Technologies
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SPD04N80C3ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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S/4.16

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

SPP04N80C3XKSA1
Infineon Technologies
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500En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

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500En existencias

S/9.81

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

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Infineon Technologies
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180En existencias
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SPW17N80C3

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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

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180En existencias

S/25.42

S/16.66

S/12.26

S/10.86

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.52
387En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPA06N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA06N80C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

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387En existencias

S/11.52

S/5.84

S/5.10

S/4.09

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6 A

780 mOhms

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39 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA08N80C3
Infineon Technologies
1: S/13.66
54En existencias
500Se espera el 8/10/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA08N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA08N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

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54En existencias

500Se espera el 8/10/2026

S/13.66

S/8.87

S/6.23

S/5.22

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2.1 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N80C3
Infineon Technologies
1: S/14.40
715En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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715En existencias

S/14.40

S/9.38

S/6.58

S/5.49

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TO-220FP-3

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11 A

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2.1 V

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- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

SPP04N80C3
Infineon Technologies
1: S/9.81
560En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP04N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP04N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

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560En existencias

S/9.81

S/6.23

S/4.20

S/3.40

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TO-220-3

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1 Channel

800 V

4 A

1.1 Ohms

20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

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63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

SPP06N80C3
Infineon Technologies
1: S/10.04
358En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP06N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP06N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

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358En existencias

S/10.04

S/6.46

S/4.40

S/3.72

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Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

SPP06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.67
85En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP06N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP06N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

85En existencias

S/10.67

S/5.29

S/4.67

S/3.72

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

780 mOhms

20 V

2.1 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

SPP08N80C3
Infineon Technologies
1: S/12.49
114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPP08N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

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114En existencias

S/12.49

S/8.06

S/5.53

S/4.48

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

650 mOhms

20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.01
855En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

855En existencias

S/14.01

S/7.05

S/6.38

S/5.14

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Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
187En existencias
35,000Se espera el 5/08/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD02N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD02N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

187En existencias

35,000Se espera el 5/08/2027

Cinta cortada

S/7.01

S/3.34

S/2.86

S/2.32

Envase tipo carrete

S/1.92

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

2.7 Ohms

20 V

2.1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

SPP11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.27
152En existencias
2,500Se espera el 8/04/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

152En existencias

2,500Se espera el 8/04/2027

S/16.27

S/8.33

S/7.51

S/5.92

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.85
16En existencias
500Se espera el 28/01/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP17N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

16En existencias

500Se espera el 28/01/2027

S/22.85

S/13.66

S/11.05

S/8.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

20 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.89
284En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW17N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW17N80C3FKSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

284En existencias

S/25.89

S/13.31

S/11.25

S/10.35

S/10.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

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N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

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20 V

2.1 V

117 nC

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

SPP11N80C3
Infineon Technologies
1: S/15.92
1,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

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S/15.92

S/10.39

S/7.55

S/6.31

S/5.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

20 V

2.1 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

SPW11N80C3
Infineon Technologies
1: S/17.40
173Se espera el 15/10/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW11N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

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173Se espera el 15/10/2026

S/17.40

S/11.41

S/8.52

S/7.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.93
240Se espera el 1/10/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW11N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3FKSA1

NRND

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240Se espera el 1/10/2026

S/16.93

S/8.45

S/7.67

S/6.38

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

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