Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Infineon Technologies
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SPD06N80C3ATMA1

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726-SPD06N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Cinta cortada

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S/5.96

S/4.09

S/3.23

S/3.08

Envase tipo carrete

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6 A

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+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

SPP11N80C3
Infineon Technologies
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NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N80C3

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NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

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3,671En existencias

S/14.17

S/9.23

S/7.24

S/6.03

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

SPP08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

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849En existencias

S/11.76

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8 A

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- 20 V, 20 V

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104 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA06N80C3
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
SPA06N80C3

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726-SPA06N80C3

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Infineon Technologies
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S/4.59

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Infineon Technologies
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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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Infineon Technologies
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533En existencias
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NRND

Infineon Technologies

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533En existencias

S/12.14

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

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S/18.96

S/15.18

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
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23,407En existencias
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SPD02N80C3ATMA1

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NRND

Infineon Technologies

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Envase tipo carrete

S/1.85

Ver

MouseReel Disponible

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- 20 V, 20 V

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42 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

SPP08N80C3
Infineon Technologies
1: S/11.64
130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPP08N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

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130En existencias

S/11.64

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S/5.37

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S/3.88

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8 A

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/61.07
54En existencias
240Se espera el 18/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SPW55N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW55N80C3FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

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54En existencias

240Se espera el 18/05/2026

S/61.07

S/37.87

S/34.14

Min.: 1
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800 V

54.9 A

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- 20 V, 20 V

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500 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.03
487En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPA06N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA06N80C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

Hoja de datos

487En existencias

S/9.03

S/4.83

S/4.36

S/3.48

S/3.35

Min.: 1
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800 V

6 A

780 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

41 nC

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+ 150 C

39 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.20
377En existencias
500Se espera el 26/05/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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377En existencias

500Se espera el 26/05/2026

S/13.20

S/6.81

S/6.15

S/4.94

S/4.55

Min.: 1
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TO-220FP-3

N-Channel

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11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

SPP04N80C3
Infineon Technologies
1: S/8.68
888En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP04N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP04N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

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888En existencias

S/8.68

S/5.57

S/3.84

S/3.25

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

SPP04N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.14
42En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP04N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP04N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

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42En existencias

S/8.14

S/3.97

S/3.53

S/2.81

S/2.58

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

SPP11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.60
840En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

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840En existencias

S/14.60

S/7.59

S/6.89

S/5.57

S/5.25

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

SPW11N80C3
Infineon Technologies
1: S/15.57
35En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW11N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

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35En existencias

S/15.57

S/10.20

S/7.51

S/6.66

S/5.92

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

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800 V

11 A

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- 20 V, 20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.15
255En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW11N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

255En existencias

S/16.15

S/9.03

S/7.36

S/6.15

S/5.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.24
257En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW17N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW17N80C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

257En existencias

S/23.24

S/12.77

S/10.59

S/9.65

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

SPP06N80C3
Infineon Technologies
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366En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP06N80C3

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

366En existencias

S/9.42

S/6.03

S/4.13

S/3.41

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

SPP06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.95
497En existencias
3Se espera el 18/05/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP06N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP06N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

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497En existencias

3Se espera el 18/05/2026

S/8.95

S/4.40

S/3.45

S/3.14

S/2.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

780 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.11
302En existencias
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SPP17N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3XKSA1

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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S/19.11

S/9.96

S/9.07

S/8.29

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA08N80C3
Infineon Technologies
1: S/12.57
168En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA08N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA08N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

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S/12.57

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S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

560 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3
Infineon Technologies
1: S/20.01
108En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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S/20.01

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S/10.74

S/9.11

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Mult.: 1

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TO-220-3

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800 V

17 A

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

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