Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.69
3,646En existencias
NRND

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SPD06N80C3ATMA1

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726-SPD06N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Cinta cortada

S/9.69

S/6.03

S/4.24

S/3.58

Envase tipo carrete

S/2.95

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA06N80C3
Infineon Technologies
1: S/10.78
2,241En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SPA06N80C3

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726-SPA06N80C3

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

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S/10.78

S/6.97

S/4.79

S/3.87

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

780 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

SPP08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.46
833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPP08N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

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S/12.46

S/7.24

S/5.53

S/4.13

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

560 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.95
1,351En existencias
NRND

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SPD04N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N80C3ATMA1

NRND

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Cinta cortada

S/8.95

S/4.98

S/3.66

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.68

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/67.96
284En existencias

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SPW55N80C3FKSA1

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726-SPW55N80C3FKSA1

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S/67.96

S/45.78

S/39.28

S/34.80

S/33.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

54.9 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

288 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.82
485En existencias
NRND

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SPA08N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA08N80C3XKSA1

NRND

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S/13.82

S/7.90

S/6.19

S/5.14

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

560 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB17N80C3
Infineon Technologies
1: S/20.55
1,055En existencias
NRND

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SPB17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB17N80C3

NRND

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Cinta cortada

S/20.55

S/13.47

S/10.04

S/8.41

Envase tipo carrete

S/7.79

S/7.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB17N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.09
863En existencias
NRND

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SPB17N80C3ATMA1

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726-SPB17N80C3ATMA1

NRND

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S/20.09

S/13.35

S/10.00

S/8.45

Envase tipo carrete

S/7.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.06
255En existencias
NRND

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SPW11N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3FKSA1

NRND

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S/18.06

S/10.08

S/7.98

S/7.08

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

SPW17N80C3
Infineon Technologies
1: S/25.42
211En existencias
NRND

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SPW17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW17N80C3

NRND

Infineon Technologies

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S/25.42

S/16.66

S/12.26

S/10.86

S/9.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.67
387En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPA06N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA06N80C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

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387En existencias

S/10.67

S/6.31

S/5.22

S/4.20

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

780 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.43
8,402En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD02N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD02N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Cinta cortada

S/7.43

S/4.67

S/3.08

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.99

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

2.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

SPP08N80C3
Infineon Technologies
1: S/12.49
116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPP08N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

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S/12.49

S/8.06

S/5.53

S/4.48

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

650 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

SPP04N80C3
Infineon Technologies
1: S/9.38
885En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP04N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP04N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

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885En existencias

S/9.38

S/5.96

S/4.05

S/3.25

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

SPP04N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.65
42En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP04N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP04N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

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S/9.65

S/5.25

S/4.16

S/3.29

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

SPP06N80C3
Infineon Technologies
1: S/10.04
366En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP06N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP06N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

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366En existencias

S/10.04

S/6.46

S/4.40

S/3.72

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

SPP06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
488En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP06N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP06N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

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488En existencias

S/10.35

S/5.76

S/4.55

S/3.79

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

780 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

SPW11N80C3
Infineon Technologies
1: S/16.66
35En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW11N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

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35En existencias

S/16.66

S/10.90

S/8.14

S/6.77

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.76
44En existencias
240Se espera el 20/07/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW17N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW17N80C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

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44En existencias

240Se espera el 20/07/2026

S/24.76

S/13.43

S/11.29

S/10.55

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.17
855En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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855En existencias

S/14.17

S/8.06

S/6.46

S/5.41

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

SPP11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.22
538En existencias
1,000Se espera el 12/11/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

538En existencias

1,000Se espera el 12/11/2026

S/15.22

S/8.99

S/7.24

S/6.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.54
292En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP17N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

292En existencias

S/22.54

S/13.31

S/10.59

S/9.54

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA08N80C3
Infineon Technologies
1: S/13.66
166En existencias
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SPA08N80C3

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726-SPA08N80C3

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

560 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3
Infineon Technologies
1: S/22.81
7En existencias
NRND

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SPP17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N80C3
Infineon Technologies
1: S/13.78
748Se espera el 13/08/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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748Se espera el 13/08/2026

S/13.78

S/8.95

S/6.31

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1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

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34 W

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