Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SPD02N80C3ATMA1

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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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40,949En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.69

S/2.11

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

SPP11N80C3
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

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3,993En existencias

S/14.13

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S/7.20

S/6.03

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

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2,289En existencias

S/8.02

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
SPP08N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

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Infineon Technologies
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S/5.29

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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
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NRND

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SPD06N80C3ATMA1

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726-SPD06N80C3ATMA1

NRND

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Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

SPP04N80C3
Infineon Technologies
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NRND

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SPP04N80C3

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NRND

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S/6.46

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S/3.83

S/3.25

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

SPP08N80C3
Infineon Technologies
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132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPP08N80C3

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726-SPP08N80C3

Infineon Technologies

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132En existencias

S/9.30

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA08N80C3
Infineon Technologies
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414En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA08N80C3

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726-SPA08N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

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414En existencias

S/10.12

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N80C3
Infineon Technologies
1: S/12.61
42En existencias
500Se espera el 2/04/2026
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N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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42En existencias

500Se espera el 2/04/2026

S/12.61

S/8.21

S/6.31

S/5.25

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11 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

SPP04N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.14
42En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP04N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

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42En existencias

S/8.14

S/3.93

S/3.53

S/2.81

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TO-220-3

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1 Channel

800 V

4 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

SPP11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.30
23En existencias
2,500Se espera el 23/02/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

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23En existencias

2,500Se espera el 23/02/2026

S/12.30

S/6.89

S/6.31

S/4.75

S/4.55

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

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11 A

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- 20 V, 20 V

2.1 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

SPW11N80C3
Infineon Technologies
1: S/12.69
60En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW11N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

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60En existencias

S/12.69

S/9.26

S/7.47

S/6.66

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TO-247-3

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1 Channel

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11 A

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2.1 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.87
31En existencias
240Se espera el 28/01/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW11N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

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31En existencias

240Se espera el 28/01/2027

S/14.87

S/7.08

S/6.19

S/6.15

Ver

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

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+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

SPW17N80C3
Infineon Technologies
1: S/19.73
233En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW17N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

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233En existencias

S/19.73

S/16.27

S/13.16

S/13.12

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

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- 20 V, 20 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.78
276En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW17N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW17N80C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

276En existencias

S/16.78

S/12.07

S/10.04

S/8.52

S/8.41

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

117 nC

- 55 C

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

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Infineon Technologies
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500Se espera el 30/04/2026
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N.º de artículo del Fabricante
SPP06N80C3

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

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70En existencias

500Se espera el 30/04/2026

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Min.: 1
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1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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Infineon Technologies
1: S/18.72
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N.º de artículo del Fabricante
SPP17N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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348En existencias

S/18.72

S/18.65

S/8.41

S/7.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3
Infineon Technologies
1: S/13.04
508En existencias
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SPP17N80C3

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726-SPP17N80C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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S/13.04

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S/10.67

S/9.03

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Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

SPP06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.07
1En existencias
NRND

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SPP06N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP06N80C3XKSA1

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

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S/6.07

S/3.54

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S/3.00

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Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

780 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
387Se espera el 16/02/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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387Se espera el 16/02/2026

S/12.77

S/6.42

S/6.11

S/4.67

S/3.97

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

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