Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (R_DS(ON)), low input capacitance (C_iss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Q_g). E series MOSFETs are available in 800V_DS high-voltage variants with drain current (I_D) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET

SIHP6N80E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.02
677En existencias

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SIHP6N80E-BE3

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78-SIHP6N80E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET

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S/11.02

S/5.06

S/4.75

S/4.28

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.4 A

820 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET

SIHA21N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.75
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA21N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA21N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET

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S/14.75

S/7.47

S/6.77

S/5.57

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7.5 A

205 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 155 C

33 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 24A N-CH MOSFET

SIHB24N65EFT1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/25.03
2,819En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB24N65EFT1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB24N65EFT1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 24A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/25.03

S/17.56

S/12.88

Envase tipo carrete

S/10.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D²PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK045N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/36.78
490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK045N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK045N60E-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Cinta cortada

S/36.78

S/26.08

S/21.72

S/20.71

S/18.33

Envase tipo carrete

S/14.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPak-9

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

SIHB24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.35
262En existencias
1,000Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHB24N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB24N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

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S/13.35

S/8.21

S/7.82

S/6.46

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Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-4

N-Channel

1 Channel

800 V

21 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

59 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

SIHA24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.98
685En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA24N80AE-GE3

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78-SIHA24N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

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S/10.98

S/7.63

S/7.51

S/6.66

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

59 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK125N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/23.43
3,759En existencias

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SIHK125N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK125N60E-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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S/23.43

S/15.73

S/11.33

S/11.21

S/10.78

Envase tipo carrete

S/9.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPak-9

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 23A N-CH MOSFET

SIHP23N60E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.27
40En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP23N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP23N60E-BE3

Vishay / Siliconix

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S/16.27

S/7.32

S/6.93

S/6.27

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

158 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 26A N-CH MOSFET

SIHP25N50E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.66
45En existencias
3,000Se espera el 3/07/2026

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SIHP25N50E-BE3

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78-SIHP25N50E-BE3

Vishay / Siliconix

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S/16.66

S/8.52

S/7.55

S/6.23

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

26 A

145 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHB24N65EFT5-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/24.64
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SIHB24N65EFT5-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB24N65EFT5-GE3

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S/13.58

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHG28N65E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/26.55
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SIHG28N65E-GE3

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78-SIHG28N65E-GE3

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Vishay Semiconductors

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S/26.55

S/19.42

S/15.73

S/13.97

S/11.95

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Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET

SIHP15N60E-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP15N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP15N60E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET

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S/5.76

S/5.64

S/5.57

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHP33N60E-E3
Vishay Semiconductors
1: S/22.27
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SIHP33N60E-E3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP33N60E-E3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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S/22.27

S/17.83

S/14.40

S/12.81

S/10.98

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 32A N-CH MOSFET

SIHP35N60E-BE3
Vishay / Siliconix
1,000: S/12.14
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP35N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP35N60E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 32A N-CH MOSFET

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S/12.14

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

32 A

82 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

132 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Reel

E Series High Voltage MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.9 A
4.3 A
5.4 A
7 A
7.5 A
8 A
9 A
10.5 A
12 A
13 A
14.5 A
15 A
17.4 A
19 A
20 A
21 A
23 A
24 A
25 A
26 A

1.2 mOhms
49 mOhms
56 mOhms
82 mOhms
125 mOhms
127 mOhms
145 mOhms
156 mOhms
158 mOhms
180 mOhms
184 mOhms
205 mOhms
243 mOhms
250 mOhms
269 mOhms
280 mOhms
304 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
600 mOhms

7 nC
28 nC
29 nC
32 nC
35 nC
40 nC
41 nC
44 nC
46 nC
48 nC
50 nC
54 nC
59 nC
64 nC
65 nC
66 nC
75 nC
78 nC
81 nC
86 nC