E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (RDS(ON)), low input capacitance (Ciss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Qg). E series MOSFETs are available in 800VDS high-voltage variants with drain current (ID) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.  

Resultados: 39
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
Hoja de datos
682En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 8A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 800V 8A N-CH MOSFET
Hoja de datos
4,778En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
9,550En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17.4 A 205 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 155 C 32 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 26A N-CH MOSFET
Hoja de datos
Comentarios de Producto
1,023En existencias
4,000Se espera el 12/03/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
Hoja de datos
211En existencias
2,000Se espera el 31/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel 1 Channel 800 V 21 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 8A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,038En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 23A N-CH MOSFET
Hoja de datos
Comentarios de Producto
40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 95 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET
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Comentarios de Producto
277En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.4 A 820 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
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No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
Si

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
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Min.: 500
Mult.: 500
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 32A N-CH MOSFET
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Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel