Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (R_DS(ON)), low input capacitance (C_iss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Q_g). E series MOSFETs are available in 800V_DS high-voltage variants with drain current (I_D) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.

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Resultados: 39

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET

SIHP4N80E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.72
25,427En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP4N80E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP4N80E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/11.72

S/6.27

S/4.71

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.80

S/3.78

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Mult.: 1

: 1,000

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4.3 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK045N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/38.38
2,363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK045N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK045N60E-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Cinta cortada

S/38.38

S/26.04

S/20.63

S/19.42

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Envase tipo carrete

S/17.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

PowerPak-9

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET

SIHA21N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.80
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA21N80AE-GE3

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78-SIHA21N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET

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S/15.80

S/10.35

S/7.75

S/6.46

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Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7.5 A

205 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 155 C

33 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET

SIHU2N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
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SIHU2N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHU2N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET

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S/7.79

S/4.83

S/3.16

S/2.49

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TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.9 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

7 nC

- 55 C

+ 155 C

62.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7A N-CH MOSFET

SIHA17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.48
1,467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA17N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7A N-CH MOSFET

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S/14.48

S/9.46

S/6.62

S/5.37

S/5.06

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

41 nC

- 55 C

+ 155 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 13A N-CH MOSFET

SIHP14N60E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.03
1,361En existencias

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SIHP14N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP14N60E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 13A N-CH MOSFET

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S/12.03

S/5.99

S/5.41

S/4.59

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

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- 30 V, 30 V

4 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

147 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET

SIHP15N50E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.41
2,428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP15N50E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP15N50E-BE3

Vishay / Siliconix

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S/11.41

S/5.64

S/4.59

S/4.05

S/4.01

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

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14.5 A

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4 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

SIHP17N80E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/24.64
3,906En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP17N80E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP17N80E-BE3

Vishay / Siliconix

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S/24.64

S/12.92

S/10.67

S/9.93

S/9.85

Min.: 1
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TO-220-3

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1 Channel

800 V

15 A

250 mOhms

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+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 15A N-CH MOSFET

SIHB17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.29
9,479En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB17N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 15A N-CH MOSFET

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S/14.29

S/7.55

S/6.54

S/5.49

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Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

15 A

250 mOhms

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41 nC

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+ 155 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 24A N-CH MOSFET

SIHB24N65EFT1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/27.83
2,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB24N65EFT1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB24N65EFT1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 24A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/27.83

S/18.76

S/13.62

S/12.22

Envase tipo carrete

S/12.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D²PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 12A N-CH MOSFET

SIHP11N80E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.52
1,931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP11N80E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP11N80E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 12A N-CH MOSFET

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S/17.52

S/9.03

S/8.21

S/7.63

S/7.16

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

SIHP12N60E-BE3
Vishay
1: S/14.17
3,912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP12N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP12N60E-BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

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S/14.17

S/6.93

S/5.68

S/4.94

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

380 mOhms

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4 V

29 nC

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+ 150 C

147 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

SIHP17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.64
1,807En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP17N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

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S/14.64

S/7.40

S/6.70

S/5.45

S/5.14

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

15 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

41 nC

- 55 C

+ 155 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET

SIHG17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.09
1,561En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG17N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET

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S/17.09

S/9.69

S/7.94

S/7.20

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

15 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

41 nC

- 55 C

+ 155 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET

SIHP15N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.97
1,681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP15N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP15N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET

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1,681En existencias

S/13.97

S/7.05

S/6.58

S/5.53

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

304 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 155 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET

SIHP22N60AE-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.29
3,573En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP22N60AE-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP22N60AE-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET

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3,573En existencias

S/18.29

S/9.46

S/8.60

S/8.10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

SIR608DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.90
3,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR608DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR608DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

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3,177En existencias

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S/10.90

S/6.73

S/4.83

S/3.93

S/3.63

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S/3.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

45 V

208 A

1.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

167 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8A N-CH MOSFET

SIHA22N60AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.07
1,643En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA22N60AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA22N60AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8A N-CH MOSFET

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1,643En existencias

Cinta cortada

S/19.07

S/12.61

S/8.95

S/7.82

Envase tipo carrete

S/7.79

S/7.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 19A N-CH MOSFET

SIHA20N50E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.18
2,002En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA20N50E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA20N50E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 19A N-CH MOSFET

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2,002En existencias

S/15.18

S/9.93

S/6.97

S/5.72

S/5.41

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Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

500 V

19 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET

SIHP25N60EFL-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/21.76
1,611En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP25N60EFL-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP25N60EFL-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET

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S/21.76

S/11.44

S/10.43

S/10.04

S/9.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

127 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET

SIHP7N60E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.02
5,512En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP7N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP7N60E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET

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5,512En existencias

S/11.02

S/6.70

S/4.90

S/4.05

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

609 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

SIHA24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.41
682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA24N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA24N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

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682En existencias

S/18.41

S/12.77

S/9.54

S/7.98

S/7.01

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

59 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK125N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/25.07
3,734En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK125N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK125N60E-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Hoja de datos

3,734En existencias

Cinta cortada

S/25.07

S/16.82

S/12.11

S/11.21

S/10.78

Envase tipo carrete

S/10.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPak-9

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK055N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/39.00
2,114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK055N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK055N60E-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Hoja de datos

2,114En existencias

Cinta cortada

S/39.00

S/26.74

S/20.12

S/19.07

Envase tipo carrete

S/19.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPak-9

N-Channel

1 Channel

600 V

42 A

56 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

236 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

SIHG24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.86
618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG24N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG24N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

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Hoja de datos

618En existencias

S/20.86

S/11.99

S/9.89

S/9.46

S/8.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

800 V

21 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

59 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

E Series High Voltage MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.9 A
4.3 A
5.4 A
7 A
7.5 A
8 A
9 A
10.5 A
12 A
13 A
14.5 A
15 A
17.4 A
19 A
20 A
21 A
23 A
24 A
25 A
26 A

1.2 mOhms
49 mOhms
56 mOhms
82 mOhms
125 mOhms
127 mOhms
145 mOhms
156 mOhms
158 mOhms
180 mOhms
184 mOhms
205 mOhms
243 mOhms
250 mOhms
269 mOhms
280 mOhms
304 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
600 mOhms

7 nC
28 nC
29 nC
32 nC
35 nC
40 nC
41 nC
44 nC
46 nC
48 nC
50 nC
54 nC
59 nC
64 nC
65 nC
66 nC
75 nC
78 nC
81 nC
86 nC