Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (R_DS(ON)), low input capacitance (C_iss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Q_g). E series MOSFETs are available in 800V_DS high-voltage variants with drain current (I_D) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.

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Resultados: 39

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET

SIHP4N80E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.73
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SIHP4N80E-BE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET

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S/4.24

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TO-220-3

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1 Channel

800 V

4.3 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 15A N-CH MOSFET

SIHB17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.08
9,673En existencias

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SIHB17N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 15A N-CH MOSFET

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S/13.08

S/7.05

S/6.38

S/5.22

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800 V

15 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

41 nC

- 55 C

+ 155 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

SIHP12N60E-BE3
Vishay
1: S/11.64
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SIHP12N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP12N60E-BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

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S/11.64

S/5.29

S/4.98

S/4.44

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+ 150 C

147 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

SIHP17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.66
1,837En existencias

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SIHP17N80AE-GE3

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78-SIHP17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

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S/13.66

S/6.89

S/6.23

S/5.10

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800 V

15 A

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179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 800V 8A N-CH MOSFET

SIHD11N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.85
8,105En existencias

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SIHD11N80AE-GE3

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78-SIHD11N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 800V 8A N-CH MOSFET

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S/9.85

S/4.55

S/4.13

S/3.46

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78 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET

SIHU2N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHU2N80AE-GE3

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78-SIHU2N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

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S/3.84

S/2.55

S/2.01

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7 nC

- 55 C

+ 155 C

62.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7A N-CH MOSFET

SIHA17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.05
1,467En existencias

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SIHA17N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

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S/11.05

S/7.55

S/6.15

S/5.02

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET

SIHB21N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.10
9,560En existencias

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SIHB21N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB21N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

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S/15.10

S/9.89

S/7.01

S/5.72

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4 V

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+ 155 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 8A N-CH MOSFET

SIHG11N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.04
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SIHG11N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG11N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 8A N-CH MOSFET

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S/13.04

S/8.80

S/6.15

S/5.76

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800 V

8 A

450 mOhms

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28 nC

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+ 150 C

78 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 13A N-CH MOSFET

SIHP14N60E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.03
1,477En existencias

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SIHP14N60E-BE3

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78-SIHP14N60E-BE3

Vishay / Siliconix

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S/12.03

S/5.99

S/5.41

S/4.40

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+ 150 C

147 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET

SIHP15N50E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.41
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SIHP15N50E-BE3

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78-SIHP15N50E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET

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S/11.41

S/4.71

S/4.40

S/3.93

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+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

SIHP17N80E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.63
3,916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP17N80E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP17N80E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

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S/17.63

S/9.15

S/8.99

S/8.87

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208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8A N-CH MOSFET

SIHA22N60AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.79
1,643En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA22N60AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA22N60AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/17.79

S/11.76

S/8.37

S/7.75

Envase tipo carrete

S/7.01

S/6.31

MouseReel Disponible

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N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

48 nC

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33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 19A N-CH MOSFET

SIHA20N50E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.17
2,010En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA20N50E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA20N50E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 19A N-CH MOSFET

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2,010En existencias

S/14.17

S/9.30

S/6.50

S/5.72

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N-Channel

1 Channel

500 V

19 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET

SIHP25N60EFL-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.01
1,612En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP25N60EFL-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP25N60EFL-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET

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S/20.01

S/10.39

S/9.85

S/8.68

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

127 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET

SIHP7N60E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.02
5,512En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP7N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP7N60E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET

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S/11.02

S/5.61

S/4.52

S/3.97

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

609 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET

SIHG17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.96
1,578En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG17N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET

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S/15.96

S/9.07

S/7.40

S/6.03

S/5.45

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

15 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

41 nC

- 55 C

+ 155 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET

SIHP15N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.63
1,695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP15N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP15N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET

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1,695En existencias

S/7.63

S/6.58

S/5.53

S/4.71

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

304 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 155 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET

SIHP22N60AE-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.57
3,573En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP22N60AE-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP22N60AE-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET

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S/15.57

S/7.86

S/7.32

S/6.66

S/6.54

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

SIR608DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.26
3,287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR608DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR608DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

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S/9.26

S/5.99

S/4.09

S/3.28

Envase tipo carrete

S/2.71

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

45 V

208 A

1.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

167 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 12A N-CH MOSFET

SIHP11N80E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.24
1,931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP11N80E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP11N80E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 12A N-CH MOSFET

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S/17.24

S/8.80

S/8.21

S/6.77

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 8A N-CH MOSFET

SIHB11N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.37
970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB11N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB11N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 8A N-CH MOSFET

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S/11.37

S/7.36

S/5.10

S/4.13

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

SIHG24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.50
628En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG24N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG24N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

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628En existencias

S/19.50

S/11.21

S/10.35

S/9.23

S/7.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

800 V

21 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

59 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET

SIHP12N50E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.33
1,582En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP12N50E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP12N50E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET

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S/8.33

S/3.97

S/3.76

S/3.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

10.5 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK055N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/36.39
2,139En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK055N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK055N60E-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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2,139En existencias

Cinta cortada

S/36.39

S/24.99

S/20.12

S/19.03

Envase tipo carrete

S/17.94

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPak-9

N-Channel

1 Channel

600 V

42 A

56 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

236 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

E Series High Voltage MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.9 A
4.3 A
5.4 A
7 A
7.5 A
8 A
9 A
10.5 A
12 A
13 A
14.5 A
15 A
17.4 A
19 A
20 A
21 A
23 A
24 A
25 A
26 A

1.2 mOhms
49 mOhms
56 mOhms
82 mOhms
125 mOhms
127 mOhms
145 mOhms
156 mOhms
158 mOhms
180 mOhms
184 mOhms
205 mOhms
243 mOhms
250 mOhms
269 mOhms
280 mOhms
304 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
600 mOhms

7 nC
28 nC
29 nC
32 nC
35 nC
40 nC
41 nC
44 nC
46 nC
48 nC
50 nC
54 nC
59 nC
64 nC
65 nC
66 nC
75 nC
78 nC
81 nC
86 nC