Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET

SIHP4N80E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.72
25,529En existencias

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SIHP4N80E-BE3

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78-SIHP4N80E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/11.72

S/6.31

S/4.75

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.78

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: 1,000

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4.3 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 8A N-CH MOSFET

SIHB11N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.14
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SIHB11N80AE-GE3

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78-SIHB11N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 8A N-CH MOSFET

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S/12.14

S/7.90

S/5.45

S/4.40

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET

SIHA21N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.80
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SIHA21N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA21N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET

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S/15.80

S/10.35

S/7.75

S/6.46

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Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7.5 A

205 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 155 C

33 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

SIHB24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.98
1,182En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB24N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB24N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

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S/17.98

S/9.23

S/8.37

S/7.71

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SMD/SMT

TO-263-4

N-Channel

1 Channel

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21 A

184 mOhms

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+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8A N-CH MOSFET

SIHA22N60AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.07
1,643En existencias

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SIHA22N60AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA22N60AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/19.07

S/12.61

S/8.95

S/8.37

Envase tipo carrete

S/7.79

S/7.32

MouseReel Disponible

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1 Channel

600 V

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- 30 V, 30 V

4 V

48 nC

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+ 150 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7A N-CH MOSFET

SIHA17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.48
1,467En existencias

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SIHA17N80AE-GE3

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78-SIHA17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7A N-CH MOSFET

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S/14.48

S/9.46

S/6.62

S/5.37

S/5.02

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N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

41 nC

- 55 C

+ 155 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 13A N-CH MOSFET

SIHP14N60E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.88
1,467En existencias

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SIHP14N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP14N60E-BE3

Vishay / Siliconix

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S/6.42

S/5.80

S/4.71

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TO-220-3

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13 A

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64 nC

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+ 150 C

147 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET

SIHP15N50E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.22
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SIHP15N50E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP15N50E-BE3

Vishay / Siliconix

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S/12.22

S/5.80

S/4.75

S/4.09

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.5 A

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- 30 V, 30 V

4 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

SIHP17N80E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/24.64
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SIHP17N80E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP17N80E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

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S/24.64

S/12.96

S/10.70

S/9.96

S/9.81

Min.: 1
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800 V

15 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

122 nC

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+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 19A N-CH MOSFET

SIHA20N50E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.18
2,002En existencias

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SIHA20N50E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA20N50E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 19A N-CH MOSFET

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S/15.18

S/9.93

S/6.97

S/5.72

S/5.37

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N-Channel

1 Channel

500 V

19 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

46 nC

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+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET

SIHP25N60EFL-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.28
1,611En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP25N60EFL-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP25N60EFL-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET

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S/23.28

S/12.22

S/10.86

S/9.58

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

127 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET

SIHP7N60E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.76
5,512En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP7N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP7N60E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET

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5,512En existencias

S/11.76

S/6.77

S/5.22

S/4.24

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Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

609 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET

SIHG17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.09
1,561En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG17N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET

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1,561En existencias

S/17.09

S/9.69

S/7.94

S/7.20

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

15 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

41 nC

- 55 C

+ 155 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET

SIHP15N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.63
1,695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP15N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP15N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET

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1,695En existencias

S/7.63

S/6.85

S/6.58

S/5.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

304 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 155 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET

SIHP22N60AE-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.58
3,573En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP22N60AE-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP22N60AE-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET

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3,573En existencias

S/19.58

S/10.12

S/8.99

S/7.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

SIR608DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.16
3,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR608DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR608DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

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3,177En existencias

Cinta cortada

S/10.16

S/5.96

S/4.32

S/3.66

S/3.43

Envase tipo carrete

S/3.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

45 V

208 A

1.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

167 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 15A N-CH MOSFET

SIHB17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.13
9,714En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB17N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 15A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

9,714En existencias

S/14.13

S/7.55

S/6.15

S/5.25

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

15 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

41 nC

- 55 C

+ 155 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 24A N-CH MOSFET

SIHB24N65EFT1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/27.83
2,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB24N65EFT1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB24N65EFT1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 24A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

2,800En existencias

Cinta cortada

S/27.83

S/18.76

S/13.62

S/12.18

Envase tipo carrete

S/12.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D²PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

SIHP12N60E-BE3
Vishay
1: S/14.17
3,912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP12N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP12N60E-BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

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Comentarios de Producto

3,912En existencias

S/14.17

S/6.97

S/5.72

S/4.94

S/4.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

147 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

SIHP17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.64
1,817En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP17N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

1,817En existencias

S/14.64

S/7.40

S/6.70

S/5.45

S/5.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

15 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

41 nC

- 55 C

+ 155 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET

SIHU2N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
5,586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHU2N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHU2N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

5,586En existencias

S/7.79

S/4.83

S/3.16

S/2.49

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.9 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

7 nC

- 55 C

+ 155 C

62.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

SIHG24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.86
618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG24N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG24N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

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Hoja de datos

618En existencias

S/20.86

S/11.99

S/9.89

S/9.46

S/8.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

800 V

21 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

59 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET

SIHP12N50E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.70
1,577En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP12N50E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP12N50E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET

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S/5.02

S/4.09

S/3.47

S/3.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

10.5 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET

SIHP6N80E-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP6N80E-BE3

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78-SIHP6N80E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET

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S/13.16

S/6.54

S/5.33

S/4.63

S/4.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.4 A

820 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

SIHA24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.20
682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA24N80AE-GE3

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78-SIHA24N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

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S/8.87

S/8.06

S/7.98

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

59 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.9 A
4.3 A
5.4 A
7 A
7.5 A
8 A
9 A
10.5 A
12 A
13 A
14.5 A
15 A
17.4 A
19 A
20 A
21 A
23 A
24 A
25 A
26 A

1.2 mOhms
49 mOhms
56 mOhms
82 mOhms
125 mOhms
127 mOhms
145 mOhms
156 mOhms
158 mOhms
180 mOhms
184 mOhms
205 mOhms
243 mOhms
250 mOhms
269 mOhms
280 mOhms
304 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
600 mOhms

7 nC
28 nC
29 nC
32 nC
35 nC
40 nC
41 nC
44 nC
46 nC
48 nC
50 nC
54 nC
59 nC
64 nC
65 nC
66 nC
75 nC
78 nC
81 nC
86 nC