Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs

ROHM Semiconductor 600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs utilize original patented technology to accelerate the parasitic diode, achieving ultra-fast reverse recovery characteristics to achieve low power consumption. The PrestoMOS design enables a reduction in power loss of about 58% at light loads when compared with IGBT implementations. Additionally, raising the reference voltage needed to turn ON the MOSFET prevents self-turn-ON, which is one of the main causes of loss. The optimized built-in parasitic diode improves the soft recovery index specific to Super Junction MOSFETs, which reduces noise that can lead to malfunction.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 14

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

R6020YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/9.50
2,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6020YNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6020YNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,029En existencias

S/9.50

S/5.64

S/5.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

185 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

62 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

R6035VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/10.59
1,959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6035VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6035VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,959En existencias

S/10.59

S/9.11

S/9.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

114 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET

R6013VND3TL1
ROHM Semiconductor
2,500: S/5.18
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6013VND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6013VND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

5,000En existencias

Envase tipo carrete

S/5.18

S/5.06

Presupuesto

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

131 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 10A N-CH MOSFET

R6018VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/13.86
1,963En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6018VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6018VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 10A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,963En existencias

S/13.86

S/8.02

S/7.63

S/6.27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

204 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

61 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 39A N-CH MOSFET

R6013VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/7.08
1,904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6013VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6013VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 39A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,904En existencias

S/7.08

S/5.41

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 42A N-CH MOSFET

R6014YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/9.03
2,025En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6014YNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6014YNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 42A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,025En existencias

S/9.03

S/5.80

S/5.72

S/5.68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/30.09
1,153En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6055VNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6055VNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 165A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,153En existencias

S/30.09

S/22.97

S/22.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

55 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

543 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 231A N-CH MOSFET

R6077VNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/50.49
1,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6077VNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6077VNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 231A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,190En existencias

S/50.49

S/31.06

S/31.02

S/30.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

77 A

51 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

781 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/17.40
2,042En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6055VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6055VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,042En existencias

S/17.40

S/14.91

S/14.87

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/25.89
567En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6055VNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6055VNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 165A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

567En existencias

S/25.89

S/22.11

S/21.41

S/21.25

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

99 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

R6024VNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/23.63
2,003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024VNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6024VNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,003En existencias

S/23.63

S/12.49

S/11.44

S/9.54

S/9.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

153 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

R6024VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/18.29
1,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6024VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,969En existencias

S/18.29

S/11.05

S/10.16

S/8.45

S/8.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

153 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover

R6077VNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/52.82
720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6077VNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6077VNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover

Obtenga más información

Hoja de datos

720En existencias

S/52.82

S/39.43

S/34.14

S/32.27

S/30.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

51 Ohms

- 30 V, 30 V

6.5 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

R6035VNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/28.53
1,000Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
R6035VNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6035VNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,000Se espera el 9/07/2026

S/28.53

S/20.12

S/16.78

S/14.95

S/14.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

114 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

347 W

Enhancement

Tube

600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte