Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs

ROHM Semiconductor 600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs utilize original patented technology to accelerate the parasitic diode, achieving ultra-fast reverse recovery characteristics to achieve low power consumption. The PrestoMOS design enables a reduction in power loss of about 58% at light loads when compared with IGBT implementations. Additionally, raising the reference voltage needed to turn ON the MOSFET prevents self-turn-ON, which is one of the main causes of loss. The optimized built-in parasitic diode improves the soft recovery index specific to Super Junction MOSFETs, which reduces noise that can lead to malfunction.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 14

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 39A N-CH MOSFET

R6013VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/10.67
1,893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6013VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6013VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 39A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

1,893En existencias

S/10.67

S/7.51

S/6.77

S/6.54

S/6.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/26.86
2,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6055VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6055VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET

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2,015En existencias

S/26.86

S/19.89

S/18.22

S/17.67

S/17.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET

R6013VND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/10.12
5,047En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6013VND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6013VND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET

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5,047En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.97

S/5.92

S/5.80

S/5.68

Envase tipo carrete

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

131 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/38.57
567En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6055VNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6055VNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 165A N-CH MOSFET

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567En existencias

S/38.57

S/27.64

S/25.53

S/24.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

99 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 10A N-CH MOSFET

R6018VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/16.39
1,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6018VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6018VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 10A N-CH MOSFET

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1,950En existencias

S/16.39

S/10.78

S/9.19

S/7.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

204 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

61 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover

R6077VNZC17
ROHM Semiconductor
1: S/51.61
700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6077VNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6077VNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover

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700En existencias

S/51.61

S/32.50

S/32.27

S/30.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

51 Ohms

- 30 V, 30 V

6.5 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 42A N-CH MOSFET

R6014YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/15.49
2,025En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6014YNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6014YNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 42A N-CH MOSFET

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2,025En existencias

S/15.49

S/10.32

S/8.41

S/6.97

S/6.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

R6035VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/21.45
1,933En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6035VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6035VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

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1,933En existencias

S/21.45

S/12.61

S/11.52

S/11.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

114 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

R6020YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/16.39
2,019En existencias

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R6020YNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6020YNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

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2,019En existencias

S/16.39

S/8.56

S/7.79

S/6.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

185 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

62 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/44.49
1,113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6055VNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6055VNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 165A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

1,113En existencias

S/44.49

S/31.76

S/27.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

55 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

543 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 231A N-CH MOSFET

R6077VNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/61.00
1,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6077VNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6077VNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 231A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

1,190En existencias

S/61.00

S/39.00

S/35.97

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

77 A

51 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

781 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

R6024VNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/25.26
2,003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024VNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6024VNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

2,003En existencias

S/25.26

S/13.39

S/12.22

S/10.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

153 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

R6024VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/22.77
1,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6024VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

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1,969En existencias

S/22.77

S/11.95

S/10.90

S/9.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

153 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

R6035VNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/29.15
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6035VNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6035VNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

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1,000En existencias

S/29.15

S/15.76

S/15.10

S/14.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

114 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

347 W

Enhancement

Tube

600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs

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