Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.

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Resultados: 38

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5

CSD23285F5T
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CSD23285F5T

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595-CSD23285F5T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5

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S/6.03

S/3.81

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S/2.20

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SMD/SMT

PICOSTAR-3

P-Channel

1 Channel

12 V

3.3 A

80 mOhms

- 6 V, 6 V

950 mV

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

PicoStar

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4T

CSD23381F4
Texas Instruments
1: S/1.25
8,475En existencias

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CSD23381F4

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595-CSD23381F4

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4T

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S/1.25

S/0.743

S/0.479

S/0.366

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S/0.241

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SMD/SMT

PICOSTAR-3

P-Channel

1 Channel

12 V

2.3 A

175 mOhms

- 8 V, 8 V

700 mV

1.14 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4

CSD23381F4T
Texas Instruments
1: S/5.02
1,202En existencias

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CSD23381F4T

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595-CSD23381F4T

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4

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S/2.74

S/1.88

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S/1.88

S/1.41

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12 V

2.3 A

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- 8 V, 8 V

950 mV

1.14 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25480F3T

CSD25480F3
Texas Instruments
1: S/1.32
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CSD25480F3

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595-CSD25480F3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25480F3T

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S/1.32

S/0.806

S/0.506

S/0.374

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S/0.276

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SMD/SMT

PICOSTAR-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.7 A

840 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

700 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

PicoStar

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-channel Femto FET MOSFET A 595-CS A 595-CSD25480F3

CSD25480F3T
Texas Instruments
1: S/5.25
1,250En existencias

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CSD25480F3T

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595-CSD25480F3T

Texas Instruments

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S/5.25

S/3.31

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S/1.90

S/1.61

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20 V

1.7 A

840 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

700 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

PicoStar

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T

CSD25481F4
Texas Instruments
1: S/1.63
9,294En existencias

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CSD25481F4

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595-CSD25481F4

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T

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S/1.63

S/1.14

S/0.712

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20 V

2.5 A

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950 mV

913 pC

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500 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4

CSD25481F4T
Texas Instruments
1: S/4.48
242En existencias
3,000Se espera el 20/02/2026

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S/1.62

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PICOSTAR-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2.5 A

800 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

913 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

FemtoFET

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CSD25483F4
Texas Instruments
1: S/1.67
8,339En existencias

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20 V

1.6 A

1.07 Ohms

- 12 V, 12 V

950 mV

960 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4

CSD25483F4T
Texas Instruments
1: S/3.58
1,825En existencias

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CSD25483F4T

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595-CSD25483F4T

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S/3.58

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S/1.35

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SMD/SMT

PICOSTAR-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.6 A

1.07 Ohms

- 12 V, 12 V

950 mV

960 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T

CSD25484F4
Texas Instruments
1: S/1.67
3,541En existencias

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CSD25484F4

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595-CSD25484F4

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T

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S/1.67

S/1.00

S/0.646

S/0.518

Envase tipo carrete

S/0.385

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SMD/SMT

PICOSTAR-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2.5 A

825 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

1.09 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5T

CSD25485F5
Texas Instruments
1: S/2.41
4,856En existencias

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CSD25485F5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25485F5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5T

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Cinta cortada

S/2.41

S/1.50

S/0.926

S/0.728

Envase tipo carrete

S/0.553

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PICOSTAR-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

250 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

PicoStar

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5

CSD25485F5T
Texas Instruments
1: S/6.23
380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD25485F5T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25485F5T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5

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380En existencias

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S/6.23

S/3.89

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.60

S/2.06

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Mult.: 1

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SMD/SMT

PICOSTAR-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

250 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

PicoStar

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17484 A 595-CSD17484F4

CSD17484F4T
Texas Instruments
1: S/3.11
5,748Se espera el 23/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17484F4T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17484F4T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17484 A 595-CSD17484F4

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Cinta cortada

S/3.11

S/3.09

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.45

S/1.29

S/1.25

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Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3 A

128 mOhms

- 12 V, 12 V

650 mV

920 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

FemtoFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

FemtoFET Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

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Soporte

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27 mOhms
44 mOhms
65 mOhms
67 mOhms
76 mOhms
80 mOhms
109 mOhms
128 mOhms
175 mOhms
180 mOhms
230 mOhms
240 mOhms
250 mOhms
800 mOhms
825 mOhms
840 mOhms
970 mOhms
1.07 Ohms
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