Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247
+1 imagen
NTHL040N65S3F
onsemi
1:
S/72.48
266 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTHL040N65S3F
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247
266 En existencias
1
S/72.48
10
S/44.72
120
S/40.25
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
65 A
40 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
158 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
+1 imagen
NTHL082N65S3F
onsemi
1:
S/46.13
440 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTHL082N65S3F
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
440 En existencias
1
S/46.13
10
S/29.89
120
S/25.92
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
82 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
81 nC
- 55 C
+ 150 C
313 W
Enhancement
SuperFET III
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
+1 imagen
NTHL125N65S3H
onsemi
1:
S/31.49
348 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTHL125N65S3H
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
348 En existencias
1
S/31.49
10
S/16.82
120
S/16.35
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
125 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
171 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220
+1 imagen
NTP165N65S3H
onsemi
1:
S/20.86
1,460 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTP165N65S3H
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220
1,460 En existencias
1
S/20.86
10
S/10.94
100
S/9.96
500
S/9.42
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
19 A
165 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
142 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG
FCPF250N65S3R0L-F154
onsemi
1:
S/17.01
863 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-F250N65S3R0LF154
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG
863 En existencias
1
S/17.01
10
S/9.69
100
S/8.21
500
S/7.32
1,000
Ver
1,000
S/7.28
2,000
S/7.24
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
12 A
250 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
31 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 82MOHM
+1 imagen
NTP082N65S3F
onsemi
1:
S/35.73
2,269 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTP082N65S3F
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 82MOHM
2,269 En existencias
1
S/35.73
10
S/19.73
100
S/19.31
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
70 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
81 nC
- 55 C
+ 150 C
313 W
Enhancement
SuperFET III
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M
NTB190N65S3HF
onsemi
1:
S/24.56
494 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTB190N65S3HF
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M
494 En existencias
1
S/24.56
10
S/15.06
100
S/11.83
500
S/10.32
800
S/8.87
2,400
Ver
2,400
S/8.68
4,800
S/8.56
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
190 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
162 W
Enhancement
SuperFET III
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88
NTMT190N65S3HF
onsemi
1:
S/30.09
960 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTMT190N65S3HF
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88
960 En existencias
1
S/30.09
10
S/18.76
100
S/15.06
500
S/14.71
1,000
S/14.01
3,000
S/12.07
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDFN-4
N-Channel
1 Channel
650 V
16 A
190 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
129 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm, TO247 PKG
+1 imagen
FCH099N65S3-F155
onsemi
1:
S/36.82
301 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FCH099N65S3_F155
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm, TO247 PKG
301 En existencias
1
S/36.82
10
S/19.97
120
S/18.41
510
S/18.06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
99 mOhms
- 30 V, 30 V
2.5 V
61 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG
NTPF082N65S3F
onsemi
1:
S/34.60
283 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTPF082N65S3F
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG
283 En existencias
1
S/34.60
10
S/19.00
100
S/17.75
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
82 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
70 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 19MOHM TO-247-4
NTH4LN019N65S3H
onsemi
1:
S/111.29
438 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTH4LN019N65S3H
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 19MOHM TO-247-4
438 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
75 A
19.3 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
282 nC
- 55 C
+ 150 C
625 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 40MOHM TO-247-4
NTH4LN040N65S3H
onsemi
1:
S/60.06
896 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTH4LN040N65S3H
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 40MOHM TO-247-4
896 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
62 A
40 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
132 nC
- 55 C
+ 150 C
379 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 800V 360MOHM TO-220
+1 imagen
NTP360N80S3Z
onsemi
1:
S/18.61
607 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTP360N80S3Z
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 800V 360MOHM TO-220
607 En existencias
1
S/18.61
10
S/9.65
100
S/8.72
500
S/7.20
1,000
S/6.70
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
13 A
360 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
25.3 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 125MOHM E TO220
+1 imagen
FCP125N65S3
onsemi
1:
S/22.50
352 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-FCP125N65S3
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 125MOHM E TO220
352 En existencias
1
S/22.50
10
S/11.87
100
S/10.78
500
S/10.00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
125 mOhms
- 30 V, 30 V
2.5 V
46 nC
- 55 C
+ 150 C
181 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-4
NTH4LN095N65S3H
onsemi
1:
S/38.89
440 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTH4LN095N65S3H
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-4
440 En existencias
1
S/38.89
10
S/23.00
120
S/20.71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
95 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
58 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 360MOHM TO-220F
NTPF360N65S3H
onsemi
1:
S/16.62
769 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTPF360N65S3H
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 360MOHM TO-220F
769 En existencias
1
S/16.62
10
S/8.76
100
S/7.16
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
360 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
17.5 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET82MOHM TO247
+1 imagen
NVHL082N65S3F
onsemi
1:
S/40.52
450 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NVHL082N65S3F
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET82MOHM TO247
450 En existencias
1
S/40.52
10
S/27.99
120
S/21.88
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
82 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
81 nC
- 55 C
+ 150 C
313 W
Enhancement
AEC-Q101
SuperFET III
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 165MOHM 19A
+1 imagen
FCH165N65S3R0-F155
onsemi
1:
S/27.33
414 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-FCH165N65S3RF155
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 165MOHM 19A
414 En existencias
1
S/27.33
10
S/14.71
120
S/13.51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
19 A
165 mOhms
- 30 V, 30 V
2.5 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
154 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
+1 imagen
NTHL095N65S3H
onsemi
1:
S/35.58
214 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTHL095N65S3H
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
214 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
95 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
58 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF5 600V FAST 125MOHM WITH TO-220
NTP125N60S5H
onsemi
1:
S/22.27
789 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTP125N60S5H
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF5 600V FAST 125MOHM WITH TO-220
789 En existencias
1
S/22.27
10
S/14.60
100
S/10.86
500
S/9.07
1,000
S/7.98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
125 mOhms
- 30 V, 30 V
4.3 V
37.3 nC
- 55 C
+ 150 C
152 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET,190M
NVB190N65S3F
onsemi
1:
S/21.21
1,505 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NVB190N65S3F
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET,190M
1,505 En existencias
1
S/21.21
10
S/14.13
100
S/10.08
500
S/8.91
800
S/8.37
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
190 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
162 W
Enhancement
SuperFET III
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 70mOhm
FCB070N65S3
onsemi
1:
S/33.86
782 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FCB070N65S3
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 70mOhm
782 En existencias
1
S/33.86
10
S/23.04
800
S/23.04
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
44 A
70 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
78 nC
- 55 C
+ 150 C
312 W
Enhancement
SuperFET III
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 199mOhm D2PAK PKG
FCB199N65S3
onsemi
1:
S/20.82
5,472 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FCB199N65S3
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 199mOhm D2PAK PKG
5,472 En existencias
1
S/20.82
10
S/10.82
100
S/9.85
500
S/8.25
800
S/8.25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
14 A
170 mOhms
- 30 V, 30 V
2.5 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
98 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
+1 imagen
FCP067N65S3
onsemi
1:
S/34.57
1,432 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FCP067N65S3
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
1,432 En existencias
1
S/34.57
10
S/20.09
100
S/18.41
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
44 A
67 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
78 nC
- 55 C
+ 150 C
312 W
Enhancement
SuperFET III
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm,TO220 PKG
+1 imagen
FCP099N65S3
onsemi
1:
S/26.43
1,420 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FCP099N65S3
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm,TO220 PKG
1,420 En existencias
1
S/26.43
10
S/14.17
100
S/12.92
1,000
S/12.42
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
79 mOhms
- 30 V, 30 V
2.5 V
61 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Tube