Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 127

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M

NTPF190N65S3HF
onsemi
1: S/20.67
5,725En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTPF190N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTPF190N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M

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5,725En existencias

S/20.67

S/13.78

S/9.81

S/8.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 250MOHM TO-220F

NTPF250N65S3H
onsemi
1: S/16.04
991En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTPF250N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTPF250N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 250MOHM TO-220F

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991En existencias

S/16.04

S/8.29

S/7.63

S/6.93

S/6.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET82MO

NVHL082N65S3F
onsemi
1: S/36.32
450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL082N65S3F

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL082N65S3F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET82MO

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450En existencias

S/36.32

S/24.87

S/20.98

S/17.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

82 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG

FCPF250N65S3R0L-F154
onsemi
1: S/11.72
903En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCPF250N65S3R0L-F154

N.º de artículo de Mouser
863-F250N65S3R0LF154

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG

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903En existencias

S/11.72

S/7.24

S/6.81

S/6.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220 PKG

FCP360N65S3R0
onsemi
1: S/13.43
786En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP360N65S3R0

N.º de artículo de Mouser
863-FCP360N65S3R0

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220 PKG

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786En existencias

S/13.43

S/6.77

S/5.72

S/4.90

S/4.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm

FCP600N65S3R0
onsemi
1: S/11.99
1,228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP600N65S3R0

N.º de artículo de Mouser
863-FCP600N65S3R0

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm

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Hoja de datos

1,228En existencias

S/11.99

S/7.94

S/5.14

S/4.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 19MOHM TO-247-4

NTH4LN019N65S3H
onsemi
1: S/103.00
438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4LN019N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4LN019N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 19MOHM TO-247-4

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Hoja de datos

438En existencias

S/103.00

S/66.29

S/62.75

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

19.3 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

282 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 40MOHM TO-247-4

NTH4LN040N65S3H
onsemi
1: S/48.46
896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4LN040N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4LN040N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 40MOHM TO-247-4

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Hoja de datos

896En existencias

S/48.46

S/35.03

S/31.68

S/31.22

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

62 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

132 nC

- 55 C

+ 150 C

379 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 800V 360MOHM TO-220

NTP360N80S3Z
onsemi
1: S/17.20
607En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTP360N80S3Z

N.º de artículo de Mouser
863-NTP360N80S3Z

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 800V 360MOHM TO-220

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Hoja de datos

607En existencias

S/17.20

S/8.91

S/7.67

S/6.62

S/6.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

360 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

25.3 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V EASY 29MOHM TO-

FCH029N65S3-F155
onsemi
1: S/79.84
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH029N65S3-F155

N.º de artículo de Mouser
863-FCH029N65S3-F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V EASY 29MOHM TO-

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Hoja de datos

251En existencias

S/79.84

S/50.33

S/45.58

S/45.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

29 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

201 nC

- 55 C

+ 150 C

463 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET HF VERSION 82M

NTHL082N65S3HF
onsemi
1: S/38.54
1,271En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL082N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL082N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET HF VERSION 82M

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Hoja de datos

1,271En existencias

S/38.54

S/23.43

S/19.11

S/19.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

82 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm

FCMT180N65S3
onsemi
1: S/10.47
2,484En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCMT180N65S3

N.º de artículo de Mouser
863-FCMT180N65S3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm

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Hoja de datos

2,484En existencias

Cinta cortada

S/10.47

S/10.24

S/10.00

S/9.89

S/9.85

Envase tipo carrete

S/8.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

Power-88-4

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

SuperFET III

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 125MOHM

NTHL125N65S3H
onsemi
1: S/27.29
352En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL125N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL125N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 125MOHM

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Hoja de datos

352En existencias

S/27.29

S/15.26

S/13.31

S/12.77

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M

NTB190N65S3HF
onsemi
1: S/18.45
494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTB190N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTB190N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M

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Hoja de datos

494En existencias

Cinta cortada

S/18.45

S/14.21

S/10.20

S/8.49

Envase tipo carrete

S/8.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

162 W

Enhancement

SuperFET III

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88

NTMT190N65S3HF
onsemi
1: S/23.63
960En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMT190N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTMT190N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88

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Hoja de datos

960En existencias

Cinta cortada

S/23.63

S/16.70

S/14.13

S/14.09

S/12.03

Envase tipo carrete

S/11.48

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TDFN-4

N-Channel

1 Channel

650 V

16 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220

NTP125N65S3H
onsemi
1: S/16.43
507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTP125N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTP125N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220

Obtenga más información

Hoja de datos

507En existencias

S/16.43

S/11.33

S/10.47

S/9.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG

NTPF082N65S3F
onsemi
1: S/27.95
345En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTPF082N65S3F

N.º de artículo de Mouser
863-NTPF082N65S3F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG

Obtenga más información

Hoja de datos

345En existencias

S/27.95

S/17.48

S/16.08

S/13.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

82 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 82MOHM

NTP082N65S3F
onsemi
1: S/34.22
2,279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTP082N65S3F

N.º de artículo de Mouser
863-NTP082N65S3F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 82MOHM

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Hoja de datos

2,279En existencias

S/34.22

S/18.72

S/17.24

S/15.10

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

70 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220

NTP095N65S3HF
onsemi
1: S/28.96
885En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTP095N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTP095N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220

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Hoja de datos

885En existencias

S/28.96

S/15.92

S/14.60

S/12.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

95 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

272 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 125MOHM E TO220

FCP125N65S3
onsemi
1: S/19.23
352En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP125N65S3

N.º de artículo de Mouser
863-FCP125N65S3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 125MOHM E TO220

Obtenga más información

Hoja de datos

352En existencias

S/19.23

S/10.94

S/9.96

S/8.29

S/7.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 95MOHM T

NTHL095N65S3H
onsemi
1: S/27.83
214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL095N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL095N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 95MOHM T

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Hoja de datos

214En existencias

S/27.83

S/18.57

S/16.23

S/14.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

58 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 360MOHM TO-220F

NTPF360N65S3H
onsemi
1: S/12.38
769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTPF360N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTPF360N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 360MOHM TO-220F

Obtenga más información

Hoja de datos

769En existencias

S/12.38

S/6.89

S/6.11

S/5.88

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

17.5 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG

FCPF360N65S3R0L-F154
onsemi
1: S/13.31
569En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCPF360N65S3R0L-F154

N.º de artículo de Mouser
863-F360N65S3R0LF154

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG

Obtenga más información

Hoja de datos

569En existencias

S/13.31

S/6.54

S/6.50

S/5.49

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 165MOHM 19A

FCH165N65S3R0-F155
onsemi
1: S/24.25
414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH165N65S3R0-F155

N.º de artículo de Mouser
863-FCH165N65S3RF155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 165MOHM 19A

Obtenga más información

Hoja de datos

414En existencias

S/24.25

S/16.31

S/11.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

154 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 800V 360MOHM TO-220F

NTPF360N80S3Z
onsemi
1: S/13.90
736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTPF360N80S3Z

N.º de artículo de Mouser
863-NTPF360N80S3Z

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 800V 360MOHM TO-220F

Obtenga más información

Hoja de datos

736En existencias

S/13.90

S/6.46

S/6.42

S/6.19

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

360 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

25.3 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

Tube

SuperFET® III MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
8 A
10 A
11 A
12 A
13 A
14 A
16 A
17 A
19 A
20 A
22 A
24 A
30 A
36 A
40 A
44 A
46 A
47 A
49 A

19.3 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
27.4 mOhms
29 mOhms
32 mOhms
33 mOhms
35.4 mOhms
40 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
64 mOhms
65 mOhms
67 mOhms
70 mOhms
72 mOhms
79 mOhms
82 mOhms
85 mOhms
87 mOhms

11 nC
15.5 nC
17.5 nC
18 nC
19.3 nC
24 nC
25.3 nC
30 nC
31 nC
33 nC
34 nC
35 nC
37.3 nC
39 nC
43 nC
44 nC
46 nC
49 nC
56 nC
57 nC

24 W
26 W
27 W
29 W
29.5 W
31 W
32 W
33 W
36 W
37 W
38 W
40 W
43 W
46 W
48 W
54 W
60 W
83 W
90 W
96 W