Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

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Resultados: 127

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

NTHL050N65S3HF
onsemi
1: S/59.59
1,908En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL050N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL050N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

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Hoja de datos

1,908En existencias

S/59.59

S/36.55

S/31.53

S/31.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

50 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

125 nC

- 55 C

+ 150 C

378 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG

NTB082N65S3F
onsemi
1: S/33.13
3,823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTB082N65S3F

N.º de artículo de Mouser
863-NTB082N65S3F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG

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Hoja de datos

3,823En existencias

Cinta cortada

S/33.13

S/25.26

S/21.06

S/19.23

Envase tipo carrete

S/17.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

82 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 27MOHM

NTH027N65S3F-F155
onsemi
1: S/73.37
1,269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH027N65S3F-F155

N.º de artículo de Mouser
863-NTH027N65S3FF155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 27MOHM

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1,269En existencias

S/73.37

S/57.06

S/54.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

259 nC

- 55 C

+ 150 C

595 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 75 A, 19.3 mohm, TO-247

NTHL019N65S3H
onsemi
1: S/96.96
839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL019N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL019N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 75 A, 19.3 mohm, TO-247

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839En existencias

S/96.96

S/65.00

S/61.38

S/61.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

19.3 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

282 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FAST 650V TO220

NTP055N65S3H
onsemi
1: S/24.68
3,661En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTP055N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTP055N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FAST 650V TO220

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3,661En existencias

S/24.68

S/19.77

S/18.61

S/17.91

S/17.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220F

NTPF165N65S3H
onsemi
1: S/17.59
11,951En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTPF165N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTPF165N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220F

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11,951En existencias

S/17.59

S/10.24

S/9.73

S/8.21

S/8.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm

FCPF099N65S3
onsemi
1: S/22.69
11,762En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCPF099N65S3

N.º de artículo de Mouser
512-FCPF099N65S3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm

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11,762En existencias

S/22.69

S/13.43

S/12.26

S/10.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

85 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V

NTHL110N65S3F
onsemi
1: S/33.51
9,640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL110N65S3F

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL110N65S3F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V

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9,640En existencias

S/33.51

S/19.70

S/16.00

S/14.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

58 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 16 A, 190 mohm, Power88

NTMT190N65S3H
onsemi
1: S/9.85
6,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMT190N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTMT190N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 16 A, 190 mohm, Power88

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6,000En existencias

Cinta cortada

S/9.85

Envase tipo carrete

S/9.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TDFN-4

N-Channel

1 Channel

650 V

16 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm

NTHL027N65S3HF
onsemi
1: S/78.12
1,288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL027N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL027N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm

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Hoja de datos

1,288En existencias

S/78.12

S/53.33

S/51.26

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

27.4 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

225 nC

- 55 C

+ 150 C

595 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET,650 V, 40 A, 82 mohm, TO-220

NTP082N65S3HF
onsemi
1: S/26.04
7,752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTP082N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTP082N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET,650 V, 40 A, 82 mohm, TO-220

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Hoja de datos

7,752En existencias

S/26.04

S/17.75

S/16.39

S/14.87

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

82 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm

FCPF067N65S3
onsemi
1: S/31.18
4,573En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCPF067N65S3

N.º de artículo de Mouser
512-FCPF067N65S3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm

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Hoja de datos

4,573En existencias

S/31.18

S/16.00

S/14.87

S/13.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

67 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG

NVB072N65S3
onsemi
1: S/27.44
3,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVB072N65S3

N.º de artículo de Mouser
863-NVB072N65S3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG

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Hoja de datos

3,570En existencias

Cinta cortada

S/27.44

S/20.86

S/18.37

Envase tipo carrete

S/18.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

72 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET III

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm

FCP165N65S3
onsemi
1: S/15.73
866En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP165N65S3

N.º de artículo de Mouser
863-FCP165N65S3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm

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Hoja de datos

866En existencias

S/15.73

S/8.84

S/8.37

S/6.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

154 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 95MO

NTHL095N65S3HF
onsemi
1: S/35.07
863En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL095N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL095N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 95MO

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Hoja de datos

863En existencias

S/35.07

S/20.82

S/16.70

S/15.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

95 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

272 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220F

NTPF095N65S3H
onsemi
1: S/30.56
670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTPF095N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTPF095N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220F

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Hoja de datos

670En existencias

S/30.56

S/17.05

S/15.65

S/13.47

S/13.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

58 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG

NVB110N65S3F
onsemi
1: S/21.25
1,168En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVB110N65S3F

N.º de artículo de Mouser
863-NVB110N65S3F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG

Obtenga más información

Hoja de datos

1,168En existencias

Cinta cortada

S/21.25

S/16.47

S/13.97

S/12.81

Envase tipo carrete

S/11.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

58 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG

FCP190N65S3
onsemi
1: S/9.65
846En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP190N65S3

N.º de artículo de Mouser
512-FCP190N65S3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG

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Hoja de datos

846En existencias

S/9.65

S/6.42

S/6.31

S/6.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

159 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

144 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm

FCP125N65S3R0
onsemi
1: S/18.88
1,600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP125N65S3R0

N.º de artículo de Mouser
863-FCP125N65S3R0

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm

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Hoja de datos

1,600En existencias

S/18.88

S/10.12

S/9.30

S/8.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 30 A, 110 mohm, D2PAK

NTB110N65S3HF
onsemi
1: S/24.02
796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTB110N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTB110N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 30 A, 110 mohm, D2PAK

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Hoja de datos

796En existencias

Cinta cortada

S/24.02

S/16.97

S/14.44

S/11.83

Envase tipo carrete

S/11.72

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

SuperFET III

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III

NTB150N65S3HF
onsemi
1: S/20.67
776En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTB150N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTB150N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III

Obtenga más información

Hoja de datos

776En existencias

Cinta cortada

S/20.67

S/15.92

S/11.48

S/9.77

Envase tipo carrete

S/9.23

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 24 A, 150 mohm, Power88

NTMT150N65S3HF
onsemi
1: S/26.00
2,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMT150N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTMT150N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 24 A, 150 mohm, Power88

Obtenga más información

Hoja de datos

2,796En existencias

Cinta cortada

S/26.00

S/17.28

S/14.60

S/14.56

S/13.35

Envase tipo carrete

S/11.91

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TDFN-4

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220F

NTPF125N65S3H
onsemi
1: S/19.46
852En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTPF125N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTPF125N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220F

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Hoja de datos

852En existencias

S/19.46

S/10.04

S/10.00

S/9.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M

NTPF190N65S3HF
onsemi
1: S/20.67
5,725En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTPF190N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTPF190N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M

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5,725En existencias

S/20.67

S/13.78

S/9.81

S/8.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 13 A, 250 mohm, TO220F

NTPF250N65S3H
onsemi
1: S/16.04
991En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTPF250N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTPF250N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 13 A, 250 mohm, TO220F

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991En existencias

S/16.04

S/8.29

S/7.63

S/6.93

S/6.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

Tube

SuperFET® III MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
8 A
10 A
11 A
12 A
13 A
14 A
16 A
17 A
19 A
20 A
22 A
24 A
30 A
36 A
40 A
44 A
46 A
47 A
49 A

19.3 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
27.4 mOhms
29 mOhms
32 mOhms
33 mOhms
35.4 mOhms
40 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
64 mOhms
65 mOhms
67 mOhms
70 mOhms
72 mOhms
79 mOhms
82 mOhms
85 mOhms
87 mOhms

11 nC
15.5 nC
17.5 nC
18 nC
19.3 nC
24 nC
25.3 nC
30 nC
31 nC
33 nC
34 nC
35 nC
37.3 nC
39 nC
43 nC
44 nC
46 nC
49 nC
56 nC
57 nC

24 W
26 W
27 W
29 W
29.5 W
31 W
32 W
33 W
36 W
37 W
38 W
40 W
43 W
46 W
48 W
54 W
60 W
83 W
90 W
96 W