TK55S10N1,LQ
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757-TK55S10N1LQ
TK55S10N1,LQ
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
Hoja de datos:
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Tips for Selecting Level Shifters (Voltage Translation ICs)
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
Códigos de cumplimiento
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- Japón
- País de origen del ensamblaje:
- Japón
- País de difusión:
- Japón
En existencias: 1,517
-
Existencias:
-
1,517 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ † | ||
| S/15.22 | S/15.22 | |
| S/7.71 | S/77.10 | |
| S/6.97 | S/697.00 | |
| S/5.72 | S/2,860.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000) | ||
| S/5.37 | S/10,740.00 | |
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products
may be used as engineering samples, however; they are not intended for
volume automotive production or reliability testing without prior
approval by Toshiba Semiconductor and Storage.
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5-0320-2