Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 120V 80A N-CH TRENCH
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600Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263AA-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 76A N-CH TRENCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 150V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230 Amps 75V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 150V 76A N-CH TRENCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 230A N-CH TRENCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 170V 150A N-CH TRENCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 75V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 65V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 55V 140A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 120V 140A N-CH TRENCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 75V
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 Amps 55V 0.0042 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 55V 200A
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 75V 230A
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7