Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 92
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET 975En existencias
3,510En pedido
S/101.59
S/71.62
S/65.94
S/65.28
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET 188En existencias
S/214.79
S/173.45
S/153.33
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET 275En existencias
S/45.78
S/29.12
S/25.18
S/23.39
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A 1,248En existencias
S/58.93
S/33.20
S/32.66
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A 187En existencias
S/77.23
S/57.69
S/44.72
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 40V 280En existencias
S/17.75
S/11.64
S/8.10
S/6.73
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V 165En existencias
S/59.17
S/45.08
S/37.52
S/33.32
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 75V 0.0120 Rds 49En existencias
S/16.35
S/9.77
S/7.32
S/5.99
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 75V 302En existencias
S/23.04
S/12.11
S/10.32
S/9.50
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET 186En existencias
S/124.44
S/99.65
S/83.30
S/80.81
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300 Amps 40V 286En existencias
S/34.84
S/19.03
S/17.40
S/16.43
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A 278En existencias
S/27.33
S/14.56
S/13.94
S/11.91
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 120V 140A N-CH TRENCH 365En existencias
S/32.81
S/17.83
S/16.31
S/15.18
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A 1,162En existencias
S/75.83
S/47.92
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET 361En existencias
S/144.29
S/102.10
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 180A 237En existencias
S/34.53
S/18.84
S/17.20
S/16.23
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A 4,500En existencias
S/78.59
S/47.68
S/46.75
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A 2,162En existencias
S/78.59
S/53.02
S/47.33
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET 437En existencias
S/227.09
S/190.19
S/179.02
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET 2,068En existencias
2,340Se espera el 12/10/2026
S/159.83
S/121.06
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET 1,910En existencias
500Se espera el 7/10/2026
S/36.39
S/19.93
S/18.33
S/17.40
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET 82En existencias
S/144.96
S/102.68
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET 441En existencias
S/164.93
S/116.89
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A 364En existencias
720Se espera el 10/05/2027
S/64.89
S/37.02
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V 197En existencias
300Se espera el 14/12/2026
S/63.18
S/35.85
S/35.77
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)