Semiconductores – Mouser Perú

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Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
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IPL60R185P7AUMA1
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IPN60R360PFD7SATMA1
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IPN80R1K4P7ATMA1
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IPP60R099P7XKSA1
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IPP60R180P7XKSA1
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IPW60R018CFD7XKSA1
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IPW60R031CFD7XKSA1
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1: S/39.28
806En existencias

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IPW60R040CFD7XKSA1
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1: S/33.55
727En existencias

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IPW60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.32
732En existencias

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IPW60R090CFD7XKSA1

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726-IPW60R090CFD7XKS

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IPW60R099P7XKSA1
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1: S/16.50
1,037En existencias

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IPW60R099P7XKSA1

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726-IPW60R099P7XKSA1

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA

1ED020I12B2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/18.68
916En existencias
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1ED020I12B2XUMA1

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu

1EDC20I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.47
677En existencias
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1EDC20I12AHXUMA1

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S/7.16

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu

1EDC40I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.17
358En existencias
NRND

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1EDC40I12AHXUMA1

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726-1EDC40I12AHXUMA1

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S/8.37

S/7.67

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S/6.07

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu

1EDI20I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.96
490En existencias
NRND

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1EDI20I12AHXUMA1

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726-1EDI20I12AHXUMA1

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu

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S/9.96

S/7.43

S/6.77

S/6.07

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S/5.29

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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS

2EDN7524FXTMA1
Infineon Technologies
1: S/3.11
5,666En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
2EDN7524FXTMA1

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726-2EDN7524FXTMA1

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS

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S/3.11

S/2.21

S/1.99

S/1.75

Envase tipo carrete

S/1.38

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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R210PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.14
710En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R210PFD7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R210PFD7SX

NRND

Infineon Technologies

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S/8.14

S/4.48

S/4.13

S/3.29

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
2,204En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R2K0P7ATMA1

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Infineon Technologies

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S/5.33

S/3.35

S/2.22

S/1.74

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.21

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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/5.41
1,334En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R1K4P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R1K4P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

1,334En existencias

S/5.41

S/5.18

S/4.32

S/3.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
2,153En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R3K7P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R3K7P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

2,153En existencias

S/5.33

S/3.37

S/2.23

S/1.83

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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDH06SG60CXKSA2
Infineon Technologies
1: S/15.14
682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDH06SG60CXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IDH06SG60CXKSA2

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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682En existencias

S/15.14

S/7.71

S/7.01

S/5.61

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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDH10G65C5XKSA2
Infineon Technologies
1: S/16.70
325En existencias
500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IDH10G65C5XKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IDH10G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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325En existencias

500Se espera el 2/03/2026

S/16.70

S/8.56

S/7.79

S/7.47

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