Semiconductores – Mouser Perú

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Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

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N.° de pieza

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDW40G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
1: S/53.37
187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDW40G65C5BXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IDW40G65C5BXKSA2

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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187En existencias

S/53.37

S/38.11

S/32.70

S/26.31

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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

IDWD10G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.84
1,718En existencias
1,680Se espera el 12/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IDWD10G120C5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDWD10G120C5XKSA

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

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1,718En existencias

1,680Se espera el 12/03/2026

S/21.84

S/13.00

S/11.79

S/9.69

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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

IDWD20G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.65
570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDWD20G120C5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDWD20G120C5XKSA

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

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570En existencias

S/31.65

S/18.29

S/15.69

S/15.65

S/13.82

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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

IDWD30G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/45.93
1,079En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDWD30G120C5XKSA1

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726-IDWD30G120C5XKSA

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

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1,079En existencias

S/45.93

S/30.32

S/25.96

S/25.42

Presupuesto

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/51.50
222En existencias
720Se espera el 30/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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222En existencias

720Se espera el 30/07/2026

S/51.50

S/31.26

S/27.44

S/26.16

Presupuesto

Min.: 1
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.15
332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

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726-IMZA65R048M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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332En existencias

S/32.15

S/20.40

S/17.48

S/16.50

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.77
727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/19.77

S/11.13

S/10.16

S/8.41

S/8.29

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.09
1,594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/14.09

S/7.16

S/6.50

S/5.41

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
4,057En existencias
1,500Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/7.16

S/3.43

S/3.07

S/2.43

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.11
3,296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/6.11

S/2.65

S/2.08

S/1.75

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/4.36
15,548En existencias
60,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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15,548En existencias

60,000En pedido

S/4.36

S/2.21

S/2.06

S/1.69

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.96
760En existencias
2,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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760En existencias

2,000Se espera el 2/03/2026

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S/31.96

S/21.95

S/17.09

S/17.05

Envase tipo carrete

S/13.94

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.60
1,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R045P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/24.60

S/18.84

S/15.22

S/13.55

Envase tipo carrete

S/11.60

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.11
828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/9.11

S/8.37

Envase tipo carrete

S/7.24

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.53
4,315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/12.53

S/8.37

S/6.03

S/5.18

Envase tipo carrete

S/4.20

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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R210PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.43
3,214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R210PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R210PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,214En existencias

Cinta cortada

S/3.43

S/3.06

S/2.86

S/2.85

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
3,494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3,494En existencias

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S/8.02

S/5.14

S/3.50

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.32

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.81
3,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.89

S/2.37

Envase tipo carrete

S/1.91

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
9,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Cinta cortada

S/4.52

S/2.85

S/1.88

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.21

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.65
4,161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,161En existencias

Cinta cortada

S/9.65

S/6.15

S/4.20

S/3.51

Envase tipo carrete

S/2.86

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
4,790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,790En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.88

S/4.09

S/3.46

Envase tipo carrete

S/2.67

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/26.31
1,029En existencias
3,000Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R060CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R060CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,029En existencias

3,000Se espera el 11/06/2026

Cinta cortada

S/26.31

S/19.23

S/15.57

S/13.82

S/11.83

Envase tipo carrete

S/11.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/20.82
1,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,784En existencias

Cinta cortada

S/20.82

S/15.06

S/10.86

S/10.63

S/10.08

Envase tipo carrete

S/8.64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.36
7,565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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7,565En existencias

Cinta cortada

S/14.36

S/9.42

S/6.62

S/5.80

S/5.57

Envase tipo carrete

S/4.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.90
2,450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,450En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/7.01

S/5.02

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.43

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

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