Semiconductores – Mouser Perú

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Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

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N.° de pieza

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDH16G65C6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.38
7,220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDH16G65C6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDH16G65C6XKSA1

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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7,220En existencias

S/22.38

S/17.91

S/14.48

S/12.85

S/11.02

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/40.40
3,532En existencias
2,000Se espera el 23/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R022S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,532En existencias

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S/40.40

S/28.06

S/23.98

Envase tipo carrete

S/20.71

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/54.73
2,122En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R028G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R028G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

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S/54.73

S/38.42

S/34.22

S/31.61

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S/27.91

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.18
4,183En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/34.18

S/20.09

S/16.97

S/15.69

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu

1EDC60I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/17.36
913En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
1EDC60I12AHXUMA1

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726-1EDC60I12AHXUMA1

NRND

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu

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S/17.36

S/11.48

S/10.55

S/9.07

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S/6.54

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

1EDI60H12AHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
1,300En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
1EDI60H12AHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1EDI60H12AHXUMA1

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Infineon Technologies

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

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S/11.41

S/8.52

S/7.82

S/7.05

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S/5.45

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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS

2EDN8524FXTMA1
Infineon Technologies
1: S/3.19
4,572En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
2EDN8524FXTMA1

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726-2EDN8524FXTMA1

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Infineon Technologies

Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS

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S/3.19

S/2.27

S/2.04

S/1.79

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S/1.42

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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDD03SG60CXTMA2
Infineon Technologies
1: S/8.68
4,096En existencias

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IDD03SG60CXTMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IDD03SG60CXTMA2

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S/8.68

S/5.57

S/3.78

S/3.02

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S/2.59

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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDD04SG60CXTMA2
Infineon Technologies
1: S/10.70
2,107En existencias

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IDD04SG60CXTMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IDD04SG60CXTMA2

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S/6.93

S/4.79

S/3.87

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S/3.21

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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDW40G65C5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/47.45
540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDW40G65C5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDW40G65C5XKSA1

Infineon Technologies

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S/47.45

S/38.61

S/32.19

S/28.69

S/24.33

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.18
2,333En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R080P7XKSA1

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726-IPA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/21.18

S/11.13

S/10.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R055CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.42
1,983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R055CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R055CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/28.42

S/21.18

S/17.13

S/15.22

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S/13.04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.00
1,987En existencias

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IPB60R060P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/14.56

S/10.47

S/10.20

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S/8.56

S/8.29

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.11
6,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R120P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/12.11

S/8.37

S/6.58

S/5.88

Envase tipo carrete

S/4.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
7,098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/9.23

S/5.88

S/4.01

S/3.36

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S/2.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.33
785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/31.33

S/21.80

S/16.93

Envase tipo carrete

S/13.82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.73
1,498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/12.73

S/8.17

S/6.03

S/5.22

Envase tipo carrete

S/4.20

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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.33
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/11.33

S/7.32

S/5.22

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.57

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.02
5,394En existencias
9,000Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R360P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R360P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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5,394En existencias

9,000Se espera el 9/07/2026

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S/5.02

S/3.16

S/2.16

S/1.72

Envase tipo carrete

S/1.36

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Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPS70R1K4P7SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/1.95
32,242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPS70R1K4P7SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R1K4P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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32,242En existencias

S/1.95

S/1.31

S/1.17

S/1.09

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.86
165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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165En existencias

S/29.86

S/17.36

S/14.60

S/13.12

Min.: 1
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED DRIVER

1ED3141MU12FXUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.84
426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1ED3141MU12FXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1ED3141MU12FXUMA

Infineon Technologies

Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED DRIVER

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426En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/4.28

S/3.86

S/3.43

Envase tipo carrete

S/2.72

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

6EDL04I06PT
Infineon Technologies
1: S/18.45
427En existencias

N.º de artículo del Fabricante
6EDL04I06PT

N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04I06PT

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

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427En existencias

Cinta cortada

S/18.45

S/12.26

S/11.33

S/9.85

Envase tipo carrete

S/7.05

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

6EDL04N06PT
Infineon Technologies
1: S/18.45
423En existencias

N.º de artículo del Fabricante
6EDL04N06PT

N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04N06PT

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

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Hoja de datos

423En existencias

Cinta cortada

S/18.45

S/12.26

S/11.33

S/9.85

Envase tipo carrete

S/7.05

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAW60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
906En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPAW60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AW60R180P7SXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

906En existencias

S/8.84

S/4.05

S/3.38

S/2.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

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