Semiconductores – Mouser Perú

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Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

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N.° de pieza

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDD08SG60CXTMA2
Infineon Technologies
1: S/17.79
5,043En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDD08SG60CXTMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IDD08SG60CXTMA2

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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Cinta cortada

S/17.79

S/11.79

S/8.37

S/7.75

S/7.01

Envase tipo carrete

S/6.31

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.65
298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R099P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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298En existencias

S/18.65

S/11.95

S/9.77

S/8.29

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.11
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R450P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R450P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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921En existencias

S/12.11

S/6.07

S/5.49

S/4.55

S/3.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.28
2,110En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/7.28

S/4.67

S/3.10

S/2.48

Envase tipo carrete

S/1.93

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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDH08G65C6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.30
832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDH08G65C6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDH08G65C6XKSA1

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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S/15.30

S/6.03

S/5.37

S/5.33

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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE

IDW15G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.51
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDW15G120C5BFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDW15G120C5BFKSA

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE

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S/20.51

S/14.83

S/12.85

S/11.60

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
2,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/5.72

S/3.61

S/2.40

S/1.88

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S/1.48

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
3,529En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

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S/4.24

S/2.67

S/1.74

S/1.35

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S/1.06

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.91
1,199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/11.91

S/5.96

S/5.53

S/4.48

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.77
1,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/28.77

S/19.46

S/14.71

S/14.67

S/13.27

Envase tipo carrete

S/11.99

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.87
3,071En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3,071En existencias

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S/4.87

S/3.32

S/2.31

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.42

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Controladores de puertas DRIVER-IC

1EDI2002ASXUMA2
Infineon Technologies
1: S/38.42
266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1EDI2002ASXUMA2

N.º de artículo de Mouser
726-1EDI2002ASXUMA2

Infineon Technologies

Controladores de puertas DRIVER-IC

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S/38.42

S/29.97

S/27.83

S/25.53

Envase tipo carrete

S/21.14

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

1EDI60N12AF
Infineon Technologies
1: S/11.41
13,539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1EDI60N12AF

N.º de artículo de Mouser
726-1EDI60N12AF

Infineon Technologies

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

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S/11.41

S/7.40

S/6.70

S/5.64

Envase tipo carrete

S/3.67

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS

1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies
1: S/2.61
4,319En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1EDN7512GXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1EDN7512GXTMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS

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S/2.61

S/1.85

S/1.66

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.20

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam

1EDI30I12MHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.21
813En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
1EDI30I12MHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1EDI30I12MHXUMA1

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam

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S/11.21

S/8.37

S/7.67

S/6.89

Envase tipo carrete

S/6.03

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.89
5,072En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R3K3P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

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5,072En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.43

S/1.59

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.891

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Controladores de puertas DRIVER-IC

1ED020I12FTAXUMA2
Infineon Technologies
1: S/30.17
590En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
1ED020I12FTAXUMA2

N.º de artículo de Mouser
726-1ED020I12FTAXUM

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas DRIVER-IC

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590En existencias

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S/30.17

S/23.32

S/21.64

S/19.73

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Envase tipo carrete

S/16.15

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu

1EDI40I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.90
801En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
1EDI40I12AHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1EDI40I12AHXUMA1

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu

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801En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/8.10

S/7.40

S/6.66

Envase tipo carrete

S/5.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 80 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package

IDYH80G200C5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/192.37
480En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IDYH80G200C5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDYH80G200C5XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 80 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package

Hoja de datos

480En existencias

S/192.37

S/167.11

S/146.16

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
2,025En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180CM8XTMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,025En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.33

S/3.82

S/3.29

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 40 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package

IDYH40G200C5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/102.84
272En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IDYH40G200C5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDYH40G200C5XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 40 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package

Hoja de datos

272En existencias

S/102.84

S/84.12

S/74.31

Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 50 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package

IDYH50G200C5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/126.70
165En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IDYH50G200C5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDYH50G200C5XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 50 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package

Hoja de datos

165En existencias

S/126.70

S/108.06

S/94.51

Min.: 1
Mult.: 1

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDDD10G65C6XTMA1
Infineon Technologies
1: S/17.56
8,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDDD10G65C6XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDDD10G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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Hoja de datos

8,448En existencias

Cinta cortada

S/17.56

S/11.64

S/8.25

S/7.63

S/7.08

Envase tipo carrete

S/6.19

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 25 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package

IDYH25G200C5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/73.41
48En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IDYH25G200C5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDYH25G200C5XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 25 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package

Hoja de datos

48En existencias

S/73.41

S/45.93

S/40.83

S/40.79

Min.: 1
Mult.: 1

Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED DRIVER

1ED3141MU12FXUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.84
2,926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1ED3141MU12FXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1ED3141MU12FXUMA

Infineon Technologies

Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED DRIVER

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Hoja de datos

2,926En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/4.28

S/3.86

S/3.43

Envase tipo carrete

S/2.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Experience the Difference in Power

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