Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 29

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

IPP65R045C7
Infineon Technologies
1: S/38.50
774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

Obtenga más información

Hoja de datos

774En existencias

S/38.50

S/30.13

S/25.11

S/22.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1: S/22.15
1,409En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R095C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,409En existencias

Cinta cortada

S/22.15

S/14.25

S/10.98

S/10.86

Envase tipo carrete

S/8.99

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R019C7
Infineon Technologies
1: S/71.15
815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R019C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R019C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

Obtenga más información

Hoja de datos

815En existencias

S/71.15

S/62.71

S/54.30

S/52.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

215 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

IPZ65R045C7
Infineon Technologies
1: S/44.37
636En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

Obtenga más información

Hoja de datos

636En existencias

S/44.37

S/35.93

S/29.93

S/26.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

IPW65R095C7
Infineon Technologies
1: S/22.62
901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R095C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

Obtenga más información

Hoja de datos

901En existencias

S/22.62

S/18.10

S/14.64

S/13.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

IPL65R230C7
Infineon Technologies
1: S/11.76
6,349En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R230C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R230C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

Obtenga más información

Hoja de datos

6,349En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/7.63

S/5.29

S/4.44

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

67 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R065C7
Infineon Technologies
1: S/25.89
490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

490En existencias

S/25.89

S/21.76

S/17.59

S/15.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R065C7
Infineon Technologies
1: S/29.19
244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

244En existencias

S/29.19

S/21.80

S/17.98

S/15.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD65R190C7
Infineon Technologies
1: S/12.81
1,244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R190C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,244En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/8.33

S/6.11

S/5.14

Ver

Envase tipo carrete

S/4.05

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

IPZ65R019C7
Infineon Technologies
1: S/78.90
93En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R019C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R019C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

Obtenga más información

Hoja de datos

93En existencias

S/78.90

S/69.52

S/60.37

S/58.15

S/58.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

215 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ65R065C7
Infineon Technologies
1: S/34.72
221En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

221En existencias

S/34.72

S/25.26

S/21.06

S/18.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R045C7ATMA2
Infineon Technologies
1: S/38.46
1,449En existencias
2,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R045C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R045C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,449En existencias

2,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/38.46

S/30.09

S/25.07

S/22.34

Envase tipo carrete

S/19.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R065C7ATMA2
Infineon Technologies
1: S/30.56
706En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R065C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R065C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

706En existencias

Cinta cortada

S/30.56

S/20.86

S/16.04

Envase tipo carrete

S/13.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R190C7ATMA2
Infineon Technologies
1: S/13.78
1,290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,290En existencias

Cinta cortada

S/13.78

S/8.95

S/6.85

S/5.76

Envase tipo carrete

S/4.90

S/4.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

404 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

IPD65R225C7
Infineon Technologies
1: S/10.98
2,739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

Obtenga más información

Hoja de datos

2,739En existencias

Cinta cortada

S/10.98

S/7.01

S/4.87

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.27

S/3.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

225 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R095C7
Infineon Technologies
1: S/23.16
242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R095C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

242En existencias

S/23.16

S/16.15

S/13.08

S/11.60

S/9.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R065C7
Infineon Technologies
1: S/30.56
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

224En existencias

S/30.56

S/22.23

S/18.49

S/16.50

S/14.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R190C7
Infineon Technologies
1: S/13.58
43En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

43En existencias

S/13.58

S/10.12

S/8.21

S/7.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R045C7
Infineon Technologies
1: S/38.50
185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

185En existencias

S/38.50

S/30.13

S/25.61

S/21.72

S/19.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.67
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R125C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R125C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

73En existencias

S/17.67

S/9.15

S/8.33

S/6.81

S/6.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.39
377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

377En existencias

S/13.39

S/8.72

S/6.66

S/5.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R095C7
Infineon Technologies
1: S/23.16
143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R095C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

143En existencias

S/23.16

S/16.15

S/13.08

S/11.60

S/9.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R045C7
Infineon Technologies
1: S/40.37
206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

Obtenga más información

Hoja de datos

206En existencias

S/40.37

S/31.57

S/26.31

S/23.43

S/20.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R125C7
Infineon Technologies
1: S/15.18
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R125C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R125C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/15.18

S/11.68

S/9.46

S/8.41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

111 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

IPP65R225C7
Infineon Technologies
500: S/4.67
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

S/4.67

S/4.01

S/3.83

Presupuesto

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

199 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte