Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Resultados: 177

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET

IRFR420PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.23
8,798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR420PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR420PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET

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8,798En existencias

S/9.23

S/3.87

S/3.50

S/3.04

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.4 A

3 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 8.8A

IRFR9024PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.39
8,556En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9024PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR9024PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 8.8A

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8,556En existencias

S/10.39

S/5.72

S/4.20

S/3.55

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

8.8 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH MOSFET

IRFRC20PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.42
8,749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFRC20PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFRC20PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH MOSFET

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S/9.42

S/6.31

S/4.36

S/3.49

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2 A

4.4 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

SI2392BDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.96
14,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2392BDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2392BDS

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

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Cinta cortada

S/2.96

S/2.14

S/1.42

S/1.09

Envase tipo carrete

S/0.786

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

2.3 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

Si4190BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.78
3,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
Si4190BDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4190BDY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

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3,490En existencias

S/10.78

S/7.32

S/5.06

S/4.16

S/3.40

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

17 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

8.4 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

SIA112LDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.97
10,621En existencias

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SIA112LDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA112LDJ

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

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10,621En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.60

S/1.72

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

1 Channel

100 V

8.8 A

119 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHA155N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.70
2,268En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA155N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA155N60EF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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S/16.70

S/11.87

S/8.45

S/6.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

136 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHG155N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.81
769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG155N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG155N60EF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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S/19.81

S/14.09

S/10.12

S/8.37

S/7.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

136 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK155N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/22.27
3,920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK155N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK155N60E

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Cinta cortada

S/22.27

S/15.96

S/11.52

S/11.41

S/10.82

Envase tipo carrete

S/9.30

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

135 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK155N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
1: S/22.62
3,365En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK155N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK155N60EF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Cinta cortada

S/22.62

S/16.19

S/11.68

S/11.64

S/11.02

Envase tipo carrete

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

136 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHP155N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.85
1,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP155N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP155N60EF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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1,822En existencias

S/16.85

S/11.17

S/7.94

S/6.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

136 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

SIJ4108DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.76
10,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJ4108DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ4108DP

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

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10,073En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.80

S/4.20

S/3.36

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.70

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

56.7 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34.5 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

SiR5112DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.58
4,472En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SiR5112DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR5112DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

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4,472En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.31

S/4.36

S/3.48

Envase tipo carrete

S/2.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40.7 A

14.9 mOhms

10.6 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V

SiR5623DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.15
7,026En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SiR5623DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR5623DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V

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7,026En existencias

S/9.15

S/6.07

S/4.16

S/3.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

P-Channel

1 Channel

60 V

37.1 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

21.8 nC

- 55 C

+ 150 C

59.5 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

SIR5808DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.62
11,684En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR5808DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR5808DP

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

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11,684En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/5.02

S/3.48

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

66.8 A

7.35 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

11.8 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.5 mohm a. 10V, 2.3 mohm a. 4.5V

SiRS4301DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.28
7,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SiRS4301DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRS4301DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.5 mohm a. 10V, 2.3 mohm a. 4.5V

Obtenga más información

Hoja de datos

7,156En existencias

Cinta cortada

S/17.28

S/11.41

S/8.10

S/7.43

Envase tipo carrete

S/6.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK - SO-8S

P-Channel

1 Channel

30 V

227 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

365 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 0.57 mohm a. 10V, 0.83 mohm a. 4.5V

SiRS4302DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.21
3,625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SiRS4302DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRS4302DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 0.57 mohm a. 10V, 0.83 mohm a. 4.5V

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Hoja de datos

3,625En existencias

S/14.21

S/9.30

S/6.50

S/5.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK SO-8S

N-Channel

1 Channel

30 V

478 A

570 uOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SISH103DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.94
10,458En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH103DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH103DN

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

10,458En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.22

S/2.13

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

P-Channel

1 Channel

30 V

54 A

8.9 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

41.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SISH107DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.36
8,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH107DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH107DN

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

8,888En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.81

S/1.85

S/1.43

Envase tipo carrete

S/0.989

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

P-Channel

1 Channel

30 V

34.4 A

14 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

27.2 nC

- 55 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V

SiSS4402DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.86
12,383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SiSS4402DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS4402DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V

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12,383En existencias

S/7.86

S/5.41

S/4.13

S/3.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8S

N-Channel

1 Channel

40 V

128 A

2.2 mOhms

- 16 V, 20 V

2.5 V

46.7 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

SISS5108DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.50
12,843En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS5108DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS5108DN

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

12,843En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.27

S/4.36

S/3.48

Envase tipo carrete

S/2.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

100 V

55.9 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

14.8 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

SISS5808DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.97
11,360En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS5808DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS5808DN

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

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S/3.72

S/2.97

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S/2.42

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SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

80 V

66.4 A

7.45 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

15.6 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL

SI2393DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.41
207,004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2393DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2393DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/1.50

S/0.958

S/0.728

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S/0.553

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

22.7 mOhms

- 20 V, 16 V

2.2 V

16.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

SI7137DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.79
15,971En existencias

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SI7137DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7137DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

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S/11.79

S/7.67

S/5.29

S/4.44

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S/3.62

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.95 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

390 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7141DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.87
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SI7141DP-T1-GE3

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781-SI7141DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/7.71

S/5.33

S/4.48

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Envase tipo carrete

S/3.65

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

265 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.6 W, 1.7 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W