Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Resultados: 168

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75

SIB457EDK-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.62
78,357En existencias
27,000Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIB457EDK-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIB457EDK-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75

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78,357En existencias

27,000Se espera el 10/09/2026

Cinta cortada

S/3.62

S/1.65

S/1.46

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.868

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-75-6

P-Channel

1 Channel

20 V

9 A

29 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7101DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.43
103,806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7101DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7101DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

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103,806En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/3.56

S/3.18

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

7.2 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7625DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.89
34,074En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7625DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7625DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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34,074En existencias

Cinta cortada

S/6.89

S/3.28

S/2.93

S/2.30

S/2.16

Envase tipo carrete

S/1.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

126 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA459EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.54
114,674En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA459EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA459EDJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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114,674En existencias

Cinta cortada

S/3.54

S/1.62

S/1.42

S/1.09

Envase tipo carrete

S/0.845

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

9 A

28 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

30 nC

- 50 C

+ 150 C

15.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

SIR167DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.43
33,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR167DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR167DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

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33,772En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/3.55

S/3.17

S/2.51

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4.6 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 19A 46W 60mohm @ 10V

SUD19P06-60L-E3
Vishay / Siliconix
1: S/7.75
55,455En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD19P06-60L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUD19P06-60L-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 19A 46W 60mohm @ 10V

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55,455En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/3.71

S/3.32

S/2.63

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

19 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL

SI2369BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.88
318,704En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2369BDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2369BDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL

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318,704En existencias

Cinta cortada

S/2.88

S/1.30

S/1.14

S/0.872

Envase tipo carrete

S/0.666

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

27 mOhms

- 20 V, 16 V

2.2 V

12.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ409EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.49
35,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ409EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ409EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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35,662En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/4.13

S/3.66

S/2.91

S/2.76

Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.43
110,643En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA907EDJT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA907EDJT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

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110,643En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/3.55

S/3.17

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

47 mOhms, 47 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQD50P04-13L_T4GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.37
49,563En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD50P04-13L_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50P04-13LT4GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

49,563En existencias

Cinta cortada

S/8.37

S/4.05

S/3.61

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET

IRFR320TRPBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.43
24,392En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR320TRPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR320TRPBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET

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24,392En existencias

Cinta cortada

S/10.43

S/5.14

S/4.63

S/3.69

S/3.55

Envase tipo carrete

S/3.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

3.1 A

1.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 3.8A

SI2347DS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.41
180,377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2347DS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2347DS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 3.8A

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Comentarios de Producto

180,377En existencias

Cinta cortada

S/2.41

S/1.09

S/0.954

S/0.72

Envase tipo carrete

S/0.545

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

5 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS23DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.23
16,545En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS23DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS23DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S

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16,545En existencias

Cinta cortada

S/6.23

S/2.95

S/2.63

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

50 A

3.5 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

300 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ850EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.82
51,225En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SQJ850EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ850EP-T2_GE3

Fin de vida útil

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

51,225En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.37

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.50

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A

IRFR9014PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.60
7,835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9014PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR9014PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A

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Hoja de datos

7,835En existencias

S/8.60

S/3.93

S/3.50

S/2.95

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

5.1 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET

IRFR9220PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.57
7,810En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9220PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR9220PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET

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7,810En existencias

S/12.57

S/6.27

S/5.64

S/4.59

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

200 V

3.6 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET

IRLR110TRPBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.49
5,539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLR110TRPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRLR110TRPBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

5,539En existencias

S/8.49

S/4.09

S/3.66

S/2.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

4.3 A

540 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

6.1 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level

SUD23N06-31L-T4-E3
Vishay / Siliconix
1: S/6.27
9,271En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD23N06-31L-T4-E3

N.º de artículo de Mouser
78-SUD23N06-31L-T4E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level

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Comentarios de Producto

9,271En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/2.97

S/2.64

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.64

S/1.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

23 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

IRFR220PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.80
8,741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR220PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR220PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

8,741En existencias

S/8.80

S/4.28

S/3.82

S/3.04

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

4.8 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III

SI7655DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.85
7,494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7655DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7655DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III

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Hoja de datos

7,494En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/4.83

S/4.32

S/3.46

S/3.36

Envase tipo carrete

S/2.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

40 A

3 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

225 nC

- 50 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR165DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.24
13,171En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR165DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR165DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/10.24

S/5.02

S/4.52

S/3.61

S/3.53

Envase tipo carrete

S/3.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQD50P06-15L_T4GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.11
17,086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD50P06-15L_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50P06-15LT4GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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S/9.11

S/4.44

S/3.97

S/3.16

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJB44EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.84
2,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB44EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB44EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

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S/8.84

S/5.68

S/3.83

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.67

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

33.5 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs TSOP-6

SI3477DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.10
15,512En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3477DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3477DV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs TSOP-6

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S/5.10

S/2.37

S/2.11

S/1.63

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S/1.21

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

12 V

8 A

17.5 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

SI8489EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.50
8,132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI8489EDB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8489EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

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S/3.50

S/1.60

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.79

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

20 V

5.4 A

36 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V
4 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC
14.8 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W
6.5 W