Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ185ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.06
7,076En existencias
Nuevo producto

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SQJ185ELP-T1_GE3

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78-SQJ185ELP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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S/5.14

S/3.56

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S/2.32

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

P-Channel

1 Channel

80 V

62 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

145 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET

IRFR320TRPBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.77
24,479En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR320TRPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR320TRPBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET

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S/9.77

S/6.31

S/4.32

S/3.44

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S/2.90

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

3.1 A

1.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A

IRFR9014PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.82
8,012En existencias

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IRFR9014PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR9014PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A

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S/7.82

S/3.51

S/3.15

S/2.71

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

5.1 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4101DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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78,270En existencias

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SI4101DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4101DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

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S/4.94

S/3.13

S/2.07

S/1.63

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S/1.47

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

25.7 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

203 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

IRFR220TRPBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.25
20,902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR220TRPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR220TRPBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

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S/8.25

S/5.29

S/3.57

S/2.84

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S/2.40

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Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

4.8 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

SI7655ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.61
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N.º de artículo del Fabricante
SI7655ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7655ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

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S/5.61

S/3.53

S/2.35

S/1.84

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S/1.46

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

40 A

3.6 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

150 nC

- 50 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.15
110,673En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA907EDJT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA907EDJT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

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S/3.15

S/1.96

S/1.27

S/0.973

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S/0.802

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

47 mOhms, 47 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQD50P04-13L_T4GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.82
50,175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD50P04-13L_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50P04-13LT4GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/5.02

S/3.37

S/2.68

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S/2.21

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60V (D-S)

SUD50P06-15-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.12
28,211En existencias

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SUD50P06-15-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUD50P06-15-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60V (D-S)

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S/13.12

S/8.56

S/5.99

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.16

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

113 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

SI5471DC-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.40
57,041En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI5471DC-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI5471DC-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

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S/4.40

S/1.82

S/1.37

S/1.19

Envase tipo carrete

S/1.02

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

ChipFET-8

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

16.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

6.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 4.3A

SI2318CDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/1.87
167,735En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2318CDS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2318CDS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 4.3A

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Cinta cortada

S/1.87

S/1.16

S/0.732

S/0.549

Envase tipo carrete

S/0.385

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

5.6 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7101DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.12
103,657En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7101DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7101DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/7.12

S/4.52

S/3.03

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.02

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

7.2 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET

SUD50P10-43L-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.12
18,886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD50P10-43L-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUD50P10-43L-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET

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S/13.12

S/8.56

S/5.96

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.32

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

37.1 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSSOP8 NPCH 20V 5.7A

SI6562CDQ-T1-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.03
10,641En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI6562CDQ-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI6562CDQ-T1-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSSOP8 NPCH 20V 5.7A

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S/6.03

S/3.81

S/2.54

S/2.00

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Mult.: 1

SMD/SMT

TSSOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

6.7 A, 6.1 A

2 Ohms, 6 Ohms

- 12 V, 12 V

600 mV

15 nC, 34 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W, 1.7 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

SIR167DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.11
34,313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR167DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR167DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

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34,313En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/3.85

S/2.59

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.63

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4.6 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 150V 16.2A P-CH MOSFET

SISS73DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.98
89,286En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS73DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS73DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 150V 16.2A P-CH MOSFET

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89,286En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.10

S/3.45

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.23

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

150 V

16.2 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 19A 46W 60mohm @ 10V

SUD19P06-60L-E3
Vishay / Siliconix
1: S/5.29
58,062En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD19P06-60L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUD19P06-60L-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 19A 46W 60mohm @ 10V

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Hoja de datos

58,062En existencias

Cinta cortada

S/5.29

S/2.90

S/2.27

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.92

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

19 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL

SI2369BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.49
335,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2369BDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2369BDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL

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335,246En existencias

Cinta cortada

S/2.49

S/1.55

S/0.996

S/0.755

Envase tipo carrete

S/0.564

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

27 mOhms

- 20 V, 16 V

2.2 V

12.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ409EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.94
42,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ409EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ409EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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42,200En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/5.10

S/3.43

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.21

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ850EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
51,504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ850EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ850EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

51,504En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.37

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA437DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIA437DJ-T1-GE3

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

29.7 A

12 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

90 nC

- 50 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA459EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.92
119,710En existencias

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

9 A

28 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

30 nC

- 50 C

+ 150 C

15.6 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 35A N-CH MOSFET

SUD35N10-26P-BE3
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

4.4 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V

SUM110P06-08L-E3
Vishay Semiconductors
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SUM110P06-08L-E3

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781-SUM110P06-08L-E3

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

110 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

272 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 3.8A

SI2347DS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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78-SI2347DS-T1-BE3

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S/0.49

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S/0.276

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

5 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.6 W, 1.7 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W