Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4101DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI4101DY-T1-GE3

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78-SI4101DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

25.7 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

203 nC

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6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET

IRFR320TRPBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.43
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IRFR320TRPBF-BE3

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78-IRFR320TRPBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET

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S/6.73

S/4.63

S/3.69

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S/3.23

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N-Channel

1 Channel

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3.1 A

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- 20 V, 20 V

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42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 3.8A

SI2347DS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.41
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SI2347DS-T1-BE3

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78-SI2347DS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 3.8A

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S/0.502

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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

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5 A

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- 20 V, 20 V

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6.9 nC

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1.7 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.43
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SIA907EDJT-T1-GE3

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78-SIA907EDJT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/3.17

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S/2.16

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

47 mOhms, 47 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQD50P04-13L_T4GE3
Vishay / Siliconix
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49,618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD50P04-13L_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50P04-13LT4GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/8.37

S/5.37

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S/2.86

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S/2.39

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SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

SIR167DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.43
33,853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR167DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR167DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

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S/2.03

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4.6 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 19A 46W 60mohm @ 10V

SUD19P06-60L-E3
Vishay / Siliconix
1: S/7.75
57,809En existencias

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SUD19P06-60L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUD19P06-60L-E3

Vishay / Siliconix

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S/7.75

S/4.05

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S/2.46

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S/2.14

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

19 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7101DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.43
104,588En existencias

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SI7101DN-T1-GE3

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78-SI7101DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/2.03

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

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- 25 V, 25 V

2.5 V

68 nC

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+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL

SI2393DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.76
193,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2393DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2393DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL

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S/0.837

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S/0.638

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

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2.2 V

16.8 nC

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2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA459EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.54
115,234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA459EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA459EDJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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S/3.54

S/2.20

S/1.42

S/1.09

Envase tipo carrete

S/0.845

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

9 A

28 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

30 nC

- 50 C

+ 150 C

15.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75

SIB457EDK-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.62
78,553En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIB457EDK-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIB457EDK-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75

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S/3.62

S/2.25

S/1.46

S/1.12

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S/0.868

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SMD/SMT

SC-75-6

P-Channel

1 Channel

20 V

9 A

29 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

44 nC

- 55 C

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13 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V

SUM110P06-08L-E3
Vishay Semiconductors
1: S/23.04
129,153En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM110P06-08L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM110P06-08L-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V

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S/23.04

S/10.35

S/9.11

S/8.91

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S/8.91

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

110 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

272 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL

SI2369BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.88
324,833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2369BDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2369BDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL

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S/2.88

S/1.78

S/1.14

S/0.872

Envase tipo carrete

S/0.666

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

27 mOhms

- 20 V, 16 V

2.2 V

12.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ409EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.49
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ409EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ409EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/8.49

S/5.45

S/3.66

S/2.91

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.43

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Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ850EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.37
51,225En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ850EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ850EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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S/8.37

S/5.37

S/3.61

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.50

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

SUP50020EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.85
1,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP50020EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP50020EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

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S/16.85

S/11.09

S/8.45

S/7.08

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET

SIR570DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.66
6,804En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR570DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR570DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET

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6,804En existencias

Cinta cortada

S/16.66

S/10.98

S/6.27

S/6.15

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

77.4 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46.9 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS23DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.23
16,976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS23DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS23DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S

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16,976En existencias

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S/6.23

S/3.97

S/2.63

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.64

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

50 A

3.5 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

300 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A

IRFR9014PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.60
7,876En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9014PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR9014PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A

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7,876En existencias

S/8.60

S/3.93

S/3.50

S/2.95

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

5.1 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET

IRFR9220PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.57
7,833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9220PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR9220PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET

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7,833En existencias

S/12.57

S/8.17

S/5.64

S/4.59

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

200 V

3.6 A

1.5 Ohms

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4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level

SUD23N06-31L-T4-E3
Vishay / Siliconix
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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

23 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 35A 52W

SI7629DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

35 A

3.8 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

177 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 20V 7.8A

SIA4265EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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P-Channel

1 Channel

20 V

7.8 A

32 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

13.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 30V 6.4A

SIA4371EDJ-T1-GE3
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SC-70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

6.4 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

IRFR220TRPBF-BE3
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4.8 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

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Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V
4 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC
14.8 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W
6.5 W