Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Resultados: 177

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL

SI2369BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.49
335,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2369BDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2369BDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL

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Cinta cortada

S/2.49

S/1.55

S/0.996

S/0.755

Envase tipo carrete

S/0.564

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

27 mOhms

- 20 V, 16 V

2.2 V

12.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ409EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.94
42,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ409EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ409EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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42,200En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/5.10

S/3.43

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.21

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ850EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
51,504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ850EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ850EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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51,504En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.37

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.17

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSSOP8 P-CH 20V 10.3A

SI6423ADQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.68
5,749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI6423ADQ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI6423ADQ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSSOP8 P-CH 20V 10.3A

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5,749En existencias

Cinta cortada

S/5.68

S/3.58

S/2.38

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.48

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSSOP-8

P-Channel

1 Channel

20 V

12.5 A

9.8 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

112 nC

- 55 C

+ 150 C

2.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TO-220

SUP60030E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.73
1,094En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP60030E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP60030E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TO-220

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1,094En existencias

S/15.73

S/8.06

S/7.28

S/6.93

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

141 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET

IRFR9220PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.76
7,973En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9220PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR9220PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET

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7,973En existencias

S/11.76

S/7.63

S/5.29

S/4.44

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

200 V

3.6 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 30V 4A

SI1443EDH-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.22
49,676En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1443EDH-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1443EDH-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 30V 4A

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Comentarios de Producto

49,676En existencias

Cinta cortada

S/2.22

S/1.56

S/1.00

S/0.759

Envase tipo carrete

S/0.463

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

30 V

4 A

43 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch

SIA477EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.96
49,829En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA477EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA477EDJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch

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49,829En existencias

Cinta cortada

S/2.96

S/1.84

S/1.19

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.557

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

12 V

12 A

11.6 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISH129DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.64
14,790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH129DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH129DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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14,790En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/3.56

S/2.36

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.47

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

11.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

71 nC

- 50 C

+ 150 C

52.1 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 35A 52W

SI7629DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.38
30,302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7629DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7629DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 35A 52W

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30,302En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.09

S/2.71

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

35 A

3.8 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

177 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 20V 7.8A

SIA4265EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.61
20,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA4265EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA4265EDJT1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 20V 7.8A

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20,980En existencias

Cinta cortada

S/2.61

S/1.62

S/1.04

S/0.79

Envase tipo carrete

S/0.603

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

7.8 A

32 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

13.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 30V 6.4A

SIA4371EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.53
22,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA4371EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA437EDJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 30V 6.4A

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22,497En existencias

Cinta cortada

S/2.53

S/1.55

S/0.996

S/0.755

Envase tipo carrete

S/0.611

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

6.4 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

SIA469DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.30
102,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA469DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA469DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

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102,985En existencias

Cinta cortada

S/2.30

S/1.42

S/0.911

S/0.685

Envase tipo carrete

S/0.522

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

12 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

15.6 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-220

SUP10250E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.10
3,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP10250E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP10250E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-220

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3,007En existencias

S/15.10

S/7.67

S/6.97

S/5.68

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

63 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220

SUP90140E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.54
1,290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP90140E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP90140E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220

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1,290En existencias

S/16.54

S/8.60

S/7.82

S/6.27

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

13.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC75 P-CH 30V 4.3A

SIB4317EDK-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.76
26,184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIB4317EDK-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIB4317EDKT1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC75 P-CH 30V 4.3A

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26,184En existencias

Cinta cortada

S/2.76

S/1.70

S/1.09

S/0.833

Envase tipo carrete

S/0.638

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-75-6

1 Channel

30 V

4.3 A

65 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 4A

SI1441EDH-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.08
23,586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1441EDH-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1441EDH-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 4A

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Comentarios de Producto

23,586En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/1.90

S/1.23

S/0.938

Envase tipo carrete

S/0.596

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

34 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA817EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.92
49,450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA817EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA817EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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Hoja de datos

49,450En existencias

Cinta cortada

S/2.92

S/1.82

S/1.19

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.697

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

4.5 A

54 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

6.5 W

Enhancement

LITTLE FOOT, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI76

SI7615DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
7,812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7615DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7615DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI76

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7,812En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/5.41

S/3.67

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.38

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

35 A

3.1 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

183 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC75 N-CH 30V 4.5A

SIB4316EDK-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.65
28,232En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIB4316EDK-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIB4316EDKT1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC75 N-CH 30V 4.5A

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Hoja de datos

28,232En existencias

Cinta cortada

S/2.65

S/1.65

S/1.06

S/0.806

Envase tipo carrete

S/0.615

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-75-6

N-Channel

1 Channel

30 V

4.5 A

57 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III

SI7655DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.23
7,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7655DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7655DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

40 A

3 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

225 nC

- 50 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR165DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.49
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SIR165DP-T1-GE3

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78-SIR165DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQD50P06-15L_T4GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.52
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SQD50P06-15L_T4GE3

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78-SQD50P06-15LT4GE3

Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA923EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.93
25,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA923EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA923EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

44 mOhms, 44 mOhms

- 8 V, 8 V

1.4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level

SUD23N06-31L-T4-E3
Vishay / Siliconix
1: S/5.88
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N.º de artículo del Fabricante
SUD23N06-31L-T4-E3

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78-SUD23N06-31L-T4E3

Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

23 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.6 W, 1.7 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W