PSMN N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, LFPAK88, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. 

Resultados: 64
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R5-30YL/SOT669/LFPAK 149En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 57 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R5-30YL/SOT669/LFPAK 1,038En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 41 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 120A N-CH MOSFET
14,361Se espera el 14/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 196 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 58A N-CH MOSFET
13,500Se espera el 29/01/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 58 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 75 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 100A
2,700Se espera el 7/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 300 A 1.02 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 80.9 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 280A
2,969Se espera el 1/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 127 nC - 55 C + 150 C 198 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R5-60YS/SOT669/LFPAK
16,500Se espera el 1/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 56 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-25YLC/SOT669/LFPAK Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.45 V 66 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R0-100BS/SOT404/D2PAK Plazo de entrega no en existencias 5 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 90 V 100 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 125 nC - 55 C + 175 C 269 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 100A Plazo de entrega 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 96 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R9-25YLC/SOT669/LFPAK No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 25 V Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 66A Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 66 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.83 V 13.7 nC - 55 C + 175 C 47 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN4R0-30YL/SOT669/LFPAK No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 36.6 nC - 55 C + 175 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R0-30YL/SOT669/LFPAK No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 79 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 24 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel