Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V N-Channel Super Junction MOSFETs

PANJIT 600V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low R_DS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F or TO-247AD-3LD package. The 600V MOSFETs support an R_DS(ON) of 74mΩ, 190mΩ, 280mΩ, 360mΩ, 580mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.4A, 8A, 11A, 13.8A, 8A, 20A, or 53A current. The 100% avalanche and Rg-tested PANJIT 600V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

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Resultados: 26

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 280mohm Super Junction Easy versio

PJMF280N60E1_T0_00201
Panjit
1: S/12.46
1,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF280N60E1_T0_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF280N60E1T201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 280mohm Super Junction Easy versio

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S/12.46

S/8.06

S/5.96

S/4.98

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET

PJMH074N60FRC_T0_00601
Panjit
1: S/18.96
1,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMH074N60FRC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH074N60FRCT06

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET

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S/18.96

S/15.18

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF360N60EC_T0_00001
Panjit
1: S/13.31
1,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF360N60EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF360N60T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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1,999En existencias

S/13.31

S/8.10

S/7.24

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMD360N60EC_L2_00001
Panjit
1: S/7.05
2,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMD360N60EC_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMD360N60L20001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Cinta cortada

S/7.05

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

87.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF120N60EC_T0_00001
Panjit
1: S/13.55
824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF120N60EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF120N60T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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824En existencias

S/13.55

S/12.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm Super Junction Easy versio

PJMF190N60E1_T0_00201
Panjit
1: S/15.80
1,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF190N60E1_T0_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF190N60E1T201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm Super Junction Easy versio

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S/15.80

S/10.35

S/7.63

S/6.77

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMP360N60EC_T0_00001
Panjit
1: S/5.72
1,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP360N60EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP360N60T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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1,988En existencias

S/5.72

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

87.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMP120N60EC_T0_00001
Panjit
1: S/31.02
794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP120N60EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP120N60T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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794En existencias

S/31.02

S/16.85

S/15.49

S/13.31

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

235 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 580mohm Super Junction Easy versio

PJMF580N60E1_T0_00201
Panjit
1: S/9.26
1,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF580N60E1_T0_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF580N60E1T201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 580mohm Super Junction Easy versio

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1,993En existencias

S/9.26

S/5.92

S/4.13

S/3.47

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Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

580 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMD280N60E1_L2_00601
Panjit
1: S/7.47
2,985En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJMD280N60E1_L2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMD280N60E1L206

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET

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2,985En existencias

Cinta cortada

S/7.47

S/4.79

S/3.30

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Through Hole

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

122.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

PJMF105N60FRC_T0_00601
Panjit
1: S/22.73
2,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJMF105N60FRC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF105N60FRCT06

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

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2,000En existencias

S/22.73

S/18.18

S/14.71

S/13.08

S/11.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ITO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

5.8 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMH099N60EC_T0_00601
Panjit
1: S/27.87
840En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJMH099N60EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH099N60ECT006

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

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840En existencias

S/27.87

S/20.59

S/16.62

S/14.79

S/12.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-3

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

308 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

PJMP105N60FRC_T0_00601
Panjit
1: S/22.73
2,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJMP105N60FRC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP105N60FRCT06

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

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Hoja de datos

2,000En existencias

S/22.73

S/18.18

S/14.71

S/13.08

S/11.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-L-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

5.8 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

329 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss

PJMH074N60FRC
Panjit
1: S/35.73
1,470En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMH074N60FRC

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH074N60FRC

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss

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Hoja de datos

1,470En existencias

S/35.73

S/26.59

S/22.11

S/19.70

S/17.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-3LD

N-Channel

1 Channel

600 V

53 A

74 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMF099N60EC_T0_00601
Panjit
1: S/15.96
1,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF099N60EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF099N60ECT601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

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Hoja de datos

1,990En existencias

S/15.96

S/8.17

S/7.36

S/6.03

S/5.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ITO-220AB-F-3

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMP099N60EC_T0_00601
Panjit
1: S/29.47
1,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP099N60EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP099N60ECT601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

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Hoja de datos

1,997En existencias

S/29.47

S/16.50

S/16.11

S/15.53

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

308 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF190N60E1_T0_00001
Panjit
1: S/10.04
1,935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF190N60E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF190N60E1T001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Hoja de datos

1,935En existencias

S/10.04

S/5.45

S/5.14

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMD900N60EC_L2_00001
Panjit
1: S/10.20
5,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMD900N60EC_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMD900N60L20001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Hoja de datos

5,995En existencias

Cinta cortada

S/10.20

S/6.81

S/4.87

S/3.97

Ver

Envase tipo carrete

S/3.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

TO-252AA-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF280N60E1_T0_00001
Panjit
1: S/8.06
1,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF280N60E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF280N60E1T001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Hoja de datos

1,989En existencias

S/8.06

S/3.88

S/3.69

S/3.67

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF900N60EC_T0_00001
Panjit
1: S/12.14
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF900N60EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF900N60T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Hoja de datos

2,000En existencias

S/12.14

S/7.94

S/5.72

S/5.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio

PJMF900N60E1_T0_00201
Panjit
1: S/8.06
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF900N60E1_T0_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF900N60E1T201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio

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Hoja de datos

2,000En existencias

S/8.06

S/5.10

S/3.40

S/2.79

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

4.4 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

11.5 nC

- 55 C

+ 150 C

23.6 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1

PJMF360N60E1_T0_00001
Panjit
2,000: S/3.31
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMF360N60E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF360N60E1T001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

S/3.31

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio

PJMF360N60E1_T0_00201
Panjit
2,000: S/3.40
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMF360N60E1_T0_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF360N60E1T201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

S/3.40

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF580N60E1_T0_00001
Panjit
2,000: S/2.35
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMF580N60E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF580N60E1T001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/2.35

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1

PJMF900N60E1_T0_00001
Panjit
1: S/5.25
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMF900N60E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF900N60E1T001

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S/5.25

S/3.31

S/2.20

S/2.01

Min.: 1
Mult.: 1

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600V N-Channel Super Junction MOSFETs

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