Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V N-Channel Super Junction MOSFETs

PANJIT 600V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low R_DS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F or TO-247AD-3LD package. The 600V MOSFETs support an R_DS(ON) of 74mΩ, 190mΩ, 280mΩ, 360mΩ, 580mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.4A, 8A, 11A, 13.8A, 8A, 20A, or 53A current. The 100% avalanche and Rg-tested PANJIT 600V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

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Resultados: 26

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET

PJMH074N60FRC_T0_00601
Panjit
1: S/18.96
1,470En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMH074N60FRC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH074N60FRCT06

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET

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1,470En existencias

S/18.96

S/15.49

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 280mohm Super Junction Easy versio

PJMF280N60E1_T0_00201
Panjit
1: S/13.27
1,939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF280N60E1_T0_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF280N60E1T201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 280mohm Super Junction Easy versio

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1,939En existencias

S/13.27

S/8.64

S/5.96

S/4.98

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Min.: 1
Mult.: 1

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N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMP360N60EC_T0_00001
Panjit
1: S/7.36
1,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP360N60EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP360N60T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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1,988En existencias

S/7.36

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

87.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMP120N60EC_T0_00001
Panjit
1: S/33.24
794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP120N60EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP120N60T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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794En existencias

S/33.24

S/18.06

S/16.58

S/14.01

Ver

Min.: 1
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Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

235 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMD360N60EC_L2_00001
Panjit
1: S/7.55
2,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMD360N60EC_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMD360N60L20001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Cinta cortada

S/7.55

S/5.02

Envase tipo carrete

S/5.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

87.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF120N60EC_T0_00001
Panjit
1: S/14.09
824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF120N60EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF120N60T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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824En existencias

S/14.09

S/12.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF190N60E1_T0_00001
Panjit
1: S/10.98
1,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF190N60E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF190N60E1T001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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S/10.98

S/5.41

S/5.25

S/5.06

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm Super Junction Easy versio

PJMF190N60E1_T0_00201
Panjit
1: S/16.89
1,937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF190N60E1_T0_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF190N60E1T201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm Super Junction Easy versio

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S/16.89

S/11.09

S/8.25

S/6.93

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 580mohm Super Junction Easy versio

PJMF580N60E1_T0_00201
Panjit
1: S/10.00
1,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF580N60E1_T0_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF580N60E1T201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 580mohm Super Junction Easy versio

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S/10.00

S/6.38

S/4.32

S/3.47

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

580 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMD280N60E1_L2_00601
Panjit
1: S/8.06
2,985En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
PJMD280N60E1_L2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMD280N60E1L206

Nuevo en Mouser

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET

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Cinta cortada

S/8.06

S/5.14

S/3.46

S/2.74

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Through Hole

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

122.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMF099N60EC_T0_00601
Panjit
1: S/15.96
1,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF099N60EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF099N60ECT601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

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1,990En existencias

S/15.96

S/8.17

S/7.36

S/6.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ITO-220AB-F-3

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

PJMF105N60FRC_T0_00601
Panjit
1: S/27.05
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF105N60FRC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF105N60FRCT06

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

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2,000En existencias

S/27.05

S/14.44

S/13.16

S/11.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ITO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

5.8 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMH099N60EC_T0_00601
Panjit
1: S/29.66
830En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
PJMH099N60EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH099N60ECT006

Nuevo en Mouser

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

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830En existencias

S/29.66

S/17.09

S/14.29

S/13.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-3

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

308 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMP099N60EC_T0_00601
Panjit
1: S/37.37
1,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP099N60EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP099N60ECT601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

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1,997En existencias

S/37.37

S/20.55

S/18.88

S/18.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

308 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

PJMP105N60FRC_T0_00601
Panjit
1: S/27.05
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP105N60FRC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP105N60FRCT06

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

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2,000En existencias

S/27.05

S/14.44

S/13.16

S/11.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-L-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

5.8 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

329 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss

PJMH074N60FRC
Panjit
1: S/39.31
1,470En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMH074N60FRC

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH074N60FRC

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss

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1,470En existencias

S/39.31

S/26.86

S/22.11

S/19.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-3LD

N-Channel

1 Channel

600 V

53 A

74 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMD900N60EC_L2_00001
Panjit
1: S/5.02
5,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMD900N60EC_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMD900N60L20001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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5,990En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.37

Envase tipo carrete

S/3.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

TO-252AA-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF280N60E1_T0_00001
Panjit
1: S/8.21
1,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF280N60E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF280N60E1T001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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1,989En existencias

S/8.21

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1

PJMF360N60E1_T0_00001
Panjit
2,000: S/3.61
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMF360N60E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF360N60E1T001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

S/3.61

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio

PJMF360N60E1_T0_00201
Panjit
2,000: S/3.61
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMF360N60E1_T0_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF360N60E1T201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

S/3.61

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF360N60EC_T0_00001
Panjit
2,000: S/1.92
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMF360N60EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF360N60T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/1.92

S/1.85

S/1.78

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF580N60E1_T0_00001
Panjit
2,000: S/1.69
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMF580N60E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF580N60E1T001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/1.69

S/1.68

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1

PJMF900N60E1_T0_00001
Panjit
1: S/5.25
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMF900N60E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF900N60E1T001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

S/5.25

S/3.31

S/2.21

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio

PJMF900N60E1_T0_00201
Panjit
2,000: S/2.21
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMF900N60E1_T0_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF900N60E1T201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

S/2.21

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

4.4 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

11.5 nC

- 55 C

+ 150 C

23.6 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF900N60EC_T0_00001
Panjit
1: S/5.80
Plazo de entrega 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMF900N60EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF900N60T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Plazo de entrega 18 Semanas

S/5.80

S/3.60

S/2.37

S/1.86

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Min.: 1
Mult.: 1

Tube

600V N-Channel Super Junction MOSFETs

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