MOSFET M6 MDmesh™

Los MOSFET M6 MDmesh™ de STMicroelectronics combinan una carga de puerta baja (Qg) con un perfil de capacitancia optimizado para enfocar una alta eficiencia en nuevas topologías en aplicaciones de conversión de potencia. La serie M6 MDmesh con estructura de "súper unión" ofrece un rendimiento de eficiencia extremadamente alta, lo que permite una mayor densidad y una carga de puerta baja para altas frecuencias. Los MOSFET serie M6 tienen un voltaje de ruptura que oscila entre 600 y 700 V. Están disponibles en una amplia gama de opciones de empaque, como una solución de empaque TO sin plomo (TO-LL) que permite una gestión térmica eficiente. Los dispositivos incluyen un amplio rango de voltajes de funcionamiento para aplicaciones industriales como cargadores, adaptadores, módulos de caja de plata, iluminación LED, telecomunicaciones, servidores y energía solar.

Resultados: 50
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET
Hoja de datos
16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 69 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 520 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 320 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 780 mOhm typ., 5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si MDmesh Reel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 230 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 53.5 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 300 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 p
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 308 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 209 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
: 1,800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
: 1,800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 52.2 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 69 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms - 25 V, 25 V MDmesh Tube
STMicroelectronics STL19N60M6
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics STWA67N60M6
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 15 A 230 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 490 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 350 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 215 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 91 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 106 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube