Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET M6 MDmesh™

Los MOSFET M6 MDmesh™ de STMicroelectronics combinan una carga de puerta baja (Q_g) con un perfil de capacitancia optimizado para enfocar una alta eficiencia en nuevas topologías en aplicaciones de conversión de potencia. La serie M6 MDmesh con estructura de "súper unión" ofrece un rendimiento de eficiencia extremadamente alta, lo que permite una mayor densidad y una carga de puerta baja para altas frecuencias. Los MOSFET serie M6 tienen un voltaje de ruptura que oscila entre 600 y 700 V. Están disponibles en una amplia gama de opciones de empaque, como una solución de empaque TO sin plomo (TO-LL) que permite una gestión térmica eficiente. Los dispositivos incluyen un amplio rango de voltajes de funcionamiento para aplicaciones industriales como cargadores, adaptadores, módulos de caja de plata, iluminación LED, telecomunicaciones, servidores y energía solar.

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Resultados: 51

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP46N60M6
STMicroelectronics
1: S/14.13
985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP46N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP46N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

985En existencias

S/14.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

53.5 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW36N60M6
STMicroelectronics
1: S/29.15
2,819En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW36N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STW36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

2,819En existencias

S/29.15

S/16.78

S/13.04

S/12.81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

85 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

STL47N60M6
STMicroelectronics
1: S/24.56
1,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL47N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL47N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

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Hoja de datos

1,923En existencias

Cinta cortada

S/24.56

S/16.50

S/11.95

S/11.91

S/11.48

Envase tipo carrete

S/11.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP36N60M6
STMicroelectronics
1: S/26.62
973En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP36N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

973En existencias

S/26.62

S/14.25

S/13.43

S/11.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

85 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA75N60M6
STMicroelectronics
1: S/40.44
478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

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478En existencias

S/40.44

S/24.37

S/21.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB24N60M6
STMicroelectronics
1: S/14.17
1,455En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STB24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

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1,455En existencias

Cinta cortada

S/14.17

S/9.26

S/6.46

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.41

S/5.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N60M6
STMicroelectronics
1: S/10.74
1,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

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1,955En existencias

Cinta cortada

S/10.74

S/6.93

S/4.75

S/3.86

Envase tipo carrete

S/3.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

320 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB36N60M6
STMicroelectronics
1: S/24.56
1,696En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB36N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STB36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

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1,696En existencias

Cinta cortada

S/24.56

S/16.50

S/11.95

S/11.91

Envase tipo carrete

S/11.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

85 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP24N60M6
STMicroelectronics
1: S/13.12
767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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767En existencias

S/13.12

S/6.66

S/6.03

S/4.90

S/4.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP33N60M6
STMicroelectronics
1: S/20.94
640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP33N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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640En existencias

S/20.94

S/13.90

S/9.93

S/8.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

33.4 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF36N60M6
STMicroelectronics
1: S/27.33
319En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF36N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STF36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package

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Hoja de datos

319En existencias

S/27.33

S/18.49

S/13.47

S/12.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.25 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
1: S/10.16
2,794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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Hoja de datos

2,794En existencias

Cinta cortada

S/10.16

S/6.50

S/4.44

S/3.60

S/3.25

Envase tipo carrete

S/3.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

415 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
STMicroelectronics
1: S/9.89
1,767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL10N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL10N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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Hoja de datos

1,767En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/6.11

S/4.32

S/3.56

Envase tipo carrete

S/2.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

660 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB18N60M6
STMicroelectronics
1: S/13.08
883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STB18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

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Hoja de datos

883En existencias

Cinta cortada

S/13.08

S/8.21

S/5.88

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.32

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

280 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

16.8 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

STO36N60M6
STMicroelectronics
1: S/23.47
482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STO36N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STO36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

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Hoja de datos

482En existencias

Cinta cortada

S/23.47

S/15.73

S/11.33

S/11.21

S/10.51

Envase tipo carrete

S/9.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

TO-LL-8

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

STU3N65M6
STMicroelectronics
1: S/7.20
2,440En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STU3N65M6

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N65M6

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

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Hoja de datos

2,440En existencias

S/7.20

S/4.59

S/3.04

S/2.49

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3.5 A

1.5 Ohms

- 25 V, 25 V

2.25 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW24N60M6
STMicroelectronics
1: S/16.85
1,044En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

1,044En existencias

S/16.85

S/11.09

S/7.82

S/6.31

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW75N60M6
STMicroelectronics
1: S/44.57
485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW75N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STW75N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

485En existencias

S/44.57

S/32.19

S/30.67

S/18.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa

STF16N60M6
STMicroelectronics
1: S/12.92
55En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa

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Hoja de datos

55En existencias

S/12.92

S/6.54

S/5.92

S/4.79

S/4.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

320 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF24N60M6
STMicroelectronics
1: S/13.31
1,001En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STF24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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Hoja de datos

1,001En existencias

S/13.31

S/6.66

S/6.03

S/4.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW33N60M6
STMicroelectronics
1: S/22.73
222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW33N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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222En existencias

S/22.73

S/15.84

S/11.44

S/10.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

33.4 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD3N65M6
STMicroelectronics
1: S/7.28
2,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3N65M6

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511-STD3N65M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

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Cinta cortada

S/7.28

S/4.55

S/2.99

S/2.37

Envase tipo carrete

S/1.89

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: 2,500

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW48N60M6-4
STMicroelectronics
1: S/35.73
48En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW48N60M6-4

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511-STW48N60M6-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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48En existencias

S/35.73

S/26.00

S/21.68

S/18.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

69 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF18N60M6
STMicroelectronics
1: S/11.99
158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STF18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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S/11.99

S/6.89

S/5.37

S/4.16

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

280 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

16.8 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW70N60DM6-4
STMicroelectronics
1: S/44.84
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW70N60DM6-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW70N60DM6-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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25En existencias

S/44.84

S/29.43

S/24.83

S/22.15

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

62 A

42 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

99 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

MDmesh

Tube

MOSFET M6 MDmesh™

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42 mOhms
65 mOhms
69 mOhms
80 mOhms
85 mOhms
99 mOhms
110 mOhms
125 mOhms
190 mOhms
209 mOhms
215 mOhms
230 mOhms
250 mOhms
280 mOhms
308 mOhms
320 mOhms
350 mOhms
415 mOhms

25 W
30 W
35 W
40 W
42 W
45 W
48 W
52 W
57 W
90 W
109 W
110 W
130 W
160 W
189 W
190 W
208 W
230 W
240 W
250 W