Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
1: S/1.83
247,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L14FE(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L14FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

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Cinta cortada

S/1.83

S/1.11

S/0.705

S/0.525

Envase tipo carrete

S/0.335

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MouseReel Disponible

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2 Channel

20 V

80 mA, 720 mA

240 mOhms, 300 mOhms

- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V

350 mV, 1 V

2 nC, 1.76 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII / U-MOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

SSM6L40TU,LF
Toshiba
1: S/2.37
139,300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L40TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

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Cinta cortada

S/2.37

S/1.46

S/0.934

S/0.708

Envase tipo carrete

S/0.455

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MouseReel Disponible

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UF-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.4 A, 1.6 A

122 mOhms, 226 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2 V

5.1 nC, 2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

SSM3K127TU,LF
Toshiba
1: S/1.95
25,170En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K127TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K127TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

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Cinta cortada

S/1.95

S/1.18

S/0.763

S/0.568

Envase tipo carrete

S/0.424

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MouseReel Disponible

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UFM-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

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- 12 V, 12 V

1 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3J36FS,LF
Toshiba
1: S/0.973
280,281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J36FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J36FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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S/0.973

S/0.596

S/0.374

S/0.272

Envase tipo carrete

S/0.163

Ver

MouseReel Disponible

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P-Channel

1 Channel

20 V

330 mA

1.31 Ohms

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300 mV

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150 mW

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AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V

SSM6P40TU,LF
Toshiba
1: S/2.49
57,111En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P40TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V

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S/2.49

S/1.55

S/0.993

S/0.747

Envase tipo carrete

S/0.553

Ver

MouseReel Disponible

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1.4 A

226 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package

SSM6K404TU,LF
Toshiba
1: S/3.00
2,128En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K404TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K404TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package

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S/3.00

S/1.86

S/1.19

S/0.899

Envase tipo carrete

S/0.568

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

20 V

3 A

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- 10 V, 10 V

1 V

5.9 nC

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

XPJR6604PB,LXHQ
Toshiba
1: S/9.89
3,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPJR6604PB,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPJR6604PBLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

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S/9.89

S/6.73

S/5.68

S/5.57

S/5.25

Envase tipo carrete

S/5.18

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

530 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

128 nC

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM3K35AMFV,L3F
Toshiba
1: S/0.856
105,938En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K35AMFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K35AMFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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S/0.856

S/0.514

S/0.319

S/0.234

Envase tipo carrete

S/0.121

Ver

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SMD/SMT

VESM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

1.1 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

340 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

SSM3K36MFV,L3F
Toshiba
1: S/1.32
123,353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K36MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K36MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

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S/1.32

S/0.806

S/0.506

S/0.374

Envase tipo carrete

S/0.202

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

- 5 V, 5 V

350 mV

1.23 nC

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS

SSM6N15AFU,LF
Toshiba
1: S/1.56
250,135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N15AFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N15AFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS

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250,135En existencias

Cinta cortada

S/1.56

S/1.09

S/0.693

S/0.436

Envase tipo carrete

S/0.335

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

3.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM6N35AFE,LF
Toshiba
1: S/1.40
108,453En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35AFE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35AFELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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108,453En existencias

Cinta cortada

S/1.40

S/0.86

S/0.541

S/0.401

Envase tipo carrete

S/0.253

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

750 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

340 pC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V

SSM6N37FU,LF
Toshiba
1: S/1.36
54,279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N37FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N37FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V

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54,279En existencias

Cinta cortada

S/1.36

S/0.845

S/0.529

S/0.393

Envase tipo carrete

S/0.288

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

1.65 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz

SSM3K123TU,LF
Toshiba
1: S/2.53
3,401En existencias
27,000Se espera el 24/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K123TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K123TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz

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3,401En existencias

27,000Se espera el 24/07/2026

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S/2.53

S/1.56

S/1.00

S/0.755

Envase tipo carrete

S/0.576

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.2 A

28 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

SSM3K15ACTC,L3F
Toshiba
1: S/0.973
19,239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K15ACTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K15ACTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

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19,239En existencias

Cinta cortada

S/0.973

S/0.596

S/0.374

S/0.272

Envase tipo carrete

S/0.144

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3K36FS,LF
Toshiba
1: S/0.973
25,719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K36FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K36FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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25,719En existencias

Cinta cortada

S/0.973

S/0.596

S/0.374

S/0.272

Envase tipo carrete

S/0.199

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

1.23 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K37CT,L3F
Toshiba
1: S/0.895
20,000En existencias
20,000Se espera el 12/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K37CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K37CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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20,000En existencias

20,000Se espera el 12/06/2026

Cinta cortada

S/0.895

S/0.557

S/0.346

S/0.257

Envase tipo carrete

S/0.148

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

20 V

200 mA

5.6 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.25A 20V 12pF

SSM3K37MFV,L3F
Toshiba
1: S/0.973
1,354En existencias
16,000Se espera el 1/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K37MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K37MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.25A 20V 12pF

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Hoja de datos

1,354En existencias

16,000Se espera el 1/06/2026

Cinta cortada

S/0.973

S/0.596

S/0.374

S/0.272

Envase tipo carrete

S/0.144

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Min.: 1
Mult.: 1

: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

2.2 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD

SSM6N15AFE,LM
Toshiba
1: S/1.40
3,643En existencias
4,000Se espera el 3/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N15AFE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N15AFELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD

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3,643En existencias

4,000Se espera el 3/07/2026

Cinta cortada

S/1.40

S/0.926

S/0.58

S/0.397

Envase tipo carrete

S/0.237

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

3.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=0.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4.5V

SSM6N24TU,LF
Toshiba
1: S/2.92
1,230En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N24TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N24TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=0.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4.5V

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Cinta cortada

S/2.92

S/1.77

S/1.13

S/0.856

Envase tipo carrete

S/0.537

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UF-6

N-Channel

1 Channel

30 V

500 mA

145 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM6N35AFU,LF
Toshiba
1: S/1.71
2,340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35AFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35AFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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2,340En existencias

Cinta cortada

S/1.71

S/1.04

S/0.658

S/0.49

Envase tipo carrete

S/0.354

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

750 mOhms, 750 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

340 pC

- 55 C

+ 150 C

285 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V

SSM6N36FE,LM
Toshiba
1: S/1.44
4,000En existencias

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SSM6N36FE,LM

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757-SSM6N36FELM

Toshiba

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SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

1.23 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V

SSM6N37FE,LM
Toshiba
1: S/1.25
3,582En existencias
8,000En pedido

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SSM6N37FE,LM

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757-SSM6N37FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V

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ES6-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

2.2 Ohms, 2.2 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6P36FE,LM
Toshiba
1: S/1.44
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SSM6P36FE,LM

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757-SSM6P36FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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S/1.44

S/0.887

S/0.557

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SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

2 Channel

20 V

330 mA

3.6 Ohms

- 8 V, 8 V

300 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

SSM3K122TU,LF
Toshiba
1: S/2.10
12,106En existencias

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SSM3K122TU,LF

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757-SSM3K122TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

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UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2 A

123 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

SSM3K15ACT,L3F
Toshiba
1: S/1.05
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SSM3K15ACT,L3F

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757-SSM3K15ACTL3F

Toshiba

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S/0.397

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: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

3.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

U-MOSIII

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

530 uOhms
28 mOhms
55 mOhms
66 mOhms
73 mOhms
87 mOhms, 87 mOhms
93 mOhms
120 mOhms, 210 mOhms
122 mOhms
122 mOhms, 226 mOhms
123 mOhms
126 mOhms
133 mOhms
145 mOhms
213 mOhms
226 mOhms
240 mOhms, 300 mOhms
247 mOhms, 430 mOhms
460 mOhms, 950 mOhms
630 mOhms