Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

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Resultados: 43

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS

SSM6N15AFU,LF
Toshiba
1: S/1.21
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SSM6N15AFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N15AFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS

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S/1.21

S/0.74

S/0.463

S/0.343

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S/0.241

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

3.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
1: S/1.79
282,583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L14FE(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L14FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

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Cinta cortada

S/1.79

S/1.11

S/0.705

S/0.529

Envase tipo carrete

S/0.30

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

80 mA, 720 mA

240 mOhms, 300 mOhms

- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V

350 mV, 1 V

2 nC, 1.76 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII / U-MOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

SSM6L40TU,LF
Toshiba
1: S/2.37
143,935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L40TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

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S/2.37

S/1.46

S/0.934

S/0.705

Envase tipo carrete

S/0.436

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SMD/SMT

UF-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.6 A, 1.4 A

122 mOhms, 226 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2 V

5.1 nC, 2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM3K35AMFV,L3F
Toshiba
1: S/0.74
304,777En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K35AMFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K35AMFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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Cinta cortada

S/0.74

S/0.42

S/0.175

S/0.136

Envase tipo carrete

S/0.097

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Carrete: 8,000

SMD/SMT

VESM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

1.1 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

340 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3J36FS,LF
Toshiba
1: S/0.895
283,861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J36FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J36FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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Cinta cortada

S/0.895

S/0.557

S/0.346

S/0.257

Envase tipo carrete

S/0.136

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

P-Channel

1 Channel

20 V

330 mA

1.31 Ohms

- 8 V, 8 V

300 mV

1.2 nC

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V

SSM6P40TU,LF
Toshiba
1: S/1.95
57,311En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P40TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V

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S/1.95

S/1.45

S/0.926

S/0.701

Envase tipo carrete

S/0.448

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

UF-6

P-Channel

1 Channel

30 V

1.4 A

226 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

SSM3K122TU,LF
Toshiba
1: S/1.79
15,631En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K122TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K122TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

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S/1.79

S/1.20

S/0.771

S/0.576

Envase tipo carrete

S/0.385

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Min.: 1
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SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2 A

123 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package

SSM6K404TU,LF
Toshiba
1: S/2.49
2,328En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K404TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K404TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package

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Cinta cortada

S/2.49

S/1.52

S/0.996

S/0.74

Envase tipo carrete

S/0.483

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

20 V

3 A

55 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V

SSM6N36FE,LM
Toshiba
1: S/1.44
16,967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N36FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N36FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V

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Cinta cortada

S/1.44

S/0.887

S/0.413

S/0.35

Envase tipo carrete

S/0.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

1.23 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

XPJR6604PB,LXHQ
Toshiba
1: S/9.61
3,360En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPJR6604PB,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPJR6604PBLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

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3,360En existencias

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S/9.61

S/5.92

S/5.37

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.55

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

530 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

128 nC

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K35CTC,L3F
Toshiba
1: S/0.934
79,690En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K35CTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K35CTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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79,690En existencias

Cinta cortada

S/0.934

S/0.584

S/0.335

S/0.272

Envase tipo carrete

S/0.128

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

N-Channel

1 Channel

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

SSM3K36MFV,L3F
Toshiba
1: S/1.32
159,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K36MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K36MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

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159,978En existencias

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S/1.32

S/0.806

S/0.506

S/0.374

Envase tipo carrete

S/0.183

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

- 5 V, 5 V

350 mV

1.23 nC

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM6N35AFE,LF
Toshiba
1: S/1.44
118,883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35AFE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35AFELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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118,883En existencias

Cinta cortada

S/1.44

S/1.10

S/0.623

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.241

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

750 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

340 pC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz

SSM3K123TU,LF
Toshiba
1: S/1.95
14,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K123TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K123TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz

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14,880En existencias

Cinta cortada

S/1.95

S/1.24

S/0.817

S/0.638

Envase tipo carrete

S/0.49

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.2 A

28 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

SSM3K127TU,LF
Toshiba
1: S/1.91
25,886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K127TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K127TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

25,886En existencias

Cinta cortada

S/1.91

S/1.18

S/0.763

S/0.568

Envase tipo carrete

S/0.413

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

93 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

SSM3K15AMFV,L3F
Toshiba
1: S/0.895
58,072En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K15AMFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K15AMFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

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58,072En existencias

Cinta cortada

S/0.895

S/0.553

S/0.346

S/0.257

Envase tipo carrete

S/0.136

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 8,000

N-Channel

1 Channel

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V

SSM6N37FU,LF
Toshiba
1: S/1.28
68,004En existencias
30,000Se espera el 24/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N37FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N37FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V

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68,004En existencias

30,000Se espera el 24/04/2026

Cinta cortada

S/1.28

S/0.79

S/0.494

S/0.354

Envase tipo carrete

S/0.237

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

1.65 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

SSM3K15ACTC,L3F
Toshiba
1: S/1.01
19,967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K15ACTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K15ACTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

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19,967En existencias

Cinta cortada

S/1.01

S/0.611

S/0.385

S/0.288

Envase tipo carrete

S/0.171

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3K36FS,LF
Toshiba
1: S/0.817
504En existencias
28,366Se espera el 13/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K36FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K36FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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504En existencias

28,366Se espera el 13/02/2026

Cinta cortada

S/0.817

S/0.525

S/0.214

S/0.191

Envase tipo carrete

S/0.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

1.23 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K37CT,L3F
Toshiba
1: S/0.856
18,740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K37CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K37CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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18,740En existencias

Cinta cortada

S/0.856

S/0.541

S/0.30

S/0.226

Envase tipo carrete

S/0.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

20 V

200 mA

5.6 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM3K37FS,LF
Toshiba
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SSM3K37FS,LF

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757-SSM3K37FSLF

Toshiba

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SOT-416-3

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- 55 C

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SSM3K15ACT,L3F
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CST3-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

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- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

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SSM3K15AFS,LF
Toshiba
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SSM3K15AFS,LF

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SSM3K15AFU,LF
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SSM3K15AFU,LF

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SOT-323-3

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30 V

100 mA

3.6 Ohms

- 20 V, 20 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM3K35AFS,LF
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12,103En existencias
18,000Se espera el 20/02/2026

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SSM3K35AFS,LF

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757-SSM3K35AFSLF

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250 mA

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93 mOhms
120 mOhms, 210 mOhms
122 mOhms
122 mOhms, 226 mOhms
123 mOhms
126 mOhms
133 mOhms
145 mOhms
213 mOhms
226 mOhms
240 mOhms, 300 mOhms
247 mOhms, 430 mOhms
460 mOhms, 950 mOhms
630 mOhms