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RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K809R,LXHF
Toshiba
1: S/4.24
37,520En existencias

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SSM6K809R,LXHF

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757-SSM6K809RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

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S/4.24

S/2.64

S/1.73

S/1.34

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S/1.02

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Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)

RN1901FE,LXHF(CT
Toshiba
1: S/1.67
34,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN1901FE,LXHF(CT

N.º de artículo de Mouser
757-RN1901FELXHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)

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S/1.67

S/1.02

S/0.646

S/0.483

Envase tipo carrete

S/0.311

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: 4,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)

RN1106MFV,L3XHF(CT
Toshiba
1: S/1.05
41,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN1106MFV,L3XHF(CT

N.º de artículo de Mouser
757-RN1106MFVL3XHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)

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S/1.05

S/0.887

S/0.561

S/0.354

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S/0.163

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: 8,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

RN2410,LXHF
Toshiba
1: S/1.32
5,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2410,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN2410LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

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S/1.32

S/1.23

S/0.829

S/0.561

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S/0.257

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Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)

RN1418,LXHF
Toshiba
1: S/1.60
5,983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN1418,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN1418LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)

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S/1.60

S/1.10

S/0.697

S/0.44

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S/0.335

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: 3,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

RN2111,LXHF(CT
Toshiba
1: S/1.17
5,900En existencias

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RN2111,LXHF(CT

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757-RN2111LXHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

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S/1.17

S/0.72

S/0.452

S/0.335

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S/0.237

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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

RN2405,LXHF
Toshiba
1: S/1.21
2,715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2405,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN2405LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

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S/1.21

S/0.74

S/0.463

S/0.343

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S/0.241

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Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

RN2416,LXHF
Toshiba
1: S/1.21
5,985En existencias

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RN2416,LXHF

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757-RN2416LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

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S/1.21

S/0.74

S/0.463

S/0.343

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S/0.241

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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

RN2115,LXHF(CT
Toshiba
1: S/1.17
5,998En existencias

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RN2115,LXHF(CT

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757-RN2115LXHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

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S/1.17

S/0.72

S/0.452

S/0.335

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S/0.237

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F

SSM6L820R,LXHF
Toshiba
1: S/3.93
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SSM6L820R,LXHF

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757-SSM6L820RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F

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S/3.93

S/2.45

S/1.60

S/1.23

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S/0.958

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)

HN1A01FE-GR,LXHF
Toshiba
1: S/2.69
7,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1A01FE-GR,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1A01FE-GRLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)

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S/2.69

S/1.67

S/1.07

S/0.817

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S/0.553

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)

2SC4116-BL,LXHF
Toshiba
1: S/1.52
2,308En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SC4116-BL,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-2SC4116-BLLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)

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S/1.52

S/0.919

S/0.576

S/0.424

Envase tipo carrete

S/0.257

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)

HN1B04FE-GR,LXHF
Toshiba
1: S/2.69
7,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1B04FE-GR,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1B04FE-GRLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)

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S/2.69

S/1.67

S/1.07

S/0.817

Envase tipo carrete

S/0.607

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)

HN1C01FU-Y,LXHF
Toshiba
1: S/2.49
5,757En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1C01FU-Y,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1C01FU-YLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)

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S/2.49

S/1.55

S/0.993

S/0.751

Envase tipo carrete

S/0.572

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)

HN1A01FE-Y,LXHF
Toshiba
1: S/2.96
6,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1A01FE-Y,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1A01FE-YLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)

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S/2.96

S/1.82

S/1.17

S/0.891

Envase tipo carrete

S/0.603

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: 4,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)

HN1C01FU-GR,LXHF
Toshiba
1: S/2.57
5,644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1C01FU-GR,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1C01FU-GRLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)

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S/2.57

S/2.02

S/1.25

S/0.923

Envase tipo carrete

S/0.592

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K810R,LXHF
Toshiba
1: S/4.24
4,724En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K810R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K810RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F

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S/4.24

S/2.64

S/1.73

S/1.34

Envase tipo carrete

S/1.02

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F

SSM6J808R,LXHF
Toshiba
1: S/4.83
5,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J808R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J808RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F

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Cinta cortada

S/4.83

S/3.03

S/1.99

S/1.54

Envase tipo carrete

S/1.22

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K819R,LXHF
Toshiba
1: S/6.07
7,484En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K819R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K819RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F

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7,484En existencias

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S/6.07

S/3.84

S/2.57

S/2.02

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.67

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: 3,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323

DF2B18FU,H3XHF
Toshiba
1: S/1.05
7,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DF2B18FU,H3XHF

N.º de artículo de Mouser
757-DF2B18FUH3XHF

Toshiba

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323

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S/1.05

S/0.685

S/0.378

S/0.331

Envase tipo carrete

S/0.195

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)

2SA1162-GR,LXHF
Toshiba
1: S/1.40
11,216En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SA1162-GR,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-2SA1162-GRLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)

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Cinta cortada

S/1.40

S/0.852

S/0.537

S/0.397

Envase tipo carrete

S/0.292

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)

2SA1162-O,LXHF
Toshiba
1: S/1.40
5,779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SA1162-O,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-2SA1162-OLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)

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S/1.40

S/0.852

S/0.537

S/0.397

Envase tipo carrete

S/0.276

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Mult.: 1

: 3,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)

2SA1162-Y,LXHF
Toshiba
1: S/1.32
7,689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SA1162-Y,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-2SA1162-YLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)

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7,689En existencias

Cinta cortada

S/1.32

S/0.806

S/0.506

S/0.374

Envase tipo carrete

S/0.269

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Mult.: 1

: 3,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM)

2SA1586-GR,LXHF
Toshiba
1: S/1.17
7,077En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SA1586-GR,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-2SA1586-GRLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM)

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7,077En existencias

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S/1.17

S/0.72

S/0.452

S/0.335

Envase tipo carrete

S/0.237

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: 3,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)

2SA1586-Y,LXHF
Toshiba
1: S/1.25
487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SA1586-Y,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-2SA1586-YLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)

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487En existencias

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S/1.25

S/0.763

S/0.479

S/0.354

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S/0.245

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RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

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