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RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

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Transistores digitales AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)

RN1106MFV,L3XHF(CT
Toshiba
1: S/1.05
42,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN1106MFV,L3XHF(CT

N.º de artículo de Mouser
757-RN1106MFVL3XHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)

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42,180En existencias

Cinta cortada

S/1.05

S/0.961

S/0.646

S/0.401

Envase tipo carrete

S/0.16

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K809R,LXHF
Toshiba
1: S/4.24
37,637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K809R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K809RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

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37,637En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.64

S/1.73

S/1.34

Envase tipo carrete

S/1.02

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Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)

RN1901FE,LXHF(CT
Toshiba
1: S/1.56
35,170En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN1901FE,LXHF(CT

N.º de artículo de Mouser
757-RN1901FELXHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)

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35,170En existencias

Cinta cortada

S/1.56

S/0.965

S/0.607

S/0.455

Envase tipo carrete

S/0.284

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K819R,LXHF
Toshiba
1: S/6.07
9,284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K819R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K819RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F

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Cinta cortada

S/6.07

S/3.84

S/2.57

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.57

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Carrete: 3,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)

RN1402,LXHF
Toshiba
1: S/1.17
5,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN1402,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN1402LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)

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5,560En existencias

Cinta cortada

S/1.17

S/0.716

S/0.448

S/0.331

Envase tipo carrete

S/0.257

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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)

RN1401,LXHF
Toshiba
1: S/1.25
2,531En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN1401,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN1401LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)

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2,531En existencias

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S/1.25

S/0.887

S/0.557

S/0.409

Envase tipo carrete

S/0.241

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

RN2410,LXHF
Toshiba
1: S/1.32
5,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2410,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN2410LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

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5,980En existencias

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S/1.32

S/1.23

S/0.829

S/0.561

Envase tipo carrete

S/0.257

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)

2SC4116-BL,LXHF
Toshiba
1: S/1.17
5,558En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SC4116-BL,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-2SC4116-BLLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)

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S/1.17

S/0.72

S/0.452

S/0.335

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S/0.237

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Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346)

RN2411,LXHF
Toshiba
1: S/1.25
6,000En existencias

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RN2411,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN2411LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346)

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S/1.25

S/0.755

S/0.479

S/0.358

Envase tipo carrete

S/0.257

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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

RN2115,LXHF(CT
Toshiba
1: S/1.17
5,998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2115,LXHF(CT

N.º de artículo de Mouser
757-RN2115LXHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

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S/1.17

S/0.72

S/0.452

S/0.335

Envase tipo carrete

S/0.237

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Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)

RN1418,LXHF
Toshiba
1: S/1.32
5,985En existencias

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RN1418,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN1418LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)

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S/1.32

S/1.23

S/0.829

S/0.561

Envase tipo carrete

S/0.257

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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

RN2111,LXHF(CT
Toshiba
1: S/1.17
5,900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2111,LXHF(CT

N.º de artículo de Mouser
757-RN2111LXHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

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5,900En existencias

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S/1.17

S/0.72

S/0.452

S/0.335

Envase tipo carrete

S/0.237

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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

RN2405,LXHF
Toshiba
1: S/1.21
2,730En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2405,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN2405LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

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2,730En existencias

Cinta cortada

S/1.21

S/0.74

S/0.463

S/0.343

Envase tipo carrete

S/0.241

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Carrete: 3,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

RN2416,LXHF
Toshiba
1: S/1.21
5,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2416,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN2416LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

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5,985En existencias

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S/1.21

S/0.74

S/0.463

S/0.343

Envase tipo carrete

S/0.241

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)

HN1C01FU-GR,LXHF
Toshiba
1: S/2.57
5,644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1C01FU-GR,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1C01FU-GRLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)

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5,644En existencias

Cinta cortada

S/2.57

S/1.58

S/1.02

S/0.779

Envase tipo carrete

S/0.572

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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K810R,LXHF
Toshiba
1: S/4.24
4,724En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K810R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K810RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F

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4,724En existencias

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S/4.24

S/2.64

S/1.73

S/1.34

Envase tipo carrete

S/1.02

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)

HN1A01FE-GR,LXHF
Toshiba
1: S/2.69
7,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1A01FE-GR,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1A01FE-GRLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)

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7,700En existencias

Cinta cortada

S/2.69

S/1.67

S/1.07

S/0.817

Envase tipo carrete

S/0.553

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Min.: 1
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Carrete: 4,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)

HN1B04FE-GR,LXHF
Toshiba
1: S/2.69
7,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1B04FE-GR,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1B04FE-GRLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)

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Hoja de datos

7,772En existencias

Cinta cortada

S/2.69

S/1.67

S/1.07

S/0.817

Envase tipo carrete

S/0.572

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)

HN1C01FU-Y,LXHF
Toshiba
1: S/2.49
5,762En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1C01FU-Y,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1C01FU-YLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)

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5,762En existencias

Cinta cortada

S/2.49

S/1.55

S/0.993

S/0.751

Envase tipo carrete

S/0.572

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Carrete: 3,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323

DF3D18FU,LXHF
Toshiba
1: S/1.05
32,535En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DF3D18FU,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-DF3D18FULXHF

Toshiba

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323

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32,535En existencias

Cinta cortada

S/1.05

S/0.685

S/0.378

S/0.331

S/0.311

Envase tipo carrete

S/0.167

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F

SSM6J808R,LXHF
Toshiba
1: S/4.55
5,961En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J808R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J808RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F

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5,961En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.83

S/1.86

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.11

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323

DF2B18FU,H3XHF
Toshiba
1: S/1.05
1,515En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DF2B18FU,H3XHF

N.º de artículo de Mouser
757-DF2B18FUH3XHF

Toshiba

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323

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Hoja de datos

1,515En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/1.05

S/0.685

S/0.378

S/0.331

Envase tipo carrete

S/0.195

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323

DF2B36FU,H3XHF
Toshiba
1: S/1.05
9,256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DF2B36FU,H3XHF

N.º de artículo de Mouser
757-DF2B36FUH3XHF

Toshiba

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323

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Hoja de datos

9,256En existencias

Cinta cortada

S/1.05

S/0.685

S/0.471

S/0.362

Envase tipo carrete

S/0.284

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)

RN1102MFV,L3XHF(CT
Toshiba
1: S/1.05
6,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN1102MFV,L3XHF(CT

N.º de artículo de Mouser
757-RN1102MFVL3XHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)

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6,045En existencias

Cinta cortada

S/1.05

S/0.631

S/0.397

S/0.292

Envase tipo carrete

S/0.152

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)

2SA1162-GR,LXHF
Toshiba
1: S/1.32
11,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SA1162-GR,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-2SA1162-GRLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)

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11,246En existencias

Cinta cortada

S/1.32

S/0.806

S/0.506

S/0.374

Envase tipo carrete

S/0.269

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RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

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