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RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K809R,LXHF
Toshiba
1: S/4.48
37,518En existencias

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SSM6K809R,LXHF

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757-SSM6K809RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

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S/4.48

S/2.80

S/1.84

S/1.42

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S/1.11

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: 3,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)

RN1106MFV,L3XHF(CT
Toshiba
1: S/1.05
41,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN1106MFV,L3XHF(CT

N.º de artículo de Mouser
757-RN1106MFVL3XHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)

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Cinta cortada

S/1.05

S/0.887

S/0.561

S/0.354

Envase tipo carrete

S/0.163

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: 8,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)

RN1901FE,LXHF(CT
Toshiba
1: S/1.67
34,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN1901FE,LXHF(CT

N.º de artículo de Mouser
757-RN1901FELXHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)

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34,280En existencias

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S/1.67

S/1.02

S/0.646

S/0.483

Envase tipo carrete

S/0.311

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Mult.: 1

: 4,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

RN2410,LXHF
Toshiba
1: S/1.60
5,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2410,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN2410LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

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S/1.60

S/1.10

S/0.697

S/0.44

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S/0.335

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: 3,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)

RN1402,LXHF
Toshiba
1: S/1.60
5,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN1402,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN1402LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)

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S/1.60

S/1.10

S/0.697

S/0.44

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S/0.249

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)

2SC4116-BL,LXHF
Toshiba
1: S/1.52
1,948En existencias
6,000Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
2SC4116-BL,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-2SC4116-BLLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)

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1,948En existencias

6,000Se espera el 24/12/2026

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S/1.52

S/0.919

S/0.576

S/0.424

Envase tipo carrete

S/0.257

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: 3,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

RN2115,LXHF(CT
Toshiba
1: S/1.52
5,998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2115,LXHF(CT

N.º de artículo de Mouser
757-RN2115LXHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

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S/1.52

S/0.919

S/0.576

S/0.424

Envase tipo carrete

S/0.323

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: 3,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)

RN1418,LXHF
Toshiba
1: S/1.60
5,983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN1418,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN1418LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)

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S/1.60

S/1.10

S/0.697

S/0.44

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S/0.335

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: 3,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

RN2111,LXHF(CT
Toshiba
1: S/1.52
5,900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2111,LXHF(CT

N.º de artículo de Mouser
757-RN2111LXHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

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S/1.52

S/0.919

S/0.576

S/0.424

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S/0.323

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Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

RN2405,LXHF
Toshiba
1: S/1.56
2,715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2405,LXHF

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757-RN2405LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

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2,715En existencias

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S/1.56

S/0.942

S/0.588

S/0.44

Envase tipo carrete

S/0.265

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Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

RN2416,LXHF
Toshiba
1: S/1.56
5,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2416,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-RN2416LXHF

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)

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S/1.56

S/0.942

S/0.588

S/0.44

Envase tipo carrete

S/0.335

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F

SSM6L820R,LXHF
Toshiba
1: S/3.93
6,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L820R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L820RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F

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S/3.93

S/2.45

S/1.60

S/1.23

Envase tipo carrete

S/0.958

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K810R,LXHF
Toshiba
1: S/4.48
4,724En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K810R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K810RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F

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S/4.48

S/2.80

S/1.84

S/1.42

Envase tipo carrete

S/1.11

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: 3,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)

HN1B04FE-GR,LXHF
Toshiba
1: S/2.96
7,762En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1B04FE-GR,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1B04FE-GRLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)

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7,762En existencias

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S/2.96

S/1.82

S/1.17

S/0.891

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S/0.634

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: 4,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)

HN1C01FU-Y,LXHF
Toshiba
1: S/2.72
5,747En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1C01FU-Y,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1C01FU-YLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)

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S/2.72

S/1.69

S/1.08

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.592

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: 3,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)

HN1A01FE-Y,LXHF
Toshiba
1: S/2.96
6,210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1A01FE-Y,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1A01FE-YLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)

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6,210En existencias

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S/2.96

S/1.82

S/1.17

S/0.891

Envase tipo carrete

S/0.603

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: 4,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)

HN1C01FU-GR,LXHF
Toshiba
1: S/2.72
5,634En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1C01FU-GR,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1C01FU-GRLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)

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5,634En existencias

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S/2.72

S/1.69

S/1.08

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.592

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)

HN1A01FE-GR,LXHF
Toshiba
1: S/2.96
7,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HN1A01FE-GR,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-HN1A01FE-GRLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)

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S/2.96

S/1.82

S/1.17

S/0.891

Envase tipo carrete

S/0.599

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Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F

SSM6J808R,LXHF
Toshiba
1: S/4.83
5,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J808R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J808RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F

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5,109En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/3.03

S/1.99

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.22

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K819R,LXHF
Toshiba
1: S/6.46
6,434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K819R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K819RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F

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6,434En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.13

S/2.73

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.80

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: 3,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323

DF2B18FU,H3XHF
Toshiba
1: S/1.05
6,205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DF2B18FU,H3XHF

N.º de artículo de Mouser
757-DF2B18FUH3XHF

Toshiba

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323

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S/1.05

S/0.685

S/0.378

S/0.331

Envase tipo carrete

S/0.195

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

RN2110,LXHF(CT
Toshiba
1: S/1.25
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RN2110,LXHF(CT

N.º de artículo de Mouser
757-RN2110LXHFCT

Toshiba

Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/1.25

S/0.763

S/0.479

S/0.354

Envase tipo carrete

S/0.245

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)

2SA1162-GR,LXHF
Toshiba
1: S/1.40
11,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SA1162-GR,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-2SA1162-GRLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)

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11,116En existencias

Cinta cortada

S/1.40

S/0.852

S/0.537

S/0.397

Envase tipo carrete

S/0.292

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)

2SA1162-O,LXHF
Toshiba
1: S/1.40
5,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SA1162-O,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-2SA1162-OLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)

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5,764En existencias

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S/1.40

S/0.852

S/0.537

S/0.397

Envase tipo carrete

S/0.276

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: 3,000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)

2SA1162-Y,LXHF
Toshiba
1: S/1.40
7,689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SA1162-Y,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-2SA1162-YLXHF

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)

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7,689En existencias

Cinta cortada

S/1.40

S/0.852

S/0.537

S/0.397

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S/0.292

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RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

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