Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.11
4,039 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,039 En existencias
1
S/9.11
10
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S/2.79
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S/2.99
4,000
S/2.66
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
60 A
11.2 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
156 nC
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.38
4,400 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,400 En existencias
1
S/9.38
10
S/6.03
100
S/4.13
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S/3.27
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S/2.78
4,000
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S/3.00
4,000
S/2.77
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK200F04N1L,LXGQ
Toshiba
1:
S/18.84
812 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK200F04N1L,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
812 En existencias
1
S/18.84
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Si
SMD/SMT
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN6R706NC,L1XHQ
Toshiba
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4,986 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-XPN6R706NC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,986 En existencias
1
S/6.54
10
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S/1.63
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Ver
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10,000
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S/1.46
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Si
SMD/SMT
TSON-Advance-8
N-Channel
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK25S06N1L,LXHQ
Toshiba
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2,064 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK25S06N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
2,064 En existencias
1
S/6.03
10
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S/1.65
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S/1.81
4,000
S/1.51
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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25 A
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK7S10N1Z,LQ
Toshiba
1:
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1,303 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK7S10N1ZLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,303 En existencias
1
S/8.45
10
S/5.41
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S/2.66
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S/2.40
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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7 A
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Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ15S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.11
1,442 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-TJ15S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,442 En existencias
6,000 En pedido
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Existencias:
1,442 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,000 Se espera el 7/08/2026
4,000 Se espera el 16/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas
1
S/6.11
10
S/3.85
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S/2.00
2,000
S/1.67
4,000
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1,000
S/1.83
4,000
S/1.53
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2,000
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
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15 A
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+ 175 C
41 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ20S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.03
705 En existencias
10,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
705 En existencias
10,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
705 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
4,000 Se espera el 5/10/2026
6,000 Se espera el 16/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas
1
S/6.03
10
S/3.82
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S/1.99
2,000
S/1.66
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1,000
S/1.81
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S/1.51
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2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ60S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/8.17
594 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
594 En existencias
1
S/8.17
10
S/5.22
100
S/3.51
500
S/2.79
2,000
S/2.35
4,000
Ver
1,000
S/2.55
4,000
S/2.27
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Min.: 1
Mult.: 1
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2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
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60 A
6.3 mOhms
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3 V
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+ 175 C
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ90S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.73
357 En existencias
4,000 Se espera el 11/09/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TJ90S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
357 En existencias
4,000 Se espera el 11/09/2026
1
S/9.73
10
S/6.27
100
S/4.28
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S/3.40
1,000
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2,000
S/2.91
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
90 A
4.3 mOhms
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172 nC
+ 175 C
180 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK40S06N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.70
220 En existencias
2,000 Se espera el 1/10/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TK40S06N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
220 En existencias
2,000 Se espera el 1/10/2026
1
S/6.70
10
S/4.24
100
S/2.83
500
S/2.23
2,000
S/1.86
4,000
Ver
1,000
S/2.03
4,000
S/1.74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A
10.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
26 nC
+ 175 C
88.2 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN9R614MC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/6.38
1,240 En existencias
5,000 Se espera el 10/07/2026
N.º de artículo de Mouser
757-XPN9R614MC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,240 En existencias
5,000 Se espera el 10/07/2026
1
S/6.38
10
S/4.05
100
S/2.69
500
S/2.11
5,000
S/1.59
10,000
Ver
1,000
S/1.76
10,000
S/1.44
25,000
S/1.41
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-Advance-8
P-Channel
1 Channel
40 V
40 A
9.6 mOhms
- 20 V, 10 V
2.1 V
64 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK55S10N1,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.26
4,000 Se espera el 16/10/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TK55S10N1,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,000 Se espera el 16/10/2026
1
S/9.26
10
S/5.96
100
S/4.05
500
S/3.21
2,000
S/2.73
4,000
Ver
1,000
S/2.95
4,000
S/2.71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
55 A
6.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
49 nC
+ 175 C
157 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPHR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/14.64
9,681 Se espera el 10/07/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TPHR7904PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
9,681 Se espera el 10/07/2026
1
S/14.64
10
S/9.58
100
S/6.70
500
S/5.45
2,500
S/5.25
5,000
S/5.06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-Advance-8
N-Channel
1 Channel
40 V
150 A
790 uOhms
- 20 V, 20 V
3 V
85 nC
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170 W
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape