Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs is an extensive lineup of Power MOSFETs covering various automotive applications in 12V to 48V battery systems. Toshiba has been in the discrete automotive industry since the 1960s, starting with rectifiers and then Automotive MOSFETs in the 1990s. With performance and reliability, all of Toshiba’s automotive products go above and beyond AEC-Q101 standards.

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Resultados: 39

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK200F04N1L,LXGQ
Toshiba
1: S/17.59
812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK200F04N1L,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK200F04N1L,LXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/17.59

S/11.64

S/8.25

S/7.63

Envase tipo carrete

S/6.23

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Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

214 nC

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK7S10N1Z,LQ
Toshiba
1: S/7.63
2,668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7S10N1Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK7S10N1ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Cinta cortada

S/7.63

S/5.02

S/3.34

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

7 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7.1 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1: S/8.21
3,581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR7904PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR7904PB,L1XHQ

Toshiba

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S/8.21

S/6.50

S/4.75

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DSOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPW6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
1: S/10.08
2,510En existencias

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XPW6R30ANB,L1XHQ

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757-XPW6R30ANB,L1XHQ

Toshiba

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S/10.08

S/6.73

S/4.20

S/3.81

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Envase tipo carrete

S/3.11

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

DSOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

52 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ50S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/7.36
833En existencias
2,000Se espera el 15/06/2026

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TJ50S06M3L,LXHQ

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757-TJ50S06M3L,LXHQ

Toshiba

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S/7.36

S/4.98

S/3.44

S/2.73

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S/2.20

Ver

Min.: 1
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Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

124 nC

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK11S10N1L,LQ
Toshiba
1: S/4.09
2,393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK11S10N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK11S10N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/4.09

S/2.96

S/2.00

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.39

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
1: S/10.94
989En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
TK1R5R04PB,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK1R5R04PB,LXGQ

Toshiba

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S/10.94

S/8.37

S/6.03

S/5.22

Envase tipo carrete

S/4.36

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK33S10N1L,LQ
Toshiba
1: S/10.47
998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK33S10N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK33S10N1LLQ

Toshiba

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S/10.47

S/6.73

S/4.63

S/3.72

Envase tipo carrete

S/3.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

33 A

9.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK55S10N1,LXHQ
Toshiba
1: S/7.82
2,023En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK55S10N1,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK55S10N1,LXHQ

Toshiba

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S/7.82

S/5.53

S/3.73

S/3.00

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.36

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

55 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

49 nC

+ 175 C

157 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH3R114MC,L1XHQ
Toshiba
1: S/8.72
1,612En existencias
5,000Se espera el 13/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPH3R114MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH3R114MC,L1XHQ

Toshiba

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S/8.72

S/5.61

S/3.80

S/3.10

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Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.1 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

230 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN6R706NC,L1XHQ
Toshiba
1: S/2.18
2,310En existencias
5,000Se espera el 20/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPN6R706NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN6R706NC,L1XHQ

Toshiba

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S/2.18

S/1.72

S/1.61

S/1.59

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.34

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN9R614MC,L1XHQ
Toshiba
1: S/4.83
2,781En existencias
5,000Se espera el 15/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPN9R614MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN9R614MC,L1XHQ

Toshiba

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5,000Se espera el 15/05/2026

Cinta cortada

S/4.83

S/3.15

S/2.20

S/1.80

Envase tipo carrete

S/1.33

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

9.6 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
1: S/7.59
14,688Se espera el 20/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPH4R714MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH4R714MC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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14,688Se espera el 20/02/2026

Cinta cortada

S/7.59

S/4.83

S/3.20

S/2.63

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Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

4.7 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN7R104NC,L1XHQ
Toshiba
1: S/5.10
4,996Se espera el 15/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPN7R104NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN7R104NC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/5.10

S/3.21

S/2.13

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.21

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

20 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

7 A
8 A
10 A
11 A
15 A
20 A
25 A
30 A
33 A
40 A
45 A
50 A
55 A
60 A
65 A
80 A
90 A
100 A
120 A
150 A

790 uOhms
900 uOhms
1.14 mOhms
1.35 mOhms
1.5 mOhms
1.8 mOhms
2.3 mOhms
3.1 mOhms
3.3 mOhms
3.8 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
6.5 mOhms
6.7 mOhms
7.1 mOhms
9.1 mOhms
9.6 mOhms
9.7 mOhms

7.1 nC
10 nC
15 nC
19 nC
21 nC
23 nC
26 nC
28 nC
33 nC
35 nC
36 nC
37 nC
39 nC
49 nC
52 nC
55 nC
64 nC
76 nC
80 nC
81 nC