Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.73
46,206 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
46,206 En existencias
1
S/6.73
10
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S/1.87
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S/2.04
4,000
S/1.72
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
40 A
9.1 mOhms
- 20 V, 10 V
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+ 175 C
68 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
25,797 En existencias
1
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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1 Channel
40 V
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1
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Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
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8 A
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AEC-Q101
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Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
43,267 En existencias
1
S/17.28
10
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Si
SMD/SMT
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Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
56,540 En existencias
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S/7.36
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Si
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TSON-8
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Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,407 En existencias
1
S/7.24
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Si
SMD/SMT
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Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
17,458 En existencias
1
S/9.38
10
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Si
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Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,831 En existencias
1
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10
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Si
SMD/SMT
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Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,263 En existencias
1
S/9.46
10
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Detalles
Si
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Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
6,894 En existencias
1
S/6.38
10
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Ver
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S/1.76
10,000
S/1.56
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Detalles
Si
SMD/SMT
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N-Channel
1 Channel
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape
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Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-XPN7R104NC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,851 En existencias
1
S/6.42
10
S/3.97
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S/2.60
500
S/2.04
5,000
S/1.40
10,000
Ver
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25,000
S/1.32
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Min.: 1 Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-Advance-8
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.61
19,133 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
19,133 En existencias
1
S/5.61
10
S/3.52
100
S/2.33
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S/1.51
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Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
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TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.11
4,116 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,116 En existencias
1
S/9.11
10
S/5.84
100
S/3.97
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S/3.16
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S/2.69
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Ver
1,000
S/2.90
4,000
S/2.68
10,000
S/2.65
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
80 A
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100 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/9.54
16,702 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
16,702 En existencias
1
S/9.54
10
S/4.48
100
S/3.45
500
S/3.04
1,000
Ver
5,000
S/2.81
1,000
S/2.87
2,500
S/2.85
5,000
S/2.81
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DSOP-Advance-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.14 mOhms
- 20 V, 20 V
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+ 175 C
132 W
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/7.67
14,378 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
14,378 En existencias
1
S/7.67
10
S/4.09
100
S/2.92
500
S/2.46
1,000
Ver
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S/2.11
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S/2.11
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-Advance-8
P-Channel
1 Channel
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60 A
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- 55 C
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132 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPW6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/11.33
2,510 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPW6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
2,510 En existencias
1
S/11.33
10
S/7.32
100
S/5.06
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1,000
Ver
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S/3.61
1,000
S/3.81
2,500
S/3.68
5,000
S/3.61
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DSOP-Advance-8
N-Channel
1 Channel
100 V
45 A
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+ 175 C
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK65S04N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/7.36
11,310 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
11,310 En existencias
1
S/7.36
10
S/4.71
100
S/3.15
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S/2.48
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S/2.09
4,000
Ver
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4,000
S/1.98
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
65 A
4.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/11.44
3,359 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,359 En existencias
1
S/11.44
10
S/7.40
100
S/5.10
500
S/4.13
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Ver
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S/3.62
1,000
S/3.87
2,500
S/3.74
5,000
S/3.62
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DSOP-Advance-8
N-Channel
1 Channel
40 V
150 A
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- 20 V, 20 V
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- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK11S10N1L,LQ
Toshiba
1:
S/5.53
2,231 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK11S10N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
2,231 En existencias
1
S/5.53
10
S/3.49
100
S/2.31
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S/1.80
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S/1.55
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Ver
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S/1.64
4,000
S/1.35
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
11 A
28 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
15 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK33S10N1Z,LXHQ
Toshiba
1:
S/8.17
1,861 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK33S10N1Z,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,861 En existencias
1
S/8.17
10
S/5.25
100
S/3.52
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S/2.79
2,000
S/2.36
4,000
Ver
1,000
S/2.56
4,000
S/2.31
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
33 A
9.7 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
28 nC
+ 175 C
125 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/9.07
1,682 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK15S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,682 En existencias
1
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10
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S/3.14
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
15 A
13.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
10 nC
- 55 C
+ 175 C
40 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
14,927 En existencias
1
S/14.17
10
S/9.26
100
S/6.46
500
S/5.25
1,000
S/4.87
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
160 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
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205 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ50S06M3L,LXHQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TJ50S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,980 En existencias
1
S/8.37
10
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S/2.63
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
50 A
13.8 mOhms
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
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4,561 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,561 En existencias
1
S/9.11
10
S/5.84
100
S/3.97
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S/3.33
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S/2.79
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S/2.99
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
60 A
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+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
6,400 En existencias
1
S/9.38
10
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S/3.00
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S/2.77
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
76 nC
+ 175 C
180 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
