Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/16.15
46,556 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
46,556 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
P-Channel
1 Channel
40 V
200 A
1.8 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
460 nC
+ 175 C
375 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/6.89
56,524 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPN12006NCL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
56,524 En existencias
1
S/6.89
10
S/4.13
100
S/2.80
500
S/2.28
1,000
Ver
5,000
S/1.82
1,000
S/2.12
2,500
S/2.08
5,000
S/1.82
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
20 A
23.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.18
45,634 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
45,634 En existencias
1
S/5.18
10
S/3.29
100
S/2.18
500
S/1.70
2,000
S/1.39
4,000
Ver
1,000
S/1.54
4,000
S/1.23
10,000
S/1.22
24,000
S/1.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
8 A
104 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
19 nC
+ 175 C
27 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
1:
S/10.47
26,128 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
26,128 En existencias
1
S/10.47
10
S/6.77
100
S/4.67
500
S/3.75
1,000
Ver
2,000
S/3.10
1,000
S/3.57
2,000
S/3.10
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.35 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
103 nC
+ 175 C
180 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK40S06N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.23
4,265 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK40S06N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,265 En existencias
1
S/6.23
10
S/3.93
100
S/2.64
500
S/2.08
2,000
S/1.69
4,000
Ver
1,000
S/1.90
4,000
S/1.51
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A
10.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
26 nC
+ 175 C
88.2 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ60S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.66
2,614 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
2,614 En existencias
1
S/6.66
10
S/4.71
100
S/3.25
500
S/2.60
2,000
S/2.14
4,000
Ver
1,000
S/2.39
4,000
S/1.99
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
60 A
6.3 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
125 nC
+ 175 C
90 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPHR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/9.89
7,881 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPHR7904PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
7,881 En existencias
1
S/9.89
10
S/6.50
100
S/5.45
1,000
S/5.02
2,500
S/4.79
5,000
S/4.40
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-Advance-8
N-Channel
1 Channel
40 V
150 A
790 uOhms
- 20 V, 20 V
3 V
85 nC
+ 175 C
170 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/2.26
7,104 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
7,104 En existencias
1
S/2.26
10
S/1.74
100
S/1.68
1,000
S/1.67
5,000
S/1.44
10,000
Ver
2,500
S/1.64
10,000
S/1.41
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-Advance-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
3.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
35 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/3.54
19,147 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
19,147 En existencias
1
S/3.54
10
S/2.74
100
S/1.90
500
S/1.59
2,000
S/1.28
4,000
Ver
1,000
S/1.45
4,000
S/1.23
10,000
S/1.22
24,000
S/1.18
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
10 A
44 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
19 nC
+ 175 C
27 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/7.63
4,116 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,116 En existencias
1
S/7.63
10
S/5.41
100
S/3.67
500
S/2.95
2,000
S/2.32
10,000
Ver
1,000
S/2.75
10,000
S/2.31
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
80 A
5.2 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
158 nC
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/3.54
17,266 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
17,266 En existencias
1
S/3.54
10
S/3.51
100
S/3.13
500
S/2.78
2,500
S/2.75
5,000
S/2.46
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DSOP-Advance-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.14 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
132 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
1:
S/10.12
1,831 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,831 En existencias
1
S/10.12
10
S/7.55
100
S/5.45
500
S/5.25
1,000
S/4.36
2,000
Ver
2,000
S/4.28
10,000
S/4.24
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
N-Channel
1 Channel
40 V
160 A
1.35 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
103 nC
+ 175 C
205 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPH1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/8.41
4,727 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH1R104PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,727 En existencias
1
S/8.41
10
S/5.61
100
S/3.97
500
S/3.35
5,000
S/3.28
10,000
S/2.60
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-Advance-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.14 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
55 nC
+ 175 C
132 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK65S04N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.89
11,310 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
11,310 En existencias
1
S/6.89
10
S/4.40
100
S/2.90
500
S/2.32
2,000
S/1.90
4,000
Ver
1,000
S/2.13
4,000
S/1.72
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
65 A
4.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
39 nC
+ 175 C
107 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK90S06N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/8.80
17,489 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
17,489 En existencias
1
S/8.80
10
S/5.64
100
S/3.83
500
S/3.06
2,000
S/2.52
4,000
Ver
1,000
S/2.90
4,000
S/2.41
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
81 nC
+ 175 C
157 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK33S10N1Z,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.27
1,936 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK33S10N1Z,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,936 En existencias
1
S/6.27
10
S/4.55
100
S/3.01
500
S/2.59
2,000
S/2.11
4,000
Ver
1,000
S/2.40
4,000
S/1.99
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
33 A
9.7 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
28 nC
+ 175 C
125 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK25S06N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.61
2,066 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK25S06N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
2,066 En existencias
1
S/5.61
10
S/3.44
100
S/2.30
500
S/1.85
2,000
S/1.50
4,000
Ver
1,000
S/1.69
4,000
S/1.33
10,000
S/1.31
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
25 A
36.8 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
15 nC
- 55 C
+ 175 C
57 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/6.15
1,682 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK15S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,682 En existencias
1
S/6.15
10
S/4.71
100
S/3.25
500
S/2.86
2,000
S/2.42
4,000
Ver
1,000
S/2.76
4,000
S/2.30
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
15 A
13.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
10 nC
- 55 C
+ 175 C
40 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/4.75
46,547 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
46,547 En existencias
1
S/4.75
10
S/3.35
100
S/2.61
500
S/2.09
2,000
S/1.69
4,000
Ver
1,000
S/1.86
4,000
S/1.63
24,000
S/1.58
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
40 A
9.1 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
83 nC
+ 175 C
68 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ15S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.33
4,782 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ15S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,782 En existencias
1
S/5.33
10
S/3.41
100
S/2.28
500
S/1.88
2,000
S/1.48
4,000
Ver
1,000
S/1.71
4,000
S/1.34
10,000
S/1.33
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
15 A
50 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
36 nC
+ 175 C
41 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ30S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.15
3,902 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ30S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,902 En existencias
1
S/6.15
10
S/4.13
100
S/2.88
500
S/2.27
2,000
S/1.85
4,000
Ver
1,000
S/2.08
4,000
S/1.68
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
30 A
21.8 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
80 nC
+ 175 C
68 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ20S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.76
8,705 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ20S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
8,705 En existencias
1
S/5.76
10
S/3.64
100
S/2.42
500
S/1.90
2,000
S/1.56
4,000
Ver
1,000
S/1.73
4,000
S/1.41
24,000
S/1.34
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
20 A
22.2 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
37 nC
+ 175 C
41 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/7.94
8,031 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
8,031 En existencias
1
S/7.94
10
S/5.41
100
S/3.67
500
S/2.95
2,000
S/2.43
4,000
Ver
1,000
S/2.78
4,000
S/2.32
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
60 A
11.2 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
156 nC
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ90S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.11
3,202 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ90S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,202 En existencias
1
S/9.11
10
S/5.84
100
S/4.01
500
S/3.18
2,000
S/2.62
4,000
Ver
1,000
S/2.94
4,000
S/2.53
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
90 A
4.3 mOhms
- 20 V, 10 V
2 V
172 nC
+ 175 C
180 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/8.76
7,071 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
7,071 En existencias
1
S/8.76
10
S/5.64
100
S/3.82
500
S/3.05
2,000
S/2.51
10,000
Ver
1,000
S/2.90
10,000
S/2.41
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
76 nC
+ 175 C
180 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
