Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

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Resultados: 47

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

DMN53D0L-7
Diodes Incorporated
1: S/1.17
383,684En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0L-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0L-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

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Hoja de datos

383,684En existencias

Cinta cortada

S/1.17

S/0.685

S/0.444

S/0.327

S/0.288

Envase tipo carrete

S/0.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A

DMN2300UFB4-7B
Diodes Incorporated
1: S/1.99
48,231En existencias
40,000Se espera el 21/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN2300UFB4-7B

N.º de artículo de Mouser
522-DMN2300UFB4-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A

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Hoja de datos

48,231En existencias

40,000Se espera el 21/10/2026

Cinta cortada

S/1.99

S/0.872

S/0.763

S/0.557

S/0.502

Envase tipo carrete

S/0.502

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,610

: 10,000

SMD/SMT

X2-DFN1006-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.3 A

175 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A

DMN4034SSD-13
Diodes Incorporated
1: S/7.24
4,423En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN4034SSD-13

N.º de artículo de Mouser
522-DMN4034SSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A

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Hoja de datos

4,423En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/3.50

S/2.99

S/2.37

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

40 V

4.8 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 4K

DMN6068SE-13
Diodes Incorporated
1: S/3.11
40,508En existencias
32,000Se espera el 5/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN6068SE-13

N.º de artículo de Mouser
522-DMN6068SE-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 4K

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Hoja de datos

40,508En existencias

32,000Se espera el 5/03/2027

Cinta cortada

S/3.11

S/1.41

S/1.24

S/1.10

Envase tipo carrete

S/1.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,240

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

60 V

5.6 A

68 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

10.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET

DMN1019UVT-7
Diodes Incorporated
1: S/2.80
32,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN1019UVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN1019UVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET

Hoja de datos

32,073En existencias

Cinta cortada

S/2.80

S/2.07

S/1.33

S/1.01

Envase tipo carrete

S/1.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 550

: 3,000

SMD/SMT

TSOT-26-6

N-Channel

1 Channel

12 V

10.7 A

10 mOhms

- 8 V, 8 V

350 mV

50.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW

DMN2230UQ-7
Diodes Incorporated
1: S/2.72
12,705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2230UQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2230UQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW

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Hoja de datos

12,705En existencias

Cinta cortada

S/2.72

S/1.23

S/1.07

Envase tipo carrete

S/1.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 630

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2 A

110 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

2.3 nC

- 55 C

+ 150 C

600 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF

DMN6075S-7
Diodes Incorporated
1: S/1.79
209,810En existencias
105,000Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN6075S-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN6075S-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF

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Hoja de datos

209,810En existencias

105,000Se espera el 28/08/2026

Cinta cortada

S/1.79

S/0.794

S/0.697

S/0.658

S/0.615

Envase tipo carrete

S/0.615

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,260

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2.5 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW

DMN61D8LQ-7
Diodes Incorporated
1: S/3.39
19,203En existencias
15,000Se espera el 5/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN61D8LQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN61D8LQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW

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Hoja de datos

19,203En existencias

15,000Se espera el 5/02/2027

Cinta cortada

S/3.39

S/2.09

S/1.35

S/1.04

Envase tipo carrete

S/1.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 720

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

470 mA

1.8 Ohms

- 5 V, 5 V

1.3 V

740 pC

- 55 C

+ 150 C

610 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K

DMN2028USS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.24
1,450En existencias
2,500Se espera el 26/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN2028USS-13

N.º de artículo de Mouser
522-DMN2028USS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K

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Hoja de datos

1,450En existencias

2,500Se espera el 26/02/2027

Cinta cortada

S/4.24

S/1.98

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

20 V

9.8 A

20 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS

DMN2300UFL4-7
Diodes Incorporated
1: S/2.65
1,943En existencias
3,000Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN2300UFL4-7

N.º de artículo de Mouser
522-DMN2300UFL4-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS

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Hoja de datos

1,943En existencias

3,000Se espera el 28/08/2026

Cinta cortada

S/2.65

S/1.64

S/1.05

S/0.798

Envase tipo carrete

S/0.798

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 590

: 3,000

SMD/SMT

X2-DFN1310-6

N-Channel

2 Channel

20 V

2.11 A

195 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

530 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V

DMN3730UFB-7
Diodes Incorporated
1: S/3.54
748En existencias
18,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN3730UFB-7

N.º de artículo de Mouser
522-DMN3730UFB-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V

Obtenga más información

Hoja de datos

748En existencias

18,000En pedido

Cinta cortada

S/3.54

S/1.80

S/1.57

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 630

: 3,000

SMD/SMT

X1-DFN1006-3

N-Channel

1 Channel

30 V

730 mA

460 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

690 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A

DMN4027SSD-13
Diodes Incorporated
1: S/7.20
153En existencias
7,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN4027SSD-13

N.º de artículo de Mouser
522-DMN4027SSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A

Obtenga más información

Hoja de datos

153En existencias

7,500En pedido

Cinta cortada

S/7.20

S/3.63

S/2.93

S/2.35

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

40 V

5.4 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

6.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A

DMN4034SSS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.57
4,233En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN4034SSS-13

N.º de artículo de Mouser
522-DMN4034SSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A

Obtenga más información

Hoja de datos

4,233En existencias

Cinta cortada

S/5.57

S/2.60

S/2.30

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

5.4 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss

DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated
1: S/2.10
7,723En existencias
6,000Se espera el 31/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN1045UFR4-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN1045UFR4-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss

Hoja de datos

7,723En existencias

6,000Se espera el 31/08/2026

Cinta cortada

S/2.10

S/0.938

S/0.821

S/0.775

S/0.572

Envase tipo carrete

S/0.459

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

X2-DFN1010-3

N-Channel

1 Channel

12 V

3.2 A

25 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V

DMN10H100SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/5.72
573En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN10H100SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H100SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V

Obtenga más información

Hoja de datos

573En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/5.72

S/2.68

S/2.30

S/1.96

S/1.68

Envase tipo carrete

S/1.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

18 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

25.2 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

DMN10H220LVT-7
Diodes Incorporated
1: S/4.24
405En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN10H220LVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H220LVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

Obtenga más información

Hoja de datos

405En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.06

S/1.82

S/1.32

Envase tipo carrete

S/0.899

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOT-26-6

N-Channel

1 Channel

100 V

2.24 A

250 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.67 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

DMN13H750S-7
Diodes Incorporated
1: S/4.05
2,167En existencias
9,000Se espera el 19/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN13H750S-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN13H750S-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

Hoja de datos

2,167En existencias

9,000Se espera el 19/05/2027

Cinta cortada

S/4.05

S/2.44

S/1.72

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,080

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

130 V

1 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A

DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated
1: S/8.02
251En existencias
2,500Se espera el 30/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN15H310SE-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN15H310SE-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A

Hoja de datos

251En existencias

2,500Se espera el 30/07/2027

Cinta cortada

S/8.02

S/3.97

S/3.36

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

150 V

2 A

178 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A

DMN3008SFG-7
Diodes Incorporated
1: S/4.44
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3008SFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3008SFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A

Obtenga más información

Hoja de datos

73En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/2.53

S/1.73

S/1.39

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

17.6 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

PowerDI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF

DMN3016LDN-7
Diodes Incorporated
1: S/3.93
15En existencias
3,000Se espera el 21/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN3016LDN-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3016LDN-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF

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15En existencias

3,000Se espera el 21/08/2026

Cinta cortada

S/3.93

S/2.65

S/1.67

S/1.20

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.837

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

V-DFN3030-8

N-Channel

2 Channel

30 V

7.3 A

24 mOhms, 24 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

25.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF

DMN3035LWN-7
Diodes Incorporated
1: S/3.23
2,830En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3035LWN-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3035LWN-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF

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2,830En existencias

Cinta cortada

S/3.23

S/2.00

S/1.29

S/0.985

Envase tipo carrete

S/0.759

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

V-DFN3020-8

N-Channel

2 Channel

30 V

5.5 A

45 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

9.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF

DMN3053L-7
Diodes Incorporated
1: S/2.53
5,932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3053L-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3053L-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF

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Hoja de datos

5,932En existencias

Cinta cortada

S/2.53

S/1.14

S/1.00

S/0.934

Envase tipo carrete

S/0.934

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 740

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

17.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET

DMN30H4D0LFDE-7
Diodes Incorporated
1: S/4.05
10En existencias
17,772En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN30H4D0LFDE-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN30H4D0LFDE-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET

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Hoja de datos

10En existencias

17,772En pedido

Cinta cortada

S/4.05

S/2.51

S/1.48

S/1.14

Envase tipo carrete

S/1.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 860

: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

300 V

550 mA

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.98 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF

DMN4026SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/4.20
709En existencias
2,500Se espera el 19/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN4026SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN4026SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF

Hoja de datos

709En existencias

2,500Se espera el 19/02/2027

Cinta cortada

S/4.20

S/2.61

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 320

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

28 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

9.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
1: S/1.52
358En existencias
30,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LDW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LDW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

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Hoja de datos

358En existencias

30,000En pedido

Cinta cortada

S/1.52

S/0.88

S/0.638

S/0.436

S/0.381

Envase tipo carrete

S/0.381

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,690

: 10,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

50 V

360 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

310 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

DMNxx MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

200 mA
300 mA
360 mA
470 mA
480 mA
500 mA
550 mA
630 mA
730 mA
1 A
1.3 A
2 A
2.11 A
2.24 A
2.5 A
3.2 A
3.3 A
3.6 A
3.7 A
4 A

4.6 mOhms
10 mOhms
13 mOhms
20 mOhms
24 mOhms, 24 mOhms
25 mOhms
27 mOhms
34 mOhms
45 mOhms
45 mOhms, 45 mOhms
48 mOhms
68 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
175 mOhms
178 mOhms
195 mOhms
250 mOhms

600 pC
740 pC
870 pC
1.2 nC
1.6 nC
2.3 nC
4.8 nC
4.9 nC
5.4 nC
5.6 nC
6.3 nC
6.6 nC
7.6 nC
8.3 nC
8.7 nC
9.6 nC
9.9 nC
10 nC
10.3 nC
11.6 nC

310 mW
360 mW
400 mW
420 mW
500 mW
520 mW
530 mW
540 mW
600 mW
610 mW
690 mW
1.09 W
1.15 W
1.2 W
1.25 W
1.26 W
1.56 W
1.6 W
1.67 W
1.73 W