Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. CoolMOS™ CE portfolio offers 500V, 600V, 650V, 700V, and 800V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools, adapters for notebook and laptops, LCD, LED TV and LED lighting. This new series of CoolMOS™ is cost-optimized to meet typical requirements in consumers with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still being price attractive.

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Resultados: 99

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R165CP
Infineon Technologies
1: S/22.07
501En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R165CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R165CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

501En existencias

S/22.07

S/14.48

S/10.82

S/9.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.33
63En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R400CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R400CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

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63En existencias

S/8.33

S/4.36

S/3.24

S/2.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14.7 A

890 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R3K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.88
3,217En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R3K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R3K4CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,217En existencias

Cinta cortada

S/2.88

S/1.79

S/1.16

S/0.876

Envase tipo carrete

S/0.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2.6 A

7.96 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220-3

IPP50R140CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.77
40En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R140CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R140CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220-3

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Hoja de datos

40En existencias

S/19.77

S/10.24

S/9.30

S/7.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

23 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 13A TO220-3

IPP50R250CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.83
145En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R250CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R250CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 13A TO220-3

Hoja de datos

145En existencias

S/11.83

S/5.88

S/5.29

S/4.24

S/3.78

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

13 A

250 mOhms

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3.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.20
309En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R165CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP

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309En existencias

S/20.20

S/10.47

S/9.54

S/7.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

IPW50R250CP
Infineon Technologies
1: S/16.08
50En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW50R250CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW50R250CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

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50En existencias

S/16.08

S/10.51

S/7.63

S/6.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

13 A

220 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.19
3,059En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R1K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,059En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/2.05

S/1.33

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.779

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

3.1 A

3.28 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.2 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
945En existencias
6,000Se espera el 10/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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945En existencias

6,000Se espera el 10/12/2026

Cinta cortada

S/4.09

S/2.42

S/1.57

S/1.06

S/0.856

Envase tipo carrete

S/0.553

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

2.4 A

4.68 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE

IPP50R280CE
Infineon Technologies
1: S/7.28
15En existencias
500Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R280CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R280CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE

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15En existencias

500Se espera el 26/11/2026

S/7.28

S/3.47

S/3.10

S/2.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

13 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

32.6 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3

IPA60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.89
75En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R650CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R650CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3

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75En existencias

S/6.89

S/3.28

S/2.93

S/2.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

650 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20.5 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA65R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.79
561En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R400CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R400CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

561En existencias

S/7.79

S/3.73

S/3.41

S/2.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15.1 A

940 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R1K4CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/8.37
121En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K4CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K4CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

121En existencias

S/8.37

S/4.87

S/3.69

S/2.87

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3.9 A

1.22 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R460CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/13.86
159En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R460CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R460CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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159En existencias

S/13.86

S/6.97

S/6.31

S/5.06

S/4.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10.8 A

460 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

64 nC

- 40 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/11.87
105En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R650CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R650CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

105En existencias

S/11.87

S/5.92

S/5.41

S/4.24

S/3.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

2.19 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.19
105En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R2K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R2K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

105En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.99

S/1.28

S/0.981

Envase tipo carrete

S/0.771

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3.6 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R2K1CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.50
126En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R2K1CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R2K1CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

126En existencias

Cinta cortada

S/3.50

S/2.19

S/1.42

S/1.09

Envase tipo carrete

S/0.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

2.1 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6.7 nC

- 40 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD65R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.38
2,796En existencias
2,500Se espera el 30/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R400CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R400CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2,796En existencias

2,500Se espera el 30/09/2026

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

15.1 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

118 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.27
1,737En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K5CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,737En existencias

Cinta cortada

S/3.27

S/2.04

S/1.32

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.775

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

3.51 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.4 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R099CPFKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.80
1En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099CPFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099CPFKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

1En existencias

S/34.80

S/20.28

S/17.09

S/16.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/11.29
4,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

4,500En pedido

S/11.29

S/5.57

S/5.02

S/4.01

S/3.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47.2 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R099CP
Infineon Technologies
1: S/31.88
500Se espera el 28/01/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

500Se espera el 28/01/2027

S/31.88

S/22.46

S/18.53

S/15.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R045CP
Infineon Technologies
1: S/72.91
931Se espera el 24/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

931Se espera el 24/09/2026

S/72.91

S/55.51

S/46.28

S/41.18

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

60 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

431 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD65R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.96
1,570Se espera el 7/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

1,570Se espera el 7/09/2026

Cinta cortada

S/5.96

S/3.75

S/2.50

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

10.1 A

650 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
2,462Se espera el 24/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

2,462Se espera el 24/09/2026

Cinta cortada

S/5.25

S/3.30

S/2.18

S/1.70

S/1.54

Envase tipo carrete

S/1.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9.9 A

540 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20.5 nC

- 40 C

+ 150 C

82 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.9 A
2.4 A
2.6 A
3.1 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
5 A
5.7 A
6.6 A
6.8 A
7 A
7.2 A
7.6 A
8.4 A
9 A
9.9 A
10.1 A
10.8 A
11 A

40 mOhms
68 mOhms
90 mOhms
110 mOhms
125 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
150 mOhms
165 mOhms
170 mOhms
180 mOhms
190 mOhms
199 mOhms
220 mOhms
250 mOhms
270 mOhms
280 mOhms
340 mOhms
350 mOhms
385 mOhms

4.6 nC
6 nC
6.7 nC
8.2 nC
9 nC
9.4 nC
10.5 nC
11 nC
12 nC
12.4 nC
13 nC
15.3 nC
17 nC
17.2 nC
18.7 nC
20.5 nC
22 nC
23 nC
24.8 nC
27 nC

5 W
25.7 W
26 W
26.4 W
28 W
29 W
29.2 W
30.4 W
31 W
32 W
33 W
34 W
35 W
38 W
42 W
49 W
53 W
57 W
61 W
63 W