Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. CoolMOS™ CE portfolio offers 500V, 600V, 650V, 700V, and 800V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools, adapters for notebook and laptops, LCD, LED TV and LED lighting. This new series of CoolMOS™ is cost-optimized to meet typical requirements in consumers with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still being price attractive.

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Resultados: 109

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/8.64
648En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K0CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K0CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/8.64

S/5.06

S/4.05

S/3.41

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N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

2.19 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

31 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/15.41
233En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R310CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R310CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

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S/15.41

S/8.72

S/7.86

S/5.22

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N-Channel

1 Channel

800 V

16.7 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

91 nC

- 40 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R165CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.78
1,186En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R165CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R165CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP

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Cinta cortada

S/13.78

S/10.67

S/8.29

S/8.02

Envase tipo carrete

S/6.54

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R2K1CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.88
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NRND

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IPN60R2K1CEATMA1

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726-IPN60R2K1CEATMA1

NRND

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Cinta cortada

S/2.88

S/1.77

S/1.15

S/0.88

Envase tipo carrete

S/0.654

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-223-3

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1 Channel

600 V

3.7 A

4.91 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.7 nC

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5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R099CP
Infineon Technologies
1: S/28.77
334En existencias
NRND

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IPP60R099CP

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726-IPP60R099CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

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S/28.77

S/21.49

S/17.71

S/15.03

S/13.20

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TO-220-3

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31 A

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2.5 V

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255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.20
85En existencias
NRND

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IPP60R099CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099CPXKSA1

NRND

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S/23.20

S/23.00

S/14.99

S/14.40

S/11.91

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600 V

31 A

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2.5 V

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255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPU60R2K1CEAKMA1
Infineon Technologies
1: S/3.08
3,058En existencias
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IPU60R2K1CEAKMA1

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726-IPU60R2K1CEAKMA1

NRND

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S/3.08

S/1.29

S/1.12

S/0.942

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R199CP
Infineon Technologies
1: S/16.04
218En existencias
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IPW60R199CP

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726-IPW60R199CP

NRND

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S/16.04

S/12.53

S/10.16

S/9.03

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/2.30
8,838En existencias

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IPD50R500CEAUMA1

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726-IPD50R500CEAUMA1

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Cinta cortada

S/2.30

S/2.28

S/1.99

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.29

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MouseReel Disponible

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1 Channel

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57 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R199CP
Infineon Technologies
1: S/14.75
298En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R199CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R199CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP

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298En existencias

S/14.75

S/7.94

S/7.36

S/5.80

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600 V

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3.5 V

32 nC

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+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.10
568En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R1K0CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R1K0CEXKSA1

NRND

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568En existencias

S/5.10

S/2.36

S/2.13

S/1.80

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.8 A

2.22 Ohms

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26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R299CP
Infineon Technologies
1: S/12.38
458En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R299CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R299CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP

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458En existencias

S/12.38

S/8.06

S/6.19

S/5.14

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TO-220FP-3

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11 A

270 mOhms

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+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R460CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/11.95
239En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R460CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R460CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/11.95

S/6.11

S/5.49

S/4.40

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10.8 A

460 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

64 nC

- 40 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.32
1,489En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Cinta cortada

S/4.32

S/2.71

S/1.79

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

9 A

1.54 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2

IPD60R385CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.25
2,035En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R385CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R385CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2

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2,035En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/6.19

S/4.71

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.31

S/3.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

350 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

IPD80R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
2,102En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K0CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

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2,102En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.38

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.15

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.76
358En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R199CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R199CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP

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358En existencias

S/15.76

S/7.94

S/7.40

S/5.96

S/5.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPU60R1K5CEAKMA2
Infineon Technologies
1: S/3.43
2,928En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU60R1K5CEAKMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPU60R1K5CEAKMA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,928En existencias

S/3.43

S/1.44

S/1.27

S/1.05

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Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

5 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

9.4 nC

- 40 C

+ 150 C

49 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R045CP
Infineon Technologies
1: S/54.61
218En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

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218En existencias

S/54.61

S/48.11

S/41.61

S/40.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

60 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

431 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA50R140CP
Infineon Technologies
1: S/17.87
325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R140CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R140CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP

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325En existencias

S/17.87

S/10.74

S/9.26

S/6.73

S/6.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

23 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CE
Infineon Technologies
1: S/4.75
339En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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339En existencias

S/4.75

S/2.97

S/1.96

S/1.55

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

720 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/4.59
1,595En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,595En existencias

S/4.59

S/2.10

S/1.89

S/1.55

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

720 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/1.40
5,306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R1K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

5,306En existencias

Cinta cortada

S/1.40

S/1.04

S/0.852

S/0.775

Envase tipo carrete

S/0.627

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

3.1 A

3.28 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.2 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/1.71
3,909En existencias
9,000Se espera el 2/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,909En existencias

9,000Se espera el 2/04/2026

Cinta cortada

S/1.71

S/1.13

S/0.794

S/0.743

Envase tipo carrete

S/0.537

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

2.4 A

4.68 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CE
Infineon Technologies
1: S/8.10
249En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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Hoja de datos

249En existencias

S/8.10

S/5.84

S/4.63

S/3.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.9 A
2.4 A
2.6 A
3.1 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
5 A
5.4 A
5.7 A
6.6 A
6.8 A
7 A
7.2 A
7.6 A
8.4 A
9 A
9.9 A
10.1 A
10.8 A

40 mOhms
68 mOhms
90 mOhms
99 mOhms
110 mOhms
125 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
150 mOhms
165 mOhms
170 mOhms
180 mOhms
190 mOhms
199 mOhms
220 mOhms
250 mOhms
270 mOhms
280 mOhms
340 mOhms
350 mOhms

4.6 nC
6 nC
6.7 nC
8.2 nC
9 nC
9.4 nC
10.5 nC
11 nC
12 nC
12.4 nC
13 nC
15 nC
15.3 nC
17 nC
17.2 nC
18.7 nC
20.5 nC
22 nC
23 nC
24.8 nC

5 W
25.7 W
26 W
26.4 W
28 W
29 W
29.2 W
30.4 W
31 W
32 W
33 W
34 W
35 W
38 W
42 W
49 W
53 W
57 W
61 W
63 W