Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. CoolMOS™ CE portfolio offers 500V, 600V, 650V, 700V, and 800V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools, adapters for notebook and laptops, LCD, LED TV and LED lighting. This new series of CoolMOS™ is cost-optimized to meet typical requirements in consumers with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still being price attractive.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 99

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA65R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.96
944En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPA65R1K0CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R1K0CEXKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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944En existencias

S/5.96

S/2.83

S/2.52

S/1.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7.2 A

2.22 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

15.3 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPU60R2K1CEAKMA1
Infineon Technologies
1: S/3.19
2,675En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPU60R2K1CEAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU60R2K1CEAKMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

2,675En existencias

S/3.19

S/1.35

S/1.19

S/0.973

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

2.1 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6.7 nC

- 40 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R199CP
Infineon Technologies
1: S/17.40
221En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R199CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R199CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP

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221En existencias

S/17.40

S/8.91

S/8.10

S/6.62

S/6.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

199 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.61
498En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R1K0CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R1K0CEXKSA1

NRND

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498En existencias

S/5.61

S/2.64

S/2.34

S/1.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.8 A

2.22 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R299CP
Infineon Technologies
1: S/13.51
452En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R299CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R299CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP

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452En existencias

S/13.51

S/8.80

S/6.19

S/5.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

270 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.85
2,745En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0CEATMA1

NRND

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2,745En existencias

Cinta cortada

S/3.85

S/2.39

S/1.56

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.8 A

2.34 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R099CP
Infineon Technologies
1: S/32.27
330En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

330En existencias

S/32.27

S/21.60

S/17.71

S/15.03

S/13.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R199CP
Infineon Technologies
1: S/18.06
372En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R199CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R199CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP

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372En existencias

S/18.06

S/11.83

S/8.84

S/7.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.40
343En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R199CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R199CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP

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S/17.40

S/8.91

S/8.10

S/6.62

S/6.42

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPU60R1K5CEAKMA2
Infineon Technologies
1: S/3.78
2,928En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU60R1K5CEAKMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPU60R1K5CEAKMA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,928En existencias

S/3.78

S/1.60

S/1.42

S/1.16

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

5 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

9.4 nC

- 40 C

+ 150 C

49 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R045CP
Infineon Technologies
1: S/69.71
348En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

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348En existencias

S/69.71

S/53.09

S/44.26

S/39.39

S/37.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

60 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

431 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA50R140CP
Infineon Technologies
1: S/20.47
587En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R140CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R140CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP

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587En existencias

S/20.47

S/11.83

S/10.00

S/8.37

S/7.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

23 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CE
Infineon Technologies
1: S/6.89
693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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693En existencias

S/6.89

S/4.32

S/2.83

S/2.24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 40 C

+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/6.89
1,475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,475En existencias

S/6.89

S/3.75

S/2.84

S/2.24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 40 C

+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CE
Infineon Technologies
1: S/5.68
339En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

339En existencias

S/5.68

S/3.51

S/2.31

S/1.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

720 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.06
1,534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,534En existencias

S/5.06

S/2.35

S/2.09

S/1.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

720 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 13A TO220-3

IPP50R250CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.44
145En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R250CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R250CPXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 13A TO220-3

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Hoja de datos

145En existencias

S/11.44

S/5.64

S/5.10

S/4.09

S/3.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

13 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R165CP
Infineon Technologies
1: S/21.14
502En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R165CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R165CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

502En existencias

S/21.14

S/13.51

S/10.24

S/8.06

S/7.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.98
63En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R400CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R400CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

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Hoja de datos

63En existencias

S/7.98

S/4.20

S/3.13

S/2.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14.7 A

890 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2

IPD60R385CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.52
369En existencias
5,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R385CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R385CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2

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Hoja de datos

369En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/11.52

S/7.47

S/5.14

S/4.16

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

350 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD65R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.19
601En existencias
2,500Se espera el 11/06/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R400CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R400CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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601En existencias

2,500Se espera el 11/06/2026

Cinta cortada

S/6.19

S/3.93

S/2.52

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.59

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

15.1 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

118 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD65R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.76
70En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

70En existencias

Cinta cortada

S/5.76

S/3.63

S/2.41

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

10.1 A

650 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R3K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.80
3,217En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R3K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R3K4CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,217En existencias

Cinta cortada

S/2.80

S/1.74

S/1.12

S/0.849

Envase tipo carrete

S/0.646

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2.6 A

7.96 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.53
315En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R165CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

315En existencias

S/18.53

S/10.12

S/9.19

S/7.55

S/7.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/4.94
998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R950CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R950CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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998En existencias

S/4.94

S/2.30

S/2.04

S/1.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

550 V

6.6 A

2.22 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

25.7 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.9 A
2.4 A
2.6 A
3.1 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
5 A
5.7 A
6.6 A
6.8 A
7 A
7.2 A
7.6 A
8.4 A
9 A
9.9 A
10.1 A
10.8 A
11 A

40 mOhms
68 mOhms
90 mOhms
110 mOhms
125 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
150 mOhms
165 mOhms
170 mOhms
180 mOhms
190 mOhms
199 mOhms
220 mOhms
250 mOhms
270 mOhms
280 mOhms
340 mOhms
350 mOhms
385 mOhms

4.6 nC
6 nC
6.7 nC
8.2 nC
9 nC
9.4 nC
10.5 nC
11 nC
12 nC
12.4 nC
13 nC
15.3 nC
17 nC
17.2 nC
18.7 nC
20.5 nC
22 nC
23 nC
24.8 nC
27 nC

5 W
25.7 W
26 W
26.4 W
28 W
29 W
29.2 W
30.4 W
31 W
32 W
33 W
34 W
35 W
38 W
42 W
49 W
53 W
57 W
61 W
63 W