Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. CoolMOS™ CE portfolio offers 500V, 600V, 650V, 700V, and 800V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools, adapters for notebook and laptops, LCD, LED TV and LED lighting. This new series of CoolMOS™ is cost-optimized to meet typical requirements in consumers with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still being price attractive.

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Resultados: 100

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R140CP
Infineon Technologies
1: S/21.37
1,709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R140CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

1,709En existencias

Cinta cortada

S/21.37

S/14.01

S/10.43

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.10

S/7.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

23 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R800CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
6,862En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R800CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R800CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

6,862En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.25

S/2.14

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8.4 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17.2 nC

- 40 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R099CP
Infineon Technologies
1: S/31.88
1,030En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

1,030En existencias

Cinta cortada

S/31.88

S/22.46

S/18.18

S/16.15

Envase tipo carrete

S/14.44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.34
8,652En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K8CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K8CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

8,652En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.68

S/2.30

S/2.03

Envase tipo carrete

S/1.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.85
1,957En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R199CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CPATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP

Hoja de datos

1,957En existencias

Cinta cortada

S/16.85

S/11.13

S/7.86

S/7.24

Envase tipo carrete

S/6.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R165CP
Infineon Technologies
1: S/21.14
2,328En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R165CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R165CP

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP

Hoja de datos

2,328En existencias

Cinta cortada

S/21.14

S/13.86

S/10.32

S/8.64

Envase tipo carrete

S/7.90

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R199CP
Infineon Technologies
1: S/18.06
891En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R199CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CP

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP

Hoja de datos

891En existencias

Cinta cortada

S/18.06

S/11.33

S/8.84

S/7.51

Envase tipo carrete

S/6.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

IPD80R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
2,101En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K0CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

2,101En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/4.75

S/3.28

S/2.76

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2

IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
2,123En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R399CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R399CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2

Hoja de datos

2,123En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.76

S/3.93

S/3.18

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

9 A

399 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.78
4,487En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R950CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R950CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

4,487En existencias

Cinta cortada

S/3.78

S/2.36

S/1.54

S/1.18

Envase tipo carrete

S/0.907

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

6.6 A

2.25 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R099CP
Infineon Technologies
1: S/31.88
Plazo de entrega 18 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 18 Semanas

S/31.88

S/22.46

S/18.53

S/15.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R075CP
Infineon Technologies
1: S/43.13
241En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R075CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R075CP

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

Hoja de datos

241En existencias

S/43.13

S/30.48

S/25.42

S/22.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

68 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

116 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.11
15,656En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R199CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R199CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

Hoja de datos

15,656En existencias

Cinta cortada

S/16.11

S/10.51

S/7.67

S/6.42

Envase tipo carrete

S/6.11

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.61
20,000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R500CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R500CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

20,000En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.53

S/2.34

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
4,025En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R400CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R400CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

4,025En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.24

S/2.81

S/2.22

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

14.7 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

112 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R045CPFKSA1
Infineon Technologies
1: S/67.65
3,882En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045CPFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CPFKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

3,882En existencias

S/67.65

S/41.77

S/38.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

60 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

431 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
12,973En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R280CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

12,973En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.44

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32.6 nC

- 55 C

+ 150 C

119 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP

IPL60R385CP
Infineon Technologies
1: S/12.03
1,484En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R385CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R385CP

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP

Hoja de datos

1,484En existencias

Cinta cortada

S/12.03

S/7.79

S/5.37

S/4.48

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

385 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

17 nC

- 40 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.22
1,509En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

1,509En existencias

S/5.22

S/2.43

S/2.16

S/1.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

720 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.10
996En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R950CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R950CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

996En existencias

S/5.10

S/2.38

S/2.11

S/1.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

550 V

6.6 A

2.22 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

25.7 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R199CP
Infineon Technologies
1: S/17.98
209En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R199CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R199CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

209En existencias

S/17.98

S/9.23

S/8.41

S/6.85

S/6.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

199 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/10.16
648En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K0CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K0CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

648En existencias

S/10.16

S/5.84

S/4.44

S/3.75

S/2.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

2.19 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

31 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R099CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.09
995En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

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Hoja de datos

995En existencias

Cinta cortada

S/30.09

S/21.25

S/15.73

S/15.30

Envase tipo carrete

S/14.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 40 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.05
7,500En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

7,500En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.53

S/1.65

S/1.27

Envase tipo carrete

S/1.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.8 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

61 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2

IPD60R385CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.91
5,288En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R385CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R385CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

5,288En existencias

Cinta cortada

S/11.91

S/7.71

S/5.33

S/4.32

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

350 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.9 A
2.4 A
2.6 A
3.1 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
5 A
5.7 A
6.6 A
6.8 A
7 A
7.2 A
7.6 A
8.4 A
9 A
9.9 A
10.1 A
10.8 A
11 A

40 mOhms
68 mOhms
90 mOhms
110 mOhms
125 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
150 mOhms
165 mOhms
170 mOhms
180 mOhms
190 mOhms
199 mOhms
220 mOhms
250 mOhms
270 mOhms
280 mOhms
340 mOhms
350 mOhms
385 mOhms

4.6 nC
6 nC
6.7 nC
8.2 nC
9 nC
9.4 nC
10.5 nC
11 nC
12 nC
12.4 nC
13 nC
15.3 nC
17 nC
17.2 nC
18.7 nC
20.5 nC
22 nC
23 nC
24.8 nC
27 nC

5 W
25.7 W
26 W
26.4 W
28 W
29 W
29.2 W
30.4 W
31 W
32 W
33 W
34 W
35 W
38 W
42 W
49 W
53 W
57 W
61 W
63 W