Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R099CP
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726-IPB60R099CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
1,130 En existencias
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1
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Presupuesto
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Si
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Si
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CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
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Si
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
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Embalaje alternativo
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Presupuesto
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
789 En existencias
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1
S/17.87
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Si
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
447 En existencias
2,000 Se espera el 23/02/2026
Embalaje alternativo
1
S/14.36
10
S/9.38
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Si
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+ 150 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
8,765 En existencias
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Si
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1 Channel
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+ 150 C
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
2,106 En existencias
1
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Si
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N-Channel
1 Channel
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+ 150 C
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Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
13,928 En existencias
1
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10
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1,000
S/1.03
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S/0.716
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
6.8 A
1 Ohms
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+ 150 C
61 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPL60R199CP
Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
2,495 En existencias
1
S/15.69
10
S/10.35
100
S/7.28
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S/6.54
1,000
Ver
3,000
S/5.33
1,000
S/6.19
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S/5.33
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
ThinPAK-5
N-Channel
1 Channel
600 V
16.4 A
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3.5 V
32 nC
- 40 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2
IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
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2,236 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2
2,236 En existencias
1
S/8.14
10
S/5.22
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S/3.51
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S/2.80
2,500
S/2.25
5,000
Ver
1,000
S/2.60
5,000
S/2.16
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
9 A
399 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,737 En existencias
1
S/3.43
10
S/2.14
100
S/1.39
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S/1.06
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S/0.751
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Ver
1,000
S/0.961
5,000
S/0.705
10,000
S/0.654
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
6.6 A
2.25 Ohms
- 20 V, 20 V
3 V
10.5 nC
- 55 C
+ 150 C
53 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
+1 imagen
IPW50R250CP
Infineon Technologies
1:
S/11.64
172 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW50R250CP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
172 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.64
10
S/9.15
100
S/7.28
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S/6.07
1,200
Ver
1,200
S/5.22
2,640
S/4.94
5,040
S/4.79
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
500 V
13 A
220 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
114 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.75
2,588 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2,588 En existencias
1
S/4.75
10
S/2.31
100
S/1.64
500
S/1.36
2,500
S/1.08
5,000
Ver
1,000
S/1.25
5,000
S/1.06
10,000
S/1.03
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
9.9 A
540 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
20.5 nC
- 40 C
+ 150 C
82 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.01
1,780 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
1,780 En existencias
1
S/7.01
10
S/4.48
100
S/2.99
500
S/2.36
2,500
S/1.84
5,000
Ver
1,000
S/2.16
5,000
S/1.76
25,000
S/1.74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
3.9 A
1.4 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1:
S/2.96
7,857 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
7,857 En existencias
1
S/2.96
10
S/1.84
100
S/1.19
500
S/0.911
3,000
S/0.631
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Ver
1,000
S/0.814
6,000
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24,000
S/0.533
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
600 V
5 A
3.51 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
9.4 nC
- 40 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R165CP
Infineon Technologies
1:
S/18.41
375 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
375 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/18.41
10
S/12.18
100
S/9.73
500
S/8.21
1,000
Ver
1,000
S/7.24
2,500
S/6.97
5,000
S/6.81
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
150 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
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+ 150 C
192 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/15.45
585 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CPXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
585 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/15.45
10
S/13.04
25
S/8.95
100
S/8.33
500
Ver
500
S/6.77
1,000
S/6.54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
150 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
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