Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. CoolMOS™ CE portfolio offers 500V, 600V, 650V, 700V, and 800V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools, adapters for notebook and laptops, LCD, LED TV and LED lighting. This new series of CoolMOS™ is cost-optimized to meet typical requirements in consumers with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still being price attractive.

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Resultados: 99

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.41
12,661En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R199CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R199CPATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

12,661En existencias

Cinta cortada

S/15.41

S/10.08

S/7.32

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.84

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R140CP
Infineon Technologies
1: S/20.47
1,837En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R140CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

1,837En existencias

Cinta cortada

S/20.47

S/13.43

S/10.00

S/8.72

Envase tipo carrete

S/7.40

S/7.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

23 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R099CP
Infineon Technologies
1: S/32.27
1,030En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

1,030En existencias

Cinta cortada

S/32.27

S/21.60

S/17.36

S/15.45

Envase tipo carrete

S/13.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.15
8,754En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K8CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K8CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

8,754En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.89

S/2.59

S/2.21

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R800CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.06
6,862En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R800CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R800CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

6,862En existencias

Cinta cortada

S/5.06

S/3.13

S/2.06

S/1.60

S/1.43

Envase tipo carrete

S/1.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8.4 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17.2 nC

- 40 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R165CP
Infineon Technologies
1: S/21.14
2,328En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R165CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R165CP

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP

Hoja de datos

2,328En existencias

Cinta cortada

S/21.14

S/13.86

S/10.32

S/8.64

Envase tipo carrete

S/7.98

S/7.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.31
1,957En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R199CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CPATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP

Hoja de datos

1,957En existencias

Cinta cortada

S/16.31

S/10.74

S/7.59

S/6.93

Envase tipo carrete

S/6.85

S/6.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R075CP
Infineon Technologies
1: S/43.13
271En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R075CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R075CP

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

Hoja de datos

271En existencias

S/43.13

S/30.48

S/25.42

S/22.62

S/21.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

68 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

116 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

IPW50R250CP
Infineon Technologies
1: S/15.38
165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW50R250CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW50R250CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

165En existencias

S/15.38

S/10.04

S/7.32

S/6.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

13 A

220 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2

IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.68
2,175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R399CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R399CPATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

2,175En existencias

Cinta cortada

S/8.68

S/5.57

S/3.76

S/2.99

S/2.75

Envase tipo carrete

S/2.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

9 A

399 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP

IPL60R385CP
Infineon Technologies
1: S/7.98
2,084En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R385CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R385CP

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP

Hoja de datos

2,084En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.88

S/4.67

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

385 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

17 nC

- 40 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

IPD80R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.37
2,101En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K0CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

2,101En existencias

Cinta cortada

S/8.37

S/4.67

S/2.71

S/2.36

Envase tipo carrete

S/2.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.66
4,669En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R950CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R950CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

4,669En existencias

Cinta cortada

S/3.66

S/2.28

S/1.48

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.868

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

6.6 A

2.25 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.46
4,025En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R400CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R400CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

4,025En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.09

S/2.72

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.74

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

14.7 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

112 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R045CPFKSA1
Infineon Technologies
1: S/65.36
3,771En existencias
960Se espera el 1/07/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045CPFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CPFKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

3,771En existencias

960Se espera el 1/07/2026

S/65.36

S/40.21

S/37.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

60 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

431 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.75
6,598En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R280CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

6,598En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32.6 nC

- 55 C

+ 150 C

119 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/9.85
648En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K0CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K0CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

648En existencias

S/9.85

S/5.64

S/4.32

S/3.59

S/2.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

2.19 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

31 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/16.15
190En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R310CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R310CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

190En existencias

S/16.15

S/9.65

S/7.75

S/5.92

S/5.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16.7 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

91 nC

- 40 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R099CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.70
995En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

995En existencias

Cinta cortada

S/29.70

S/19.66

S/15.14

S/14.64

Envase tipo carrete

S/13.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 40 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R2K1CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.08
14,993En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R2K1CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R2K1CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

14,993En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/1.92

S/1.23

S/0.942

Envase tipo carrete

S/0.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

4.91 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.7 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R165CP
Infineon Technologies
1: S/21.14
353En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R165CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

353En existencias

S/21.14

S/13.86

S/10.32

S/8.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R199CP
Infineon Technologies
1: S/22.58
218En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R199CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R199CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

218En existencias

S/22.58

S/14.79

S/11.02

S/9.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/10.90
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2,000En existencias

S/10.90

S/5.37

S/4.83

S/3.83

S/3.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47.2 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.84
12,355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

12,355En existencias

Cinta cortada

S/2.84

S/1.76

S/1.13

S/0.856

Envase tipo carrete

S/0.654

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

2.4 A

4.68 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.72
942En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R500CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

942En existencias

S/5.72

S/2.69

S/2.40

S/1.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11.1 A

1.17 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.9 A
2.4 A
2.6 A
3.1 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
5 A
5.7 A
6.6 A
6.8 A
7 A
7.2 A
7.6 A
8.4 A
9 A
9.9 A
10.1 A
10.8 A
11 A

40 mOhms
68 mOhms
90 mOhms
110 mOhms
125 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
150 mOhms
165 mOhms
170 mOhms
180 mOhms
190 mOhms
199 mOhms
220 mOhms
250 mOhms
270 mOhms
280 mOhms
340 mOhms
350 mOhms
385 mOhms

4.6 nC
6 nC
6.7 nC
8.2 nC
9 nC
9.4 nC
10.5 nC
11 nC
12 nC
12.4 nC
13 nC
15.3 nC
17 nC
17.2 nC
18.7 nC
20.5 nC
22 nC
23 nC
24.8 nC
27 nC

5 W
25.7 W
26 W
26.4 W
28 W
29 W
29.2 W
30.4 W
31 W
32 W
33 W
34 W
35 W
38 W
42 W
49 W
53 W
57 W
61 W
63 W