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Solutions for Energy Infrastructure

onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm

FCPF067N65S3
onsemi
1: S/32.35
4,470En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCPF067N65S3

N.º de artículo de Mouser
512-FCPF067N65S3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm

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S/32.35

S/16.78

S/16.04

Min.: 1
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Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 8A 650V

FFSP0865A
onsemi
1: S/16.08
1,312En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FFSP0865A

N.º de artículo de Mouser
863-FFSP0865A

onsemi

Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 8A 650V

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S/16.08

S/8.91

S/7.36

S/7.20

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Amplificadores de detección de corriente Currnet Sense Amp 26V G=100

NCS214RMUTAG
onsemi
1: S/3.00
5,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NCS214RMUTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NCS214RMUTAG

onsemi

Amplificadores de detección de corriente Currnet Sense Amp 26V G=100

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Cinta cortada

S/3.00

S/2.17

S/1.95

S/1.70

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S/1.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER

NCD5701ADR2G
onsemi
1: S/7.82
4,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NCD5701ADR2G

N.º de artículo de Mouser
863-NCD5701ADR2G

onsemi

Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER

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Cinta cortada

S/7.82

S/5.76

S/5.14

S/4.67

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S/3.71

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: 2,500

Optoacopladores de salida lógica 3.3V/5V, 10Mbit/sec Logic gate SOP 5

FOD8160
onsemi
1: S/16.00
3,097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FOD8160

N.º de artículo de Mouser
512-FOD8160

onsemi

Optoacopladores de salida lógica 3.3V/5V, 10Mbit/sec Logic gate SOP 5

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3,097En existencias

S/16.00

S/11.09

S/9.15

S/8.21

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 82MOHM

NTP082N65S3F
onsemi
1: S/35.50
2,269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTP082N65S3F

N.º de artículo de Mouser
863-NTP082N65S3F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 82MOHM

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S/35.50

S/19.50

S/18.14

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET III MOSFET

FCH023N65S3L4
onsemi
1: S/98.40
125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH023N65S3L4

N.º de artículo de Mouser
512-FCH023N65S3L4

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET III MOSFET

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S/98.40

S/67.69

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Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 10A 650V

FFSP1065A
onsemi
1: S/21.49
747En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FFSP1065A

N.º de artículo de Mouser
863-FFSP1065A

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Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 10A 650V

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S/21.49

S/13.35

S/10.86

S/9.23

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Mult.: 1

Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER

NCD5701CDR2G
onsemi
1: S/6.31
2,097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NCD5701CDR2G

N.º de artículo de Mouser
863-NCD5701CDR2G

onsemi

Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER

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S/6.31

S/4.94

S/4.59

S/4.20

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S/3.72

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Optoacopladores de salida MOSFET Input LED drive 2.5A gate driver

FOD8332
onsemi
1: S/24.25
848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FOD8332

N.º de artículo de Mouser
512-FOD8332

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Optoacopladores de salida MOSFET Input LED drive 2.5A gate driver

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S/24.25

S/15.57

S/13.35

S/11.99

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Mult.: 1

Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER

NCD5701BDR2G
onsemi
1: S/12.49
1,761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NCD5701BDR2G

N.º de artículo de Mouser
863-NCD5701BDR2G

onsemi

Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER

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S/12.49

S/9.38

S/6.11

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S/6.07

S/5.84

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL

NTHL082N65S3F
onsemi
1: S/44.41
440En existencias

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NTHL082N65S3F

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL082N65S3F

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S/44.41

S/29.27

S/24.33

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET

FDMC86260
onsemi
1: S/11.79
60,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMC86260

N.º de artículo de Mouser
512-FDMC86260

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET

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S/11.79

S/8.14

S/5.92

S/4.98

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.87

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET

FDMS86101DC
onsemi
1: S/21.88
8,622En existencias
6,000Se espera el 4/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDMS86101DC

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86101DC

onsemi

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8,622En existencias

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S/21.88

S/13.90

S/10.43

S/9.34

Envase tipo carrete

S/9.34

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 760

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 70mOhm

FCB070N65S3
onsemi
1: S/32.58
937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCB070N65S3

N.º de artículo de Mouser
512-FCB070N65S3

onsemi

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S/32.58

S/22.15

S/16.23

S/14.79

Envase tipo carrete

S/14.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET

FCP067N65S3
onsemi
1: S/29.74
783En existencias
800Se espera el 22/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
FCP067N65S3

N.º de artículo de Mouser
512-FCP067N65S3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET

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783En existencias

800Se espera el 22/06/2026

S/29.74

S/16.74

S/15.34

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

FDMC2523P
onsemi
1: S/8.84
4,476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMC2523P

N.º de artículo de Mouser
512-FDMC2523P

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

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4,476En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/5.72

S/4.16

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100/20V N-Chan PowerTrench

FDMC86102
onsemi
1: S/12.85
1,979En existencias
3,000Se espera el 18/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDMC86102

N.º de artículo de Mouser
512-FDMC86102

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100/20V N-Chan PowerTrench

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1,979En existencias

3,000Se espera el 18/09/2026

Cinta cortada

S/12.85

S/8.37

S/5.80

Envase tipo carrete

S/5.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO

FDMT800100DC
onsemi
1: S/40.25
1,732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMT800100DC

N.º de artículo de Mouser
512-FDMT800100DC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO

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Cinta cortada

S/40.25

S/27.75

S/21.06

S/19.66

Envase tipo carrete

S/19.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET

FDMT800120DC
onsemi
1: S/33.90
2,173En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMT800120DC

N.º de artículo de Mouser
512-FDMT800120DC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET

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2,173En existencias

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S/33.90

S/23.08

S/16.97

S/16.74

S/15.61

Envase tipo carrete

S/15.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 8A

FFSP08120A
onsemi
1: S/29.51
545En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FFSP08120A

N.º de artículo de Mouser
512-FFSP08120A

onsemi

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 8A

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545En existencias

S/29.51

S/15.84

S/14.48

S/12.85

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650V FS4 Trench IGBT

FGH75T65SQD-F155
onsemi
1: S/27.48
598En existencias
450Se espera el 26/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
FGH75T65SQD-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FGH75T65SQD_F155

onsemi

IGBTs 650V FS4 Trench IGBT

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Hoja de datos

598En existencias

450Se espera el 26/06/2026

S/27.48

S/15.80

S/13.20

S/12.92

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT

FGH75T65SQDT-F155
onsemi
1: S/27.79
496En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FGH75T65SQDT-F155

N.º de artículo de Mouser
863-FGH75T65SQDTF155

onsemi

IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT

Hoja de datos

496En existencias

S/27.79

S/16.00

S/13.39

S/13.27

Min.: 1
Mult.: 1

Amplificadores operacionales - Op Amps R2R OUTPUT SINGLE AMPLIFIER TSOP-5

NCS20081SN2T1G
onsemi
1: S/1.63
18,127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NCS20081SN2T1G

N.º de artículo de Mouser
863-NCS20081SN2T1G

onsemi

Amplificadores operacionales - Op Amps R2R OUTPUT SINGLE AMPLIFIER TSOP-5

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18,127En existencias

Cinta cortada

S/1.63

S/1.13

S/1.01

S/0.876

Envase tipo carrete

S/0.673

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 99 A, 6.5 mOhm

FDMT800150DC
onsemi
1: S/34.60
1,062En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDMT800150DC

N.º de artículo de Mouser
512-FDMT800150DC

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 99 A, 6.5 mOhm

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Hoja de datos

1,062En existencias

Cinta cortada

S/34.60

S/24.48

S/18.84

S/18.76

S/17.59

Envase tipo carrete

S/17.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Solutions for Energy Infrastructure

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