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Solutions for Energy Infrastructure

onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm

FCPF067N65S3
onsemi
1: S/32.93
4,457En existencias

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FCPF067N65S3

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512-FCPF067N65S3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm

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S/32.93

S/18.37

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Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 8A 650V

FFSP0865A
onsemi
1: S/12.61
1,312En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FFSP0865A

N.º de artículo de Mouser
863-FFSP0865A

onsemi

Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 8A 650V

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S/12.61

S/8.52

S/7.05

S/6.31

S/6.27

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Optoacopladores de salida MOSFET Input LED drive 2.5A gate driver

FOD8332
onsemi
1: S/25.22
842En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FOD8332

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512-FOD8332

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Optoacopladores de salida MOSFET Input LED drive 2.5A gate driver

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S/25.22

S/16.23

S/15.30

S/13.70

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Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER

NCD5701BDR2G
onsemi
1: S/10.16
1,748En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NCD5701BDR2G

N.º de artículo de Mouser
863-NCD5701BDR2G

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Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER

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S/10.16

S/8.14

S/6.66

S/6.42

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S/6.07

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL

NTHL082N65S3F
onsemi
1: S/46.13
440En existencias

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NTHL082N65S3F

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863-NTHL082N65S3F

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S/46.13

S/29.89

S/25.92

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Optoacopladores de salida lógica 3.3V/5V, 10Mbit/sec Logic gate SOP 5

FOD8160
onsemi
1: S/16.66
3,085En existencias

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FOD8160

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512-FOD8160

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Optoacopladores de salida lógica 3.3V/5V, 10Mbit/sec Logic gate SOP 5

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S/16.66

S/11.87

S/9.61

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Amplificadores de detección de corriente Currnet Sense Amp 26V G=100

NCS214RMUTAG
onsemi
1: S/2.53
5,730En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NCS214RMUTAG

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863-NCS214RMUTAG

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Amplificadores de detección de corriente Currnet Sense Amp 26V G=100

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S/1.92

S/1.76

S/1.60

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S/1.36

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Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER

NCD5701ADR2G
onsemi
1: S/7.82
4,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NCD5701ADR2G

N.º de artículo de Mouser
863-NCD5701ADR2G

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Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER

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S/5.76

S/5.14

S/4.67

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S/3.64

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET III MOSFET

FCH023N65S3L4
onsemi
1: S/102.26
125En existencias

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FCH023N65S3L4

N.º de artículo de Mouser
512-FCH023N65S3L4

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Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 10A 650V

FFSP1065A
onsemi
1: S/18.65
745En existencias

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FFSP1065A

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863-FFSP1065A

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S/18.65

S/11.56

S/10.59

S/9.15

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Amplificadores de detección de corriente Currnet Sense Amp 26V G=200

NCS210RMUTAG
onsemi
1: S/3.62
71En existencias
3,000Se espera el 23/04/2027

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NCS210RMUTAG

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S/2.53

S/2.27

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S/1.53

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 82MOHM

NTP082N65S3F
onsemi
1: S/36.82
2,269En existencias

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NTP082N65S3F

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863-NTP082N65S3F

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S/36.82

S/20.36

S/19.07

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Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER

NCD5701CDR2G
onsemi
1: S/5.33
2,097En existencias

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NCD5701CDR2G

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863-NCD5701CDR2G

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S/5.33

S/4.40

S/4.16

S/3.93

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S/3.64

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET

FDMC86260
onsemi
1: S/14.75
55,269En existencias

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FDMC86260

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512-FDMC86260

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S/9.65

S/7.01

S/5.88

S/5.45

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S/5.45

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET

FDMS86101DC
onsemi
1: S/24.09
7,454En existencias
6,000Se espera el 18/08/2026

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FDMS86101DC

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512-FDMS86101DC

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S/24.09

S/15.76

S/11.60

S/10.32

Envase tipo carrete

S/10.32

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Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 20A 650V

FFSP2065A
onsemi
1: S/29.08
1,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FFSP2065A

N.º de artículo de Mouser
863-FFSP2065A

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S/29.08

S/15.57

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 70mOhm

FCB070N65S3
onsemi
1: S/33.86
810En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCB070N65S3

N.º de artículo de Mouser
512-FCB070N65S3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 70mOhm

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S/33.86

S/23.04

Envase tipo carrete

S/23.04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET

FCP067N65S3
onsemi
1: S/34.57
1,445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP067N65S3

N.º de artículo de Mouser
512-FCP067N65S3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET

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S/34.57

S/20.09

S/18.41

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

FDMC2523P
onsemi
1: S/10.24
4,573En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMC2523P

N.º de artículo de Mouser
512-FDMC2523P

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

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4,573En existencias

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S/10.24

S/6.58

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET

FDMS86200DC
onsemi
1: S/23.51
1,572En existencias
3,000Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDMS86200DC

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86200DC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET

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1,572En existencias

3,000Se espera el 16/10/2026

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S/23.51

S/15.73

S/11.29

S/10.28

Envase tipo carrete

S/10.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 640

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO

FDMT800100DC
onsemi
1: S/41.92
1,521En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMT800100DC

N.º de artículo de Mouser
512-FDMT800100DC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO

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1,521En existencias

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S/41.92

S/28.88

S/22.11

S/20.67

Envase tipo carrete

S/20.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET

FDMT800120DC
onsemi
1: S/35.19
1,615En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMT800120DC

N.º de artículo de Mouser
512-FDMT800120DC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET

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1,615En existencias

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S/35.19

S/24.02

S/17.67

S/16.39

Envase tipo carrete

S/16.39

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 8A

FFSP08120A
onsemi
1: S/29.51
462En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FFSP08120A

N.º de artículo de Mouser
512-FFSP08120A

onsemi

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 8A

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462En existencias

S/29.51

S/15.84

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

IGBTs 650V FS4 Trench IGBT

FGH75T65SQD-F155
onsemi
1: S/27.48
803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FGH75T65SQD-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FGH75T65SQD_F155

onsemi

IGBTs 650V FS4 Trench IGBT

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803En existencias

S/27.48

S/15.80

S/13.20

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120

Optoacopladores de alta velocidad 10MBit Optocoupler HS Logic Gate

HCPL0600
onsemi
1: S/5.99
10,922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HCPL0600

N.º de artículo de Mouser
512-HCPL0600

onsemi

Optoacopladores de alta velocidad 10MBit Optocoupler HS Logic Gate

Hoja de datos

10,922En existencias

S/5.99

S/3.70

S/3.43

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 170

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