Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C0₂ emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.

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Resultados: 64

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S403ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.09
2,000Se espera el 7/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S403ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S403ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000Se espera el 7/09/2026

Cinta cortada

S/20.09

S/13.31

S/9.50

S/8.33

Envase tipo carrete

S/7.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

IPB180N10S4-02
Infineon Technologies
1: S/28.61
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N10S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N10S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

Obtenga más información

Hoja de datos

1,000En pedido

Cinta cortada

S/28.61

S/18.72

S/13.82

S/12.49

Envase tipo carrete

S/10.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

IPB180N10S402ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.77
998Se espera el 19/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N10S402ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N10S402ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

Obtenga más información

Hoja de datos

998Se espera el 19/08/2026

Cinta cortada

S/25.77

S/17.32

S/12.49

S/11.64

Envase tipo carrete

S/10.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: S/14.21
3,729En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S3L-12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

3,729En pedido

Cinta cortada

S/14.21

S/9.30

S/7.36

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD35N10S3L26ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
2,500Se espera el 27/08/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD35N10S3L26ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N10S3L26ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

2,500Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/9.23

S/5.92

S/4.01

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.24
3,818Se espera el 22/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUT260N10S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT260N10S5N01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

3,818Se espera el 22/07/2027

Cinta cortada

S/20.24

S/13.74

S/10.32

S/9.23

S/8.68

Envase tipo carrete

S/8.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

260 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.85
3,641Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N014

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

3,641Se espera el 10/09/2026

Cinta cortada

S/22.85

S/14.95

S/10.78

S/9.77

S/9.65

Envase tipo carrete

S/8.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

187 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L-35
Infineon Technologies
1: S/8.41
4,909Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L-35

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-35

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Hoja de datos

4,909Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/8.41

S/5.33

S/3.59

S/2.91

Ver

Envase tipo carrete

S/2.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

35 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: S/13.08
485Se espera el 4/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

485Se espera el 4/09/2026

Cinta cortada

S/13.08

S/8.52

S/5.92

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.40

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
5,000: S/2.93
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L22AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L22AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.93

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC64N08S5L075ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUC64N08S5L075ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC64N08S5L075A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.20

S/2.69

Ver

Envase tipo carrete

S/2.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET

AUIRF7669L2TR
Infineon Technologies
4,000: S/19.15
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
AUIRF7669L2TR

N.º de artículo de Mouser
942-AUIRF7669L2TR

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

Envase tipo carrete

S/19.15

Min.: 4,000
Mult.: 4,000

: 4,000

SMD/SMT

DirectFET-L8

N-Channel

1 Channel

100 V

114 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

AUIRFP4110
Infineon Technologies
1: S/35.69
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
AUIRFP4110

N.º de artículo de Mouser
942-AUIRFP4110

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/35.69

S/21.41

S/17.98

S/16.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

370 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPP100N10S305AKSA2
Infineon Technologies
500: S/13.20
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP100N10S305AKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPP100N10S305AK2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

S/13.20

S/12.26

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

16 A
20 A
22 A
30 A
35 A
50 A
60 A
70 A
80 A
90 A
100 A
114 A
120 A
124 A
150 A
165 A
180 A
200 A
240 A
260 A

1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms
4.5 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
5.6 mOhms
5.8 mOhms

7 nC
9.4 nC
13.4 nC
17.4 nC
24 nC
27 nC
30 nC
33 nC
34 nC
39 nC
49 nC
51 nC
56 nC
57 nC
59 nC
60 nC
64 nC
66 nC
67 nC
68 nC

29 W
43 W
57 W
60 W
71 W
72 W
75 W
94 W
100 W
125 W
136 W
144 W
166 W
167 W
190 W
200 W
230 W
250 W
278 W
300 W