Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C0₂ emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.

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Resultados: 64

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN08S5N012GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/21.72
41En existencias
4,000Se espera el 5/03/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN08S5N012GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN08S5N012GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

41En existencias

4,000Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/21.72

S/14.71

S/11.33

S/10.43

S/9.58

Envase tipo carrete

S/8.80

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

80 V

370 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

149 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS165N08S5N029ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.96
414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS165N08S5N029ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

414En existencias

Cinta cortada

S/15.96

S/10.51

S/7.40

S/6.70

S/6.03

Envase tipo carrete

S/5.45

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

165 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L-22
Infineon Technologies
1: S/9.26
1,269En existencias
5,000Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L-22

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Hoja de datos

1,269En existencias

5,000Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/9.26

S/5.92

S/4.05

S/3.36

Envase tipo carrete

S/2.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L-35
Infineon Technologies
1: S/7.51
1,583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L-35

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-35

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Hoja de datos

1,583En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/4.83

S/3.32

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

35 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

IPB180N10S4-02
Infineon Technologies
1: S/22.58
992Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N10S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N10S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

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Hoja de datos

992Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/22.58

S/17.05

S/13.82

S/12.34

Envase tipo carrete

S/10.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2

IPD60N10S4L-12
Infineon Technologies
1: S/8.10
21,026Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60N10S4L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60N10S4L-12

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2

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Hoja de datos

21,026Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/8.10

S/5.18

S/3.58

S/3.04

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

9.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: S/10.86
2,500En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

2,500En pedido

Cinta cortada

S/10.86

S/7.05

S/4.87

S/3.97

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N10S5L040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.42
10,000Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N10S5L040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N10S5L040

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

10,000Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/12.42

S/8.10

S/5.61

S/4.79

Ver

Envase tipo carrete

S/3.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.54
5,504Se espera el 23/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N10S5N015ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N015

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

5,504Se espera el 23/04/2026

Cinta cortada

S/22.54

S/15.76

S/12.73

S/11.33

S/9.69

Envase tipo carrete

S/9.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: S/12.57
1,000Se espera el 2/03/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

1,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/12.57

S/8.14

S/5.99

S/4.67

Envase tipo carrete

S/3.97

S/3.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC64N08S5L075ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUC64N08S5L075ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC64N08S5L075A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.06

S/2.43

Ver

Envase tipo carrete

S/1.87

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET

AUIRF7669L2TR
Infineon Technologies
4,000: S/19.15
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
AUIRF7669L2TR

N.º de artículo de Mouser
942-AUIRF7669L2TR

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

Envase tipo carrete

S/19.15

Min.: 4,000
Mult.: 4,000

Carrete: 4,000

SMD/SMT

DirectFET-L8

N-Channel

1 Channel

100 V

114 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPP100N10S305AKSA2
Infineon Technologies
500: S/10.82
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP100N10S305AKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPP100N10S305AK2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

S/10.82

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

AUIRFP4110
Infineon Technologies
1: S/32.39
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
AUIRFP4110

N.º de artículo de Mouser
942-AUIRFP4110

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/32.39

S/19.42

S/16.31

S/14.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

370 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

16 A
20 A
22 A
30 A
35 A
50 A
60 A
70 A
80 A
90 A
100 A
114 A
120 A
124 A
150 A
165 A
180 A
200 A
240 A
260 A

1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms
4.5 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
5.6 mOhms
5.8 mOhms

7 nC
9.4 nC
13.4 nC
17.4 nC
24 nC
27 nC
30 nC
33 nC
34 nC
39 nC
49 nC
51 nC
56 nC
57 nC
59 nC
60 nC
64 nC
66 nC
67 nC
68 nC

29 W
43 W
57 W
60 W
71 W
72 W
75 W
94 W
100 W
125 W
136 W
144 W
166 W
167 W
190 W
200 W
230 W
250 W
278 W
300 W