Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 64

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.39
14,311En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S405ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S405ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Hoja de datos

14,311En existencias

Cinta cortada

S/16.39

S/10.59

S/7.55

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.08
36,653En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L21ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L21ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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36,653En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.03

S/4.28

S/3.57

S/3.28

Envase tipo carrete

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

15.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPD60N10S412ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
4,507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60N10S412ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60N10S412ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Hoja de datos

4,507En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.06

S/3.55

S/2.94

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L-21
Infineon Technologies
1: S/9.73
17,856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L-21

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L-21

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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17,856En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.23

S/4.24

S/3.53

S/3.11

Envase tipo carrete

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

20.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD90N10S4L-06
Infineon Technologies
1: S/11.21
3,782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N10S4L-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N10S4L-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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3,782En existencias

Cinta cortada

S/11.21

S/7.24

S/5.18

S/4.32

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPD90N08S405ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
3,202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N08S405ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N08S405ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

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3,202En existencias

Cinta cortada

S/11.41

S/7.20

S/5.10

S/3.60

Envase tipo carrete

S/3.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPD50N08S413ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
8,118En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N08S413ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N08S413ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

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Hoja de datos

8,118En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/3.93

S/2.83

S/2.37

Envase tipo carrete

S/1.92

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

50 A

11.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

72 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPD90N08S4-05
Infineon Technologies
1: S/10.78
2,336En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N08S4-05

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N08S4-05

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

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Hoja de datos

2,336En existencias

Cinta cortada

S/10.78

S/6.97

S/4.98

S/4.16

S/3.60

Envase tipo carrete

S/3.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.65
6,839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT150N10S5N035ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT150N10S5N035

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

6,839En existencias

Cinta cortada

S/15.65

S/9.58

S/7.32

S/6.11

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPP120N08S403AKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.79
1,268En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP120N08S403AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP120N08S403AKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

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Hoja de datos

1,268En existencias

S/27.79

S/14.83

S/13.58

S/11.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

167 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD30N10S3L-34
Infineon Technologies
1: S/7.75
2,976En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N10S3L-34

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

2,976En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.42

S/2.90

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
1: S/9.46
4,832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L-22A

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

4,832En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.13

S/3.43

Ver

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.39
6,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

6,045En existencias

Cinta cortada

S/16.39

S/10.12

S/7.75

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S222ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.26
1,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S222ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S222ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

1,156En existencias

Cinta cortada

S/9.26

S/5.96

S/4.09

S/3.25

Envase tipo carrete

S/2.62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2-22
Infineon Technologies
1: S/9.46
2,349En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2-22

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2-22

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

2,349En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.13

S/3.43

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB35N10S3L-26
Infineon Technologies
1: S/11.56
980En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L-26

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

980En existencias

Cinta cortada

S/11.56

S/7.47

S/5.33

S/4.55

Envase tipo carrete

S/3.86

S/3.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
1: S/14.64
725En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

725En existencias

Cinta cortada

S/14.64

S/9.54

S/7.47

S/6.42

Envase tipo carrete

S/5.45

S/5.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.17
4,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L35AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L35AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

4,958En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/4.75

S/3.34

S/2.81

Ver

Envase tipo carrete

S/2.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

45 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

17.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
1,874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L22AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L22AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

1,874En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.68

S/3.56

S/3.10

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN08S5N012GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/24.91
2,840En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN08S5N012GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN08S5N012GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

2,840En existencias

Cinta cortada

S/24.91

S/16.35

S/12.03

S/10.70

S/10.32

Envase tipo carrete

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

80 V

370 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

149 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN08S5N013GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/22.23
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IAUMN08S5N013GAUMA1

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726-IAUMN08S5N013GAU

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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S/22.23

S/14.83

S/10.63

S/9.54

S/9.19

Envase tipo carrete

S/8.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

80 V

350 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

307 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN10S5N016GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/24.37
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IAUMN10S5N016GAUMA1

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726-IAUMN10S5N016GAU

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S/24.37

S/16.08

S/11.72

S/10.51

S/9.85

Envase tipo carrete

S/9.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

100 V

310 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

142 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N10S5L040ATMA1
Infineon Technologies
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IAUC100N10S5L040ATMA1

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726-IAUC100N10S5L040

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S/13.31

S/8.60

S/6.03

S/4.87

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Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S403ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.35
1,240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S403ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S403ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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S/19.35

S/12.85

S/9.15

S/8.33

Envase tipo carrete

S/7.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

IPB180N10S4-02
Infineon Technologies
1: S/22.58
692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N10S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N10S4-02

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

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S/22.58

S/17.05

S/13.82

S/12.34

Envase tipo carrete

S/10.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

16 A
20 A
22 A
30 A
35 A
50 A
60 A
70 A
80 A
90 A
100 A
114 A
120 A
124 A
150 A
165 A
180 A
200 A
240 A
260 A

1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms
4.5 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
5.6 mOhms
5.8 mOhms

7 nC
9.4 nC
13.4 nC
17.4 nC
24 nC
27 nC
30 nC
33 nC
34 nC
39 nC
49 nC
51 nC
56 nC
57 nC
59 nC
60 nC
64 nC
66 nC
67 nC
68 nC

29 W
43 W
57 W
60 W
71 W
72 W
75 W
94 W
100 W
125 W
136 W
144 W
166 W
167 W
190 W
200 W
230 W
250 W
278 W
300 W