Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C0₂ emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.

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Resultados: 64

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.30
14,666En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S405ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S405ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Hoja de datos

14,666En existencias

Cinta cortada

S/15.30

S/10.04

S/7.08

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.14

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.46
36,885En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L21ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L21ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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36,885En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.11

S/4.16

S/3.33

Envase tipo carrete

S/2.69

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

15.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD90N10S4L-06
Infineon Technologies
1: S/11.17
3,861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N10S4L-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N10S4L-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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3,861En existencias

Cinta cortada

S/11.17

S/7.20

S/5.14

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPD90N08S405ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.67
3,202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N08S405ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N08S405ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

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3,202En existencias

Cinta cortada

S/10.67

S/5.18

S/4.09

S/3.61

S/3.57

Envase tipo carrete

S/3.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L-21
Infineon Technologies
1: S/9.73
18,036En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L-21

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L-21

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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18,036En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.23

S/4.24

S/3.53

Envase tipo carrete

S/2.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

20.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPD50N08S413ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
8,335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N08S413ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N08S413ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

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8,335En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.24

S/2.84

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.82

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

50 A

11.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

72 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPD90N08S4-05
Infineon Technologies
1: S/10.78
2,346En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N08S4-05

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N08S4-05

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

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2,346En existencias

Cinta cortada

S/10.78

S/6.97

S/4.98

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.39

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD90N10S4L06ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.86
10,379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N10S4L06ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N10S4L06ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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10,379En existencias

Cinta cortada

S/10.86

S/6.19

S/4.90

S/4.01

S/3.70

Envase tipo carrete

S/3.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG16N10S461AATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.23
4,612En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG16N10S461AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-G16N10S461AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

4,612En existencias

Cinta cortada

S/6.23

S/3.97

S/2.63

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

16 A

61 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

29 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: S/14.21
2,884En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S3L-12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

2,884En existencias

Cinta cortada

S/14.21

S/9.30

S/6.54

S/5.72

Envase tipo carrete

S/4.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPP120N08S403AKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.07
1,309En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP120N08S403AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP120N08S403AKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

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Hoja de datos

1,309En existencias

S/22.07

S/11.79

S/10.78

S/10.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

167 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S312ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.40
2,500En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S312ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312ATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

2,500En existencias

Cinta cortada

S/14.40

S/9.42

S/6.62

S/5.80

Envase tipo carrete

S/4.94

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
1: S/9.46
4,857En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L-22A

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

4,857En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.13

S/3.43

Ver

Envase tipo carrete

S/2.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L35ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.08
24,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L35ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L35ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Hoja de datos

24,548En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.20

S/3.08

S/2.57

Ver

Envase tipo carrete

S/1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

29 mOhms, 29 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

17.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.91
7,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT150N10S5N035ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT150N10S5N035

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

7,008En existencias

Cinta cortada

S/14.91

S/9.77

S/6.85

S/6.11

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.60
6,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

6,045En existencias

Cinta cortada

S/14.60

S/9.73

S/7.47

S/6.77

S/6.73

Envase tipo carrete

S/5.49

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPG20N10S436AATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.43
13,742En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S436AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S436AATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Hoja de datos

13,742En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.75

S/3.18

S/2.52

Ver

Envase tipo carrete

S/1.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

31 mOhms, 31 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S222ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.47
1,304En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S222ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S222ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

1,304En existencias

Cinta cortada

S/7.47

S/5.10

S/3.60

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2-22
Infineon Technologies
1: S/9.46
2,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2-22

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2-22

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

2,369En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.13

S/3.43

Ver

Envase tipo carrete

S/2.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.71
4,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L35AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L35AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

4,978En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.31

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

45 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

17.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
1: S/14.56
972En existencias

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IAUT165N08S5N029ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT165N08S5N029

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

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S/14.56

S/9.58

S/6.70

S/5.92

S/5.45

Envase tipo carrete

S/4.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

165 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB35N10S3L-26
Infineon Technologies
1: S/11.56
980En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L-26

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

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S/11.56

S/7.47

S/5.33

S/4.52

Envase tipo carrete

S/3.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN08S5N013GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.00
3,650En existencias
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IAUMN08S5N013GAUMA1

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726-IAUMN08S5N013GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Cinta cortada

S/19.00

S/13.55

S/11.44

S/10.39

S/10.00

Envase tipo carrete

S/8.49

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

80 V

350 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

307 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN10S5N016GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/17.83
3,999En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN10S5N016GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN10S5N016GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/17.83

S/14.83

S/12.49

S/11.41

S/10.98

Envase tipo carrete

S/9.30

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

100 V

310 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

142 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD30N10S3L-34
Infineon Technologies
1: S/7.75
3,244En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N10S3L-34

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

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Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.42

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

16 A
20 A
22 A
30 A
35 A
50 A
60 A
70 A
80 A
90 A
100 A
114 A
120 A
124 A
150 A
165 A
180 A
200 A
240 A
260 A

1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms
4.5 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
5.6 mOhms
5.8 mOhms

7 nC
9.4 nC
13.4 nC
17.4 nC
24 nC
27 nC
30 nC
33 nC
34 nC
39 nC
49 nC
51 nC
56 nC
57 nC
59 nC
60 nC
64 nC
66 nC
67 nC
68 nC

29 W
43 W
57 W
60 W
71 W
72 W
75 W
94 W
100 W
125 W
136 W
144 W
166 W
167 W
190 W
200 W
230 W
250 W
278 W
300 W