Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C0₂ emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.

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Resultados: 64

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

IPB180N10S402ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.36
613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N10S402ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N10S402ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

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613En existencias

Cinta cortada

S/23.36

S/16.15

S/11.68

S/11.64

Envase tipo carrete

S/9.46

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

IPB80N08S2-07
Infineon Technologies
1: S/19.89
1,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N08S2-07

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N08S207

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

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1,263En existencias

Cinta cortada

S/19.89

S/14.95

S/10.74

Envase tipo carrete

S/9.50

S/8.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPD60N10S412ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.27
2,331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60N10S412ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60N10S412ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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2,331En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/4.55

S/3.26

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPD90N10S406ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.67
2,614En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N10S406ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N10S406ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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2,614En existencias

Cinta cortada

S/10.67

S/6.93

S/4.94

S/4.09

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.32

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB35N10S3L26ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.54
2,810En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB35N10S3L26ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L26ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Cinta cortada

S/9.54

S/5.76

S/5.02

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.81

S/3.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
1: S/14.60
725En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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725En existencias

Cinta cortada

S/14.60

S/9.50

S/7.43

S/6.23

Envase tipo carrete

S/5.33

S/5.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD35N10S3L-26
Infineon Technologies
1: S/9.03
3,832En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N10S3L26

NRND

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/9.03

S/5.76

S/4.01

S/3.38

Envase tipo carrete

S/2.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD35N10S3L26ATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.97
1,440En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD35N10S3L26ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N10S3L26ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

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S/3.97

S/3.11

S/2.89

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD70N10S3-12
Infineon Technologies
1: S/11.95
1,546En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S312

NRND

Infineon Technologies

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S/11.95

S/7.94

S/5.80

S/4.94

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: S/12.11
6,575En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S3L12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

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6,575En existencias

Cinta cortada

S/12.11

S/7.90

S/5.49

S/4.44

Envase tipo carrete

S/4.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N012ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.54
4,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS300N08S5N012

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

4,648En existencias

Cinta cortada

S/22.54

S/17.01

S/13.78

S/12.22

S/10.47

Envase tipo carrete

S/10.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

231 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.13
1,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT240N08S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT240N08S5N019

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

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Hoja de datos

1,133En existencias

Cinta cortada

S/17.13

S/11.41

S/8.06

S/7.79

S/7.55

Envase tipo carrete

S/6.03

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

240 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.09
675En existencias
1,900Se espera el 2/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT260N10S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT260N10S5N01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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675En existencias

1,900Se espera el 2/04/2026

Cinta cortada

S/20.09

S/13.31

S/10.59

S/9.38

S/8.06

Envase tipo carrete

S/7.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

260 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
1: S/18.80
1,294En existencias
4,000Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N012ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

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Hoja de datos

1,294En existencias

4,000Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/18.80

S/15.03

S/12.14

S/10.82

S/9.26

Envase tipo carrete

S/9.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

231 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.85
3,522En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N014

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

3,522En existencias

Cinta cortada

S/19.85

S/13.20

S/10.67

S/9.50

S/8.14

Envase tipo carrete

S/8.14

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

187 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L22ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.41
5,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L22ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L22ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Hoja de datos

5,254En existencias

Cinta cortada

S/8.41

S/5.18

S/3.76

S/3.15

Ver

Envase tipo carrete

S/2.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

AUIRF7769L2TR
Infineon Technologies
1: S/30.32
1,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AUIRF7769L2TR

N.º de artículo de Mouser
942-AUIRF7769L2TR

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

1,007En existencias

Cinta cortada

S/30.32

S/26.55

S/23.39

S/21.49

Envase tipo carrete

S/19.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

DirectFET-L8

N-Channel

1 Channel

100 V

124 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPD30N10S3L34ATMA2
Infineon Technologies
1: S/7.71
2,087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N10S3L34ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

2,087En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.94

S/3.32

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S403ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.76
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S403ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S403ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Hoja de datos

428En existencias

Cinta cortada

S/18.76

S/12.46

S/8.87

S/8.33

Envase tipo carrete

S/6.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS

IPD22N08S2L-50
Infineon Technologies
1: S/8.14
1,294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD22N08S2L-50

N.º de artículo de Mouser
726-IPD22N08S2L-50

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS

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S/8.14

S/5.22

S/3.53

S/2.81

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S/2.18

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

22 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPD50N08S4-13
Infineon Technologies
1: S/6.85
2,587En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N08S4-13

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N08S4-13

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

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S/6.85

S/4.36

S/2.90

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

50 A

11.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

72 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2

IPD60N10S4L12ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.20
611En existencias
2,500Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60N10S4L12ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60N10S4L12ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2

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Cinta cortada

S/4.20

S/2.90

S/2.58

S/2.54

Envase tipo carrete

S/2.11

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

9.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD30N10S3L34ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.73
1,874En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N10S3L34ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

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S/6.73

S/4.63

S/3.32

S/2.64

S/2.42

Envase tipo carrete

S/2.01

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.98
1,921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L22AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L22AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Cinta cortada

S/7.98

S/4.87

S/3.73

S/3.18

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.60

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N10S5N040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.69
126En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N10S5N040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N10S5N040

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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S/12.69

S/8.25

S/5.92

S/4.98

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Envase tipo carrete

S/4.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

16 A
20 A
22 A
30 A
35 A
50 A
60 A
70 A
80 A
90 A
100 A
114 A
120 A
124 A
150 A
165 A
180 A
200 A
240 A
260 A

1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms
4.5 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
5.6 mOhms
5.8 mOhms

7 nC
9.4 nC
13.4 nC
17.4 nC
24 nC
27 nC
30 nC
33 nC
34 nC
39 nC
49 nC
51 nC
56 nC
57 nC
59 nC
60 nC
64 nC
66 nC
67 nC
68 nC

29 W
43 W
57 W
60 W
71 W
72 W
75 W
94 W
100 W
125 W
136 W
144 W
166 W
167 W
190 W
200 W
230 W
250 W
278 W
300 W