Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

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Resultados: 41

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NT1G
onsemi
1: S/23.59
14En existencias
1,500Se espera el 10/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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Hoja de datos

14En existencias

1,500Se espera el 10/08/2026

Cinta cortada

S/23.59

S/15.45

S/11.37

S/10.12

S/8.99

Envase tipo carrete

S/8.99

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

NVMFS5C612NWFT1G
onsemi
1: S/25.92
17En existencias
3,000Se espera el 20/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

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Hoja de datos

17En existencias

3,000Se espera el 20/10/2026

Cinta cortada

S/25.92

S/17.40

S/13.23

S/11.99

S/11.13

Envase tipo carrete

S/11.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

NVMFS5C680NLT1G
onsemi
1: S/7.32
309En existencias
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C680NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C680NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

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Hoja de datos

309En existencias

9,000En pedido

Cinta cortada

S/7.32

S/4.59

S/3.02

S/2.40

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.8 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04CL
onsemi
1: S/27.17
49En existencias
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

49En existencias

9,000En pedido

Cinta cortada

S/27.17

S/18.18

S/13.51

S/12.53

S/12.30

Envase tipo carrete

S/11.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

316 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

NVTFS5C453NLWFTAG
onsemi
1: S/10.74
1,316En existencias
7,500Se espera el 12/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

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1,316En existencias

7,500Se espera el 12/08/2026

Cinta cortada

S/10.74

S/6.89

S/4.71

S/3.89

S/3.31

Envase tipo carrete

S/3.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

107 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

NVTFS5C466NLWFTAG
onsemi
1: S/8.14
2,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C466NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C466NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

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Hoja de datos

2,246En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/5.29

S/3.61

S/2.87

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

51 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

NVTFS5C471NLWFTAG
onsemi
1: S/9.81
40En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C471NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C471NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

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Hoja de datos

40En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/9.81

S/6.23

S/4.13

S/3.32

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

41 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLT1G
onsemi
1: S/35.73
97En existencias
1,040Se espera el 12/08/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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Hoja de datos

97En existencias

1,040Se espera el 12/08/2026

Cinta cortada

S/35.73

S/25.15

S/20.36

S/18.10

S/16.04

Envase tipo carrete

S/16.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLWFAFT1G
onsemi
1: S/21.72
820Se espera el 12/08/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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Hoja de datos

820Se espera el 12/08/2027

Cinta cortada

S/21.72

S/14.48

S/10.35

S/9.26

S/9.15

Envase tipo carrete

S/9.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWS024N06CT1G
onsemi
1: S/8.02
3,000Se espera el 13/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

3,000Se espera el 13/10/2026

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.45

S/2.74

S/2.25

Envase tipo carrete

S/2.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

NVMFS5832NLWFT1G-UM
onsemi
1: S/8.64
1,500Se espera el 23/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5832NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FS5832NLWFT1G-UM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

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Hoja de datos

1,500Se espera el 23/10/2026

Cinta cortada

S/8.64

S/5.49

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.69

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4.2 mOhms

20 V

2.4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

NVTFS5C658NLWFTAG
onsemi
1: S/10.55
792Se espera el 29/12/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C658NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C658NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

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Hoja de datos

792Se espera el 29/12/2027

Cinta cortada

S/10.55

S/6.81

S/4.67

S/3.86

S/3.28

Envase tipo carrete

S/3.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

109 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 40V, 51A, 7.3m

NVTFS5C466NLWFETAG
onsemi
1: S/8.95
1,500Se espera el 27/11/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C466NLWFETAG

N.º de artículo de Mouser
863-TFS5C466NLWFETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 40V, 51A, 7.3m

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Hoja de datos

1,500Se espera el 27/11/2026

Cinta cortada

S/8.95

S/5.68

S/3.83

Envase tipo carrete

S/3.83

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

WDFNW-8

N-Channel

1 Channel

40 V

51 A

7.3 mOhms

20 V

2.2 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

NVMFS024N06CT1G
onsemi
1: S/8.76
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/8.76

S/5.49

S/3.61

S/2.86

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLWFAFT3G
onsemi
5,000: S/17.56
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLWFAFT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NLAT3G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/17.56

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A, 370 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W, 200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT3G
onsemi
5,000: S/12.53
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT3G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/12.53

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A, 287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W, 200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

NVMx & NVTx Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 A
25 A
26 A
35 A
40 A, 287 A
41 A
51 A
52 A, 370 A
80 A
85 A
107 A
109 A
120 A
133 A
150 A
185 A
224 A
225 A
235 A
237 A

520 uOhms
870 uOhms
930 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.36 mOhms
1.5 mOhms
1.65 mOhms
2.3 mOhms
2.6 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
6.1 mOhms
7.3 mOhms
7.4 mOhms
11.5 mOhms
12 mOhms
22 mOhms

5.7 nC
5.8 nC
7 nC
7.9 nC
8 nC
12 nC
16 nC
18 nC
27 nC
34 nC
35 nC
40.7 nC
41 nC
51 nC
62 nC
80 nC
86 nC
91 nC
93 nC
113 nC