Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

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Resultados: 41

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLWFAFT1G
onsemi
1: S/23.86
620En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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Hoja de datos

620En existencias

Cinta cortada

S/23.86

S/15.65

S/11.52

S/10.24

S/9.07

Envase tipo carrete

S/9.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
1: S/17.83
6,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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6,822En existencias

Cinta cortada

S/17.83

S/11.68

S/8.72

S/7.28

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

NVTFS5C454NLWFTAG
onsemi
1: S/10.28
3,151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C454NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C454NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

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Hoja de datos

3,151En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.58

S/4.52

S/3.80

Envase tipo carrete

S/3.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
onsemi
1: S/29.97
2,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04C

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

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2,792En existencias

Cinta cortada

S/29.97

S/20.05

S/16.11

S/14.32

S/12.69

Envase tipo carrete

S/12.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

313 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLWFAFT1G
onsemi
1: S/40.83
1,403En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NWAT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

1,403En existencias

Cinta cortada

S/40.83

S/27.91

S/23.00

S/20.51

S/19.15

Envase tipo carrete

S/19.15

MouseReel Disponible

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: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

NVMFS5C468NT1G
onsemi
1: S/8.21
3,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C468NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

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3,597En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/5.22

S/3.50

S/2.84

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

NVTFS5C466NLTAG
onsemi
1: S/8.45
2,729En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C466NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C466NLTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

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2,729En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.33

S/3.62

S/2.93

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

51 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

NVMFS5C628NWFT1G
onsemi
1: S/16.00
712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

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712En existencias

Cinta cortada

S/16.00

S/10.47

S/7.63

S/6.38

S/5.92

Envase tipo carrete

S/5.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C456NT1G
onsemi
1: S/9.89
1,474En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C456NT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

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1,474En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/6.27

S/4.24

S/3.42

Envase tipo carrete

S/2.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

NVTFS5C466NLETAG
onsemi
1: S/8.45
2,989En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C466NLETAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C466NLETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

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2,989En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.33

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.62

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 130

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

51 A

7.3 mOhms

20 V

2.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

NVMFS5830NLWFT1G-UM
onsemi
1: S/12.92
1,200En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5830NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FS5830NLWFT1G-UM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

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1,200En existencias

Cinta cortada

S/12.92

S/8.37

S/5.76

Envase tipo carrete

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

185 A

2.3 mOhms

20 V

2.4 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NWFT1G
onsemi
1: S/41.49
2,555En existencias
4,500Se espera el 4/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C604NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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2,555En existencias

4,500Se espera el 4/09/2026

Cinta cortada

S/41.49

S/29.31

S/24.44

S/21.76

S/20.36

Envase tipo carrete

S/20.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
onsemi
1: S/28.22
6,215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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6,215En existencias

Cinta cortada

S/28.22

S/18.88

S/15.18

Envase tipo carrete

S/15.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 230

: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NT1G
onsemi
1: S/40.33
29En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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Hoja de datos

29En existencias

Cinta cortada

S/40.33

S/28.53

S/23.78

S/21.18

S/19.77

Envase tipo carrete

S/19.77

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLAFT1G
onsemi
1: S/22.65
1,670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

1,670En existencias

Cinta cortada

S/22.65

S/14.87

S/10.94

S/9.73

S/8.60

Envase tipo carrete

S/8.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
onsemi
1: S/30.32
4,006En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Hoja de datos

4,006En existencias

Cinta cortada

S/30.32

S/20.28

S/16.31

Envase tipo carrete

S/16.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C638NLT1G
onsemi
1: S/13.74
5,825En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C638NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C638NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN

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Hoja de datos

5,825En existencias

Cinta cortada

S/13.74

S/8.95

S/6.27

S/5.25

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40.7 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC1D6N06CL
onsemi
1: S/34.33
1,571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC1D6N06CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC1D6N06CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

1,571En existencias

Cinta cortada

S/34.33

S/24.17

S/19.58

Envase tipo carrete

S/19.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

224 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

NVTFS5C453NLWFTAG
onsemi
1: S/11.09
1,316En existencias
7,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

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Hoja de datos

1,316En existencias

7,500En pedido

Cinta cortada

S/11.09

S/7.08

S/4.83

S/4.09

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

107 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

NVTFS5C478NLWFTAG
onsemi
1: S/8.72
5,267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C478NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C478NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

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Hoja de datos

5,267En existencias

Cinta cortada

S/8.72

S/5.49

S/3.61

S/2.86

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

26 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

NVTFS5C658NLTAG
onsemi
1: S/10.00
17,195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C658NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C658NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

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S/10.00

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S/4.40

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S/3.28

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S/3.10

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

109 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 373A 750MO

NVMFS5C404NLWFT1G
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1: S/31.06
918En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLWFT1G

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863-NVM404NLWFT1G

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 373A 750MO

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S/31.06

S/20.79

S/16.70

S/14.83

S/13.16

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S/13.16

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFT1G
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1: S/30.13
1,524En existencias
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NVMFS5C604NLWFT1G

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863-NVM604NLWFT1G

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S/30.13

S/20.16

S/16.19

S/14.40

S/12.73

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S/12.73

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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLAFT1G
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1: S/22.69
3,041En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLFT1G

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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S/22.69

S/14.87

S/11.09

S/9.30

S/8.64

Envase tipo carrete

S/8.06

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Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NLT1G
onsemi
1: S/22.54
2,269En existencias
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NVMFS5C612NLT1G

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863-NVMFS5C612NLT1G

NRND

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S/22.54

S/14.79

S/10.90

S/9.69

S/8.56

Envase tipo carrete

S/8.56

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Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

235 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

NVMx & NVTx Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 A
25 A
26 A
35 A
40 A, 287 A
41 A
51 A
52 A, 370 A
80 A
85 A
107 A
109 A
120 A
133 A
150 A
185 A
224 A
225 A
235 A
237 A

520 uOhms
870 uOhms
930 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.36 mOhms
1.5 mOhms
1.65 mOhms
2.3 mOhms
2.6 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
6.1 mOhms
7.3 mOhms
7.4 mOhms
11.5 mOhms
12 mOhms
22 mOhms

5.7 nC
5.8 nC
7 nC
7.9 nC
8 nC
12 nC
16 nC
18 nC
27 nC
34 nC
35 nC
40.7 nC
41 nC
51 nC
62 nC
80 nC
86 nC
91 nC
93 nC
113 nC