NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

Resultados: 41
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING 3,247En existencias
Cinta cortada
S/8.14
S/3.93
S/3.50
S/2.84
Envase tipo carrete
S/2.38
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12 mOhms 20 V 2.5 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO 2,181En existencias
Cinta cortada
S/22.54
S/14.79
S/9.38
S/8.76
S/8.64
Envase tipo carrete
S/8.64
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 235 A 1.2 mOhms 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL 2,792En existencias
Cinta cortada
S/29.47
S/17.79
S/13.47
S/12.81
Envase tipo carrete
S/12.81
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 313 A 870 uOhms 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 1,451En existencias
Cinta cortada
S/39.59
S/21.88
S/20.51
S/20.09
S/19.38
Envase tipo carrete
S/19.38
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 520 uOhms 20 V 1.2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0 1,350En existencias
Cinta cortada
S/7.94
S/5.37
S/4.52
Envase tipo carrete
S/4.52
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
: 1,500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 2.3 mOhms 20 V 2.4 V 113 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO 1,050En existencias
Cinta cortada
S/21.56
S/11.25
S/10.28
Envase tipo carrete
S/10.28
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 105
: 1,500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.36 mOhms 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL 2,966En existencias
Cinta cortada
S/8.33
S/4.01
S/3.59
Envase tipo carrete
S/3.59
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 299
: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 51 A 7.3 mOhms 20 V 2.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A 636En existencias
Cinta cortada
S/15.61
S/7.90
S/7.16
S/5.92
S/5.57
Envase tipo carrete
S/5.57
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 3 mOhms 20 V 4 V 34 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN 1,474En existencias
Cinta cortada
S/9.30
S/4.52
S/4.01
S/3.16
S/2.75
Envase tipo carrete
S/2.75
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO 728En existencias
1,500Se espera el 9/02/2027
Cinta cortada
S/23.63
S/14.05
S/11.41
S/10.16
S/9.07
Envase tipo carrete
S/9.07
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 225 A 1.65 mOhms 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 160En existencias
Cinta cortada
S/42.97
S/26.43
S/22.62
S/21.18
S/20.05
Envase tipo carrete
S/20.05
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 288 A 1.2 mOhms 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET 2,292En existencias
3,000En pedido
Cinta cortada
S/29.27
S/15.69
S/14.17
S/13.23
S/13.00
Envase tipo carrete
S/13.00
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG 5,665En existencias
Cinta cortada
S/17.87
S/10.59
S/8.76
S/7.32
S/6.66
Envase tipo carrete
S/6.38
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 3 mOhms 20 V 4 V 34 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN 3,301En existencias
Cinta cortada
S/13.62
S/7.86
S/6.03
S/5.14
S/4.59
Envase tipo carrete
S/4.59
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms 20 V 2 V 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE 9,065En existencias
Cinta cortada
S/6.89
S/3.28
S/2.93
S/2.31
S/1.83
Envase tipo carrete
S/1.83
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 27.5 mOhms 20 V 2 V 5.8 nC - 55 C + 175 C 24 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL 1,536En existencias
Cinta cortada
S/33.51
S/18.22
S/16.74
S/16.47
S/15.57
Envase tipo carrete
S/15.57
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 224 A 1.5 mOhms 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 150 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF 9,070En existencias
Cinta cortada
S/10.63
S/5.22
S/4.71
S/3.77
S/3.31
Envase tipo carrete
S/3.31
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 107 A 2.6 mOhms 20 V 1.2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF 3,054En existencias
Cinta cortada
S/9.81
S/4.79
S/4.24
S/3.40
S/2.74
Envase tipo carrete
S/2.74
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 7.4 mOhms 20 V 1.2 V 12 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL 13,372En existencias
12,000En pedido
Cinta cortada
S/10.08
S/5.61
S/4.44
S/3.71
S/3.28
Envase tipo carrete
S/3.10
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 109 A 4.2 mOhms 20 V 1.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 114 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 373A 750MO 592En existencias
Cinta cortada
S/29.35
S/16.00
S/14.67
S/14.09
S/13.31
Envase tipo carrete
S/13.31
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 520 uOhms 20 V 2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 1,531En existencias
Cinta cortada
S/29.08
S/15.61
S/14.29
S/13.66
S/12.88
Envase tipo carrete
S/12.88
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 1,049En existencias
Cinta cortada
S/34.57
S/18.84
S/17.32
S/16.23
Envase tipo carrete
S/16.23
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 1,991En existencias
Cinta cortada
S/20.63
S/10.74
S/9.77
S/8.64
S/8.25
Envase tipo carrete
S/8.14
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.13 mOhms 20 V 1.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN 164En existencias
Cinta cortada
S/21.64
S/12.88
S/10.43
S/8.68
S/7.86
Envase tipo carrete
S/7.86
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 237 A 1.2 mOhms 20 V 1.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET 47En existencias
13,500En pedido
Cinta cortada
S/28.22
S/17.09
S/14.05
S/13.08
S/12.07
Envase tipo carrete
S/12.07
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
: 1,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel