Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 40

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

NVMFS5C612NWFT1G
onsemi
1: S/19.89
6,924En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

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Hoja de datos

6,924En existencias

Cinta cortada

S/19.89

S/14.64

S/11.33

S/11.21

Envase tipo carrete

S/9.50

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
1: S/13.70
6,926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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6,926En existencias

Cinta cortada

S/13.70

S/8.72

S/7.01

S/6.46

Ver

Envase tipo carrete

S/5.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC1D6N06CL
onsemi
1: S/28.14
2,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC1D6N06CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC1D6N06CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

2,029En existencias

Cinta cortada

S/28.14

S/18.53

S/15.61

S/15.49

S/14.25

Envase tipo carrete

S/12.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

224 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
onsemi
1: S/24.76
2,812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04C

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

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2,812En existencias

Cinta cortada

S/24.76

S/17.59

S/12.92

S/11.79

Envase tipo carrete

S/10.55

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

313 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFT1G
onsemi
1: S/23.12
4,427En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVM604NLWFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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4,427En existencias

Cinta cortada

S/23.12

S/17.28

S/12.69

S/11.68

Envase tipo carrete

S/10.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

NVMFS5C628NWFT1G
onsemi
1: S/12.03
760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

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Hoja de datos

760En existencias

Cinta cortada

S/12.03

S/9.03

S/6.42

S/5.64

Envase tipo carrete

S/4.63

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

NVTFS5C658NLWFTAG
onsemi
1: S/8.14
1,399En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C658NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C658NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

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1,399En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/5.64

S/4.20

S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

109 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C456NT1G
onsemi
1: S/6.11
1,480En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C456NT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

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1,480En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/4.13

S/3.24

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.35

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 288A, 1.2mohm

NVMFS5C604NWFT1G
onsemi
1: S/37.33
29En existencias
6,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C604NWFT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 288A, 1.2mohm

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29En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/37.33

S/25.65

S/20.79

S/16.97

Envase tipo carrete

S/16.93

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel DFN5(Pb-Free, Wettable Flanks)

NVMFWS024N06CT1G
onsemi
1: S/6.58
1,326En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS024N06CT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel DFN5(Pb-Free, Wettable Flanks)

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1,326En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.40

S/3.10

S/2.46

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.06

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 288A, 1.2mohm

NVMFS5C604NT1G
onsemi
1: S/36.51
2,644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 288A, 1.2mohm

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Hoja de datos

2,644En existencias

Cinta cortada

S/36.51

S/25.07

S/20.16

S/18.14

Envase tipo carrete

S/16.82

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 225A, 1.65mohm

NVMFS5C612NT1G
onsemi
1: S/18.10
1,480En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 225A, 1.65mohm

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Hoja de datos

1,480En existencias

Cinta cortada

S/18.10

S/13.39

S/9.58

S/9.15

S/8.29

Envase tipo carrete

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
onsemi
1: S/25.07
5,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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5,901En existencias

Cinta cortada

S/25.07

S/17.79

S/12.85

S/12.53

Ver

Envase tipo carrete

S/10.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

NVTFS5C658NLTAG
onsemi
1: S/6.85
25,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C658NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C658NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

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Hoja de datos

25,263En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.79

S/3.73

S/3.09

Envase tipo carrete

S/2.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

109 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLAFT1G
onsemi
1: S/13.62
1,657En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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Hoja de datos

1,657En existencias

Cinta cortada

S/13.62

S/9.42

S/8.06

S/7.79

Envase tipo carrete

S/7.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

NVTFS5C466NLTAG
onsemi
1: S/6.62
2,805En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C466NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C466NLTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

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Hoja de datos

2,805En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/3.00

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

51 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLAFT1G
onsemi
1: S/19.54
1,247En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

1,247En existencias

Cinta cortada

S/19.54

S/12.96

S/9.26

S/8.80

S/7.16

Envase tipo carrete

S/7.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C426NLT1G
onsemi
1: S/12.38
2,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C426NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C426NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

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Hoja de datos

2,180En existencias

Cinta cortada

S/12.38

S/9.38

S/8.02

S/7.75

Envase tipo carrete

S/6.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

237 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
onsemi
1: S/24.37
1,158En existencias
3,000Se espera el 20/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Hoja de datos

1,158En existencias

3,000Se espera el 20/03/2026

Cinta cortada

S/24.37

S/16.78

S/11.91

S/11.64

S/11.37

Envase tipo carrete

S/9.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C638NLT1G
onsemi
1: S/12.14
3,256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C638NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C638NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN

Obtenga más información

Hoja de datos

3,256En existencias

Cinta cortada

S/12.14

S/7.94

S/5.49

S/4.63

Envase tipo carrete

S/4.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40.7 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04CL
onsemi
1: S/22.65
3,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04CL

onsemi

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S/22.65

S/15.61

S/11.76

S/11.72

S/11.56

Envase tipo carrete

S/9.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

316 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

NVTFS5C453NLWFTAG
onsemi
1: S/8.76
3,052En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLWFTAG

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863-NVTFS5C453NLWFTA

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Cinta cortada

S/8.76

S/5.92

S/4.09

S/3.38

Envase tipo carrete

S/3.03

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

107 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

NVTFS5C454NLWFTAG
onsemi
1: S/8.68
3,304En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C454NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C454NLWFTA

onsemi

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Cinta cortada

S/8.68

S/5.53

S/3.89

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLT1G
onsemi
1: S/30.91
427En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLT1G

NRND

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S/30.91

S/21.18

S/16.35

S/14.32

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S/13.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

NVMFS024N06CT1G
onsemi
1: S/6.85
593En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS024N06CT1G

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S/6.85

S/4.52

S/3.02

S/2.40

S/2.37

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

NVMx & NVTx Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 A
25 A
26 A
35 A
40 A, 287 A
41 A
51 A
52 A, 370 A
80 A
85 A
107 A
109 A
120 A
133 A
150 A
185 A
224 A
225 A
235 A
237 A

520 uOhms
870 uOhms
930 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.36 mOhms
1.5 mOhms
1.65 mOhms
2.3 mOhms
2.6 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
6.1 mOhms
7.3 mOhms
7.4 mOhms
11.5 mOhms
12 mOhms
22 mOhms

5.7 nC
5.8 nC
7.9 nC
8 nC
12 nC
16 nC
18 nC
27 nC
34 nC
35 nC
40.7 nC
41 nC
51 nC
62 nC
80 nC
86 nC
91 nC
93 nC
113 nC
120 nC