Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

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Resultados: 40

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

NVMFS5C612NWFT1G
onsemi
1: S/20.47
6,837En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

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Hoja de datos

6,837En existencias

Cinta cortada

S/20.47

S/14.60

S/11.68

S/10.90

S/10.47

Envase tipo carrete

S/10.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
1: S/16.04
6,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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Hoja de datos

6,822En existencias

Cinta cortada

S/16.04

S/9.54

S/7.43

S/6.46

S/6.03

Envase tipo carrete

S/6.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC1D6N06CL
onsemi
1: S/31.18
1,747En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC1D6N06CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC1D6N06CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

1,747En existencias

Cinta cortada

S/31.18

S/20.55

S/16.08

S/15.69

S/14.71

Envase tipo carrete

S/14.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

224 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

NVTFS5C454NLWFTAG
onsemi
1: S/9.61
3,242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C454NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C454NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

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Hoja de datos

3,242En existencias

Cinta cortada

S/9.61

S/5.49

S/4.05

S/3.34

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLWFAFT1G
onsemi
1: S/37.87
1,415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NWAT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

1,415En existencias

Cinta cortada

S/37.87

S/24.48

S/19.54

S/19.50

S/18.33

Envase tipo carrete

S/18.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
onsemi
1: S/27.91
2,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04C

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

2,792En existencias

Cinta cortada

S/27.91

S/18.76

S/13.66

S/12.92

S/12.07

Envase tipo carrete

S/12.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

313 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

NVMFS5C468NT1G
onsemi
1: S/7.82
3,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C468NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

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Hoja de datos

3,597En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.36

S/2.86

S/2.54

Envase tipo carrete

S/2.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFT1G
onsemi
1: S/28.03
4,359En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVM604NLWFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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4,359En existencias

Cinta cortada

S/28.03

S/18.88

S/13.47

S/12.92

S/12.14

Envase tipo carrete

S/12.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLWFAFT1G
onsemi
1: S/21.72
620En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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Hoja de datos

620En existencias

Cinta cortada

S/21.72

S/14.48

S/10.35

S/9.26

S/8.64

Envase tipo carrete

S/8.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

NVMFS5C628NWFT1G
onsemi
1: S/15.06
712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

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Hoja de datos

712En existencias

Cinta cortada

S/15.06

S/9.73

S/6.89

S/5.64

S/5.25

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

NVTFS5C466NLETAG
onsemi
1: S/8.02
2,989En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C466NLETAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C466NLETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

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Hoja de datos

2,989En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.45

S/2.74

S/2.23

Envase tipo carrete

S/2.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

51 A

7.3 mOhms

20 V

2.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C456NT1G
onsemi
1: S/8.95
1,480En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C456NT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

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Hoja de datos

1,480En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.61

S/3.84

S/3.02

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

NVMFS5830NLWFT1G-UM
onsemi
1: S/7.59
1,050En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5830NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FS5830NLWFT1G-UM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

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Hoja de datos

1,050En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/5.14

S/4.32

S/4.16

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

185 A

2.3 mOhms

20 V

2.4 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NWFT1G
onsemi
1: S/40.72
1,716En existencias
4,500Se espera el 10/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C604NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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Hoja de datos

1,716En existencias

4,500Se espera el 10/02/2027

Cinta cortada

S/40.72

S/27.91

S/22.19

S/20.79

S/19.50

Envase tipo carrete

S/19.50

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NT1G
onsemi
1: S/39.08
324En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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Hoja de datos

324En existencias

Cinta cortada

S/39.08

S/26.82

S/20.16

S/18.92

Envase tipo carrete

S/18.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NT1G
onsemi
1: S/21.56
1,218En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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Hoja de datos

1,218En existencias

Cinta cortada

S/21.56

S/14.36

S/10.24

S/9.15

S/8.56

Envase tipo carrete

S/8.56

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

NVTFS5C658NLTAG
onsemi
1: S/9.69
20,797En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C658NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C658NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

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Hoja de datos

20,797En existencias

Cinta cortada

S/9.69

S/6.23

S/4.24

S/3.53

Envase tipo carrete

S/3.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 860

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

109 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

NVTFS5C466NLTAG
onsemi
1: S/8.02
2,569En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C466NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C466NLTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

2,569En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.45

S/2.74

S/2.23

Envase tipo carrete

S/2.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

51 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWS024N06CT1G
onsemi
1: S/7.75
1,326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

1,326En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

S/2.14

Envase tipo carrete

S/2.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLAFT1G
onsemi
1: S/20.90
1,625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

1,625En existencias

Cinta cortada

S/20.90

S/13.90

S/9.89

S/8.80

S/8.21

Envase tipo carrete

S/8.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
onsemi
1: S/26.16
3,643En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Cinta cortada

S/26.16

S/15.80

S/12.77

Envase tipo carrete

S/12.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 210

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
onsemi
1: S/26.70
3,447En existencias
3,000Se espera el 15/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NWFT1G

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3,000Se espera el 15/06/2026

Cinta cortada

S/26.70

S/16.78

S/13.00

S/12.18

S/11.41

Envase tipo carrete

S/11.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C638NLT1G
onsemi
1: S/13.04
5,331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C638NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C638NLT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN

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Cinta cortada

S/13.04

S/8.49

S/5.88

S/4.79

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40.7 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

NVTFS5C466NLWFTAG
onsemi
1: S/7.90
2,646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C466NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C466NWFTAG

onsemi

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Cinta cortada

S/7.90

S/5.14

S/3.52

S/2.84

S/2.37

Envase tipo carrete

S/2.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

51 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

NVTFS5C478NLWFTAG
onsemi
1: S/7.59
5,501En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C478NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C478NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

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Cinta cortada

S/7.59

S/4.83

S/3.25

S/2.73

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

26 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

NVMx & NVTx Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 A
25 A
26 A
35 A
40 A, 287 A
41 A
51 A
52 A, 370 A
80 A
85 A
107 A
109 A
120 A
133 A
150 A
185 A
224 A
225 A
235 A
237 A

520 uOhms
870 uOhms
930 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.36 mOhms
1.5 mOhms
1.65 mOhms
2.3 mOhms
2.6 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
6.1 mOhms
7.3 mOhms
7.4 mOhms
11.5 mOhms
12 mOhms
22 mOhms

5.7 nC
5.8 nC
7.9 nC
8 nC
12 nC
16 nC
18 nC
27 nC
34 nC
35 nC
40.7 nC
41 nC
51 nC
62 nC
80 nC
86 nC
91 nC
93 nC
113 nC
120 nC