MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

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Resultados: 71

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

UF3C065040K4S
onsemi
1: S/76.49
3,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

3,280En existencias

S/76.49

S/48.11

S/41.73

S/39.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

52 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263

UJ4SC075018B7S
onsemi
1: S/95.21
578En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4SC075018B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4SC075018B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263

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Hoja de datos

578En existencias

Cinta cortada

S/95.21

S/71.12

Envase tipo carrete

S/71.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 70

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

72 A

18 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

259 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3

UJ3C065080T3S
onsemi
1: S/43.01
1,526En existencias
2,000Se espera el 20/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065080T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065080T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3

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Hoja de datos

1,526En existencias

2,000Se espera el 20/10/2026

S/43.01

S/30.01

S/25.03

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7

UF3C120150B7S
onsemi
1: S/47.80
374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120150B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120150B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7

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Hoja de datos

374En existencias

Cinta cortada

S/47.80

S/33.16

Envase tipo carrete

S/33.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

150 mOhms

- 25 V, + 25 V

4.4 V

25.7 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4

UF3C065080K4S
onsemi
1: S/47.61
581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4

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581En existencias

S/47.61

S/28.92

S/24.64

S/21.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3

UF3C120080K3S
onsemi
1: S/81.31
1,142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120080K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

1,142En existencias

S/81.31

S/51.73

S/44.96

S/43.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

254.2 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/7MOSICFETG3TO247-4

UF3SC065007K4S
onsemi
1: S/302.14
443En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3SC065007K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3SC065007K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/7MOSICFETG3TO247-4

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443En existencias

S/302.14

S/220.94

S/220.90

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

120 A

9 mOhms

- 12 V, + 12 V

6 V

214 nC

- 55 C

+ 175 C

789 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24

UF3SC120016K4S
onsemi
1: S/275.01
466En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3SC120016K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3SC120016K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24

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Hoja de datos

466En existencias

S/275.01

S/195.09

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

21 mOhms

- 20 V, + 20 V

4 V

218 nC

- 55 C

+ 175 C

517 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24

UF3C120040K3S
onsemi
1: S/114.36
227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120040K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120040K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24

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227En existencias

S/114.36

S/79.02

S/75.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

45 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247

UJ3C065030K3S
onsemi
1: S/99.03
548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065030K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065030K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247

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548En existencias

S/99.03

S/64.15

S/55.78

S/55.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247

UJ3C065080K3S
onsemi
1: S/46.36
715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065080K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247

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715En existencias

S/46.36

S/28.14

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247

UJ4C075018K3S
onsemi
1: S/52.90
699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075018K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075018K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247

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Hoja de datos

699En existencias

S/52.90

S/31.96

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

750 V

81 A

23 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247

UJ4C075018K4S
onsemi
1: S/91.16
564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075018K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075018K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247

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Hoja de datos

564En existencias

S/91.16

S/57.76

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

81 A

23 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4

UJ4C075060K4S
onsemi
1: S/51.30
562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075060K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075060K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4

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Hoja de datos

562En existencias

S/51.30

S/30.91

S/26.39

S/23.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

28 A

74 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

155 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3

UF3C065080K3S
onsemi
1: S/46.36
644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

644En existencias

S/46.36

S/28.14

S/24.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 12 V, + 12 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

UF3C065030T3S
onsemi
1: S/97.16
902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065030T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

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Hoja de datos

902En existencias

S/97.16

S/60.57

S/56.75

S/55.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

UF3C065040K3S
onsemi
1: S/75.94
1,166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

1,166En existencias

S/75.94

S/47.37

S/41.07

S/39.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

42 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4

UF3C120040K4S
onsemi
1: S/114.87
665En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120040K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120040K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

665En existencias

S/114.87

S/74.27

S/66.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

45 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263

UJ4C075033B7S
onsemi
1: S/59.20
486En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075033B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075033B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263

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Hoja de datos

486En existencias

Cinta cortada

S/59.20

S/41.57

S/34.68

S/34.22

Envase tipo carrete

S/32.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

44 A

41 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263

UJ4C075044B7S
onsemi
1: S/54.61
698En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075044B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075044B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263

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Hoja de datos

698En existencias

Cinta cortada

S/54.61

S/38.19

S/31.26

S/30.79

Envase tipo carrete

S/29.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

35.6 A

56 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

UJ3C065080B3
onsemi
1: S/44.65
435En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065080B3

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065080B3

Fin de vida útil

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

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Hoja de datos

435En existencias

Cinta cortada

S/44.65

S/30.87

S/24.02

S/23.63

Envase tipo carrete

S/22.42

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

UF3C065080B3
onsemi
1: S/44.65
1,251En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080B3

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080B3

Fin de vida útil

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

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Hoja de datos

1,251En existencias

Cinta cortada

S/44.65

S/30.87

S/24.02

S/23.63

Envase tipo carrete

S/22.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

UF3C065030B3
onsemi
1: S/98.36
458En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065030B3

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030B3

Fin de vida útil

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

Obtenga más información

Hoja de datos

458En existencias

Cinta cortada

S/98.36

S/71.15

S/66.56

S/65.47

Envase tipo carrete

S/62.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

65 A

27 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 25 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3

UF3C120400K3S
onsemi
1: S/42.47
258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120400K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120400K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

258En existencias

S/42.47

S/25.53

S/21.64

S/21.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

7.6 A

1.07 Ohms

- 25 V, + 25 V

6 V

27.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24

UF3SC120016K3S
onsemi
1: S/235.07
205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3SC120016K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3SC120016K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24

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Hoja de datos

205En existencias

S/235.07

S/161.73

S/161.07

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

21 mOhms

- 20 V, + 20 V

4 V

218 nC

- 55 C

+ 175 C

517 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

High-Performance SiC FETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.9 A
7.6 A
17 A
18.4 A
25 A
25.8 A
27 A
27.8 A
28 A
28.8 A
31 A
33 A
34.5 A
35.6 A
37.4 A
41 A
43 A
44 A
47 A
53 A

5 mOhms
5.9 mOhms
8 mOhms
9 mOhms
10.7 mOhms
11 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
23 mOhms
27 mOhms
29 mOhms
33 mOhms
35 mOhms
41 mOhms
42 mOhms
44 mOhms
45 mOhms
52 mOhms
56 mOhms
58 mOhms

100 W
115 W
128 W
136 W
136.4 W
155 W
166.7 W
176 W
181 W
190 W
195 W
197 W
203 W
205 W
214 W
242 W
250 W
254.2 W
259 W
278 W