Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon's 20V-60V OptiMOS Power MOSFETs are innovative products that serve the market needs throughout the whole energy supply chain. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar microinverter), power supply (e.g. server and telecom), and power consumption (e.g. electric vehicle). These devices consistently set the benchmark in key specifications for power system design, including leading on-state resistance and Figure of Merit characteristics which lead to reduced power losses and improved overall efficiency. These help customers that face the challenge of growing power demand, higher efficiency, and lower cost.

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Resultados: 41

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
1,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB026N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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Hoja de datos

1,560En existencias

Cinta cortada

S/17.24

S/11.37

S/8.02

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.34

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
1: S/7.98
5,900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

5,900En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.10

S/3.57

S/2.83

Ver

Envase tipo carrete

S/2.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

153 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.96
7,199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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Hoja de datos

7,199En existencias

Cinta cortada

S/12.96

S/7.82

S/5.88

S/4.90

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.42
9,928En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC0502NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0502NSIATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Hoja de datos

9,928En existencias

Cinta cortada

S/6.42

S/4.09

S/2.71

S/2.12

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1: S/6.38
3,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

3,490En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.11

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.73

S/1.57

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.03
20,413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC028N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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20,413En existencias

Cinta cortada

S/9.03

S/5.80

S/3.93

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.65

Presupuesto

MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.24
6,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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6,723En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/4.59

S/3.08

S/2.43

Envase tipo carrete

S/1.95

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
5,587En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

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5,587En existencias

25,000En pedido

Cinta cortada

S/12.77

S/8.29

S/5.72

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.67

S/4.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS

BSC016N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.13
13,646En existencias
44,900En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC016N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC016N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS

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13,646En existencias

44,900En pedido

Cinta cortada

S/11.13

S/7.12

S/5.18

S/4.20

Ver

Envase tipo carrete

S/3.73

MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LS
Infineon Technologies
1: S/5.25
10,097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ065N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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10,097En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.23

S/2.13

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

49 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.58
452En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB010N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

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Hoja de datos

452En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/29.58

S/20.01

S/14.60

S/13.97

Envase tipo carrete

S/13.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

243 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.94
751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB014N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

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Hoja de datos

751En existencias

Cinta cortada

S/23.94

S/15.92

S/11.52

S/10.43

Envase tipo carrete

S/9.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2

IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.26
3,279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD053N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2

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Hoja de datos

3,279En existencias

Cinta cortada

S/9.26

S/5.96

S/4.05

S/3.22

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

45 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP029N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

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Hoja de datos

826En existencias

S/8.84

S/4.28

S/4.05

S/2.58

S/2.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

84 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC

IRF6717MTRPBF
Infineon Technologies
1: S/12.30
4,382En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRF6717MTRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF6717MTRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC

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Hoja de datos

4,382En existencias

Cinta cortada

S/12.30

S/7.94

S/5.45

S/5.10

Ver

Envase tipo carrete

S/3.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,800

SMD/SMT

DirectFET-MX

N-Channel

1 Channel

25 V

220 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

46 nC

- 40 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

DirectFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2

IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.09
159En existencias
3,000Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB057N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB057N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

159En existencias

3,000Se espera el 16/10/2026

Cinta cortada

S/11.09

S/7.12

S/4.87

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.41

S/3.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

45 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3

IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.99
876En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPI029N06NAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3

Obtenga más información

Hoja de datos

876En existencias

S/11.99

S/5.96

S/5.37

S/4.44

S/3.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LS
Infineon Technologies
1: S/8.76
2,982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

2,982En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.57

S/3.74

S/3.03

Ver

Envase tipo carrete

S/2.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1: S/5.84
3,067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC032NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

3,067En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.59

S/2.36

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

84 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.31
13En existencias
80,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC039N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

13En existencias

80,000En pedido

Cinta cortada

S/6.31

S/4.13

S/2.72

S/2.65

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

BSC052N03LS
Infineon Technologies
1: S/3.85
3,374En existencias
5,000Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N03LS

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726-BSC052N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

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5,000Se espera el 13/08/2026

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S/0.919

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

57 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NS
Infineon Technologies
1: S/7.94
16En existencias

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BSC0901NS

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726-BSC0901NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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S/7.94

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S/3.29

S/2.60

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.36
900En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

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726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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S/7.36

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S/2.96

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S/1.96

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
1: S/4.32
2,449En existencias
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BSC0906NS

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726-BSC0906NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

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S/4.32

S/2.69

S/1.76

S/1.36

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S/1.00

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

63 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
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5,000Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ031NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ031NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/4.40

S/2.89

S/2.27

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S/1.46

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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

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1 Channel

25 V

40 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

36 A
40 A
44 A
45 A
49 A
57 A
58 A
63 A
69 A
84 A
90 A
98 A
100 A
106 A
120 A
149 A
153 A
180 A
220 A
230 A

800 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3.2 mOhms

9.1 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
13.6 nC
17 nC
19 nC
21 nC
26 nC
27 nC
32 nC
35 nC
38 nC
39 nC
44 nC
46 nC
48 nC
49 nC