Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon's 20V-60V OptiMOS Power MOSFETs are innovative products that serve the market needs throughout the whole energy supply chain. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar microinverter), power supply (e.g. server and telecom), and power consumption (e.g. electric vehicle). These devices consistently set the benchmark in key specifications for power system design, including leading on-state resistance and Figure of Merit characteristics which lead to reduced power losses and improved overall efficiency. These help customers that face the challenge of growing power demand, higher efficiency, and lower cost.

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Resultados: 41

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 1: S/30.79 452En existencias 1,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPB010N06NATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB010N06NATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	452En existencias 1,000En pedido	Cinta cortada S/30.79 S/16.85 S/15.45 S/13.97 Envase tipo carrete S/13.20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	60 V	180 A	800 uOhms	20 V	2.1 V	243 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies 1: S/16.35 1,534En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB026N06NATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB026N06NATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,534En existencias	Cinta cortada S/16.35 S/8.84 S/7.75 S/6.70 Envase tipo carrete S/6.34 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	100 A	2.3 mOhms	20 V	2.1 V	66 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ018NE2LS Infineon Technologies 1: S/7.98 5,900En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ018NE2LS N.º de artículo de Mouser 726-BSZ018NE2LS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	5,900En existencias	Cinta cortada S/7.98 S/3.84 S/3.38 S/2.72 Ver Envase tipo carrete S/2.24 S/2.61 S/2.46 S/2.24 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	153 A	1.9 mOhms	20 V	2 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2 IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies 1: S/12.85 6,909En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD025N06NATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD025N06NATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6,909En existencias	Cinta cortada S/12.85 S/6.70 S/5.61 S/4.79 S/4.67 Envase tipo carrete S/4.48 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	90 A	2.1 mOhms	20 V	2.1 V	83 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.42 9,918En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC0502NSIATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC0502NSIATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V	Hoja de datos	9,918En existencias	Cinta cortada S/6.42 S/3.04 S/2.71 S/2.12 Ver Envase tipo carrete S/1.65 S/2.06 S/1.93 S/1.65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	100 A	2.3 mOhms	20 V	2 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	43 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS BSC0909NS Infineon Technologies 1: S/3.93 8,480En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC0909NS N.º de artículo de Mouser 726-BSC0909NS NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS	Hoja de datos	8,480En existencias	Cinta cortada S/3.93 S/1.93 S/1.67 S/1.20 Envase tipo carrete S/0.821 Ver S/1.11 S/0.993 S/0.708 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	34 V	44 A	7.7 mOhms	20 V	2 V	9.6 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies 1: S/11.72 11,548En existencias 65,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC016N06NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC016N06NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	11,548En existencias 65,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC016N06NSATMA1 Existencias: 11,548 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 25,000 Se espera el 8/10/2026 40,000 Se espera el 3/06/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/11.72 S/6.58 S/5.22 S/4.24 S/4.20 Envase tipo carrete S/3.78 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 10,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	100 A	1.4 mOhms	20 V	1.2 V	95 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ065N03LS Infineon Technologies 1: S/5.25 9,567En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ065N03LS N.º de artículo de Mouser 726-BSZ065N03LS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	9,567En existencias	Cinta cortada S/5.25 S/3.23 S/2.13 S/1.67 Envase tipo carrete S/1.12 Ver S/1.47 S/1.32 S/1.11 S/1.09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	49 A	6.5 mOhms	20 V	2 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies 1: S/23.74 605En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB014N06NATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB014N06NATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	605En existencias	Cinta cortada S/23.74 S/12.61 S/11.52 S/10.43 Envase tipo carrete S/9.93 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	60 V	180 A	1.2 mOhms	20 V	2.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2 IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies 1: S/9.26 2,842En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD053N06NATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD053N06NATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,842En existencias	Cinta cortada S/9.26 S/4.52 S/4.05 S/3.22 S/3.13 Envase tipo carrete S/2.75 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	45 A	4.5 mOhms	20 V	2.1 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC010NE2LSI Infineon Technologies 1: S/8.52 5,698En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC010NE2LSI N.º de artículo de Mouser 726-BSC010NE2LSI NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 20 60v optimos	Hoja de datos	5,698En existencias	Cinta cortada S/8.52 S/5.41 S/3.64 S/2.95 Ver Envase tipo carrete S/2.37 S/2.65 S/2.59 S/2.37 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	100 A	1.05 mOhms	20 V	1.2 V	59 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3 IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies 1: S/11.99 376En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPI029N06NAKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPI029N06NAKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	376En existencias	S/11.99 S/5.96 S/5.37 S/4.32 Ver S/4.09 S/3.97 S/3.89	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	60 V	100 A	2.7 mOhms	20 V	2.1 V	66 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1 IPP029N06NXKSA1 Infineon Technologies 1: S/8.84 791En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP029N06NXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP029N06NXKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	791En existencias	S/8.84 S/4.28 S/3.83 S/3.18 Ver S/2.94 S/2.75 S/2.61 S/2.57	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	84 A	2.9 mOhms	20 V	3.3 V	56 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC011N03LS Infineon Technologies 1: S/8.76 2,119En existencias 20,000Se espera el 6/05/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC011N03LS N.º de artículo de Mouser 726-BSC011N03LS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	2,119En existencias 20,000Se espera el 6/05/2027	Cinta cortada S/8.76 S/5.57 S/3.74 S/3.03 Ver Envase tipo carrete S/2.44 S/2.71 S/2.66 S/2.44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	230 A	1.1 mOhms	20 V	2 V	72 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies 1: S/7.75 207En existencias 15,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC014N04LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC014N04LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon usb power delivery solution	Hoja de datos	207En existencias 15,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC014N04LSATMA1 Existencias: 207 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 5,000 Se espera el 31/12/2026 10,000 Se espera el 20/05/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/7.75 S/4.36 S/3.27 S/2.56 S/2.27 Envase tipo carrete S/2.27 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	1.1 mOhms	20 V	1.2 V	85 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.39 135En existencias 25,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC014N06NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC014N06NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	135En existencias 25,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC014N06NSATMA1 Existencias: 135 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 15,000 Se espera el 12/11/2026 10,000 Se espera el 10/06/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/13.39 S/7.59 S/6.03 S/4.83 Ver Envase tipo carrete S/4.16 S/4.63 S/4.48 S/4.16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	100 A	1.45 mOhms	20 V	2.1 V	89 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC018NE2LS Infineon Technologies 1: S/6.38 3,489En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC018NE2LS N.º de artículo de Mouser 726-BSC018NE2LS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	3,489En existencias	Cinta cortada S/6.38 S/3.02 S/2.60 S/2.06 Ver Envase tipo carrete S/1.59 S/1.87 S/1.77 S/1.59 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	100 A	1.8 mOhms	20 V	2 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies 1: S/9.30 1,438En existencias 15,000Se espera el 8/10/2026	N.º de artículo del Fabricante BSC028N06NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC028N06NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,438En existencias 15,000Se espera el 8/10/2026	Cinta cortada S/9.30 S/5.72 S/4.40 S/3.70 Ver Envase tipo carrete S/2.64 S/3.38 S/3.16 S/2.64 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	100 A	2.5 mOhms	20 V	2.1 V	49 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS BSC032NE2LS Infineon Technologies 1: S/4.87 3,015En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC032NE2LS N.º de artículo de Mouser 726-BSC032NE2LS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	3,015En existencias	Cinta cortada S/4.87 S/3.01 S/1.97 S/1.55 Envase tipo carrete S/1.04 Ver S/1.36 S/1.23 S/1.03 S/1.01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	84 A	2.7 mOhms	20 V	1.2 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.27 6En existencias 80,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC039N06NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC039N06NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6En existencias 80,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC039N06NSATMA1 Existencias: 6 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 15,000 Se espera el 15/10/2026 10,000 Se espera el 2/09/2027 55,000 Se espera el 9/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/6.27 S/3.64 S/2.67 S/2.13 Ver Envase tipo carrete S/1.44 S/1.95 S/1.85 S/1.44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	100 A	3.9 mOhms	20 V	2.1 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS BSC050NE2LS Infineon Technologies 1: S/4.20 3,635En existencias 10,000Se espera el 8/10/2026	N.º de artículo del Fabricante BSC050NE2LS N.º de artículo de Mouser 726-BSC050NE2LS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	3,635En existencias 10,000Se espera el 8/10/2026	Cinta cortada S/4.20 S/2.58 S/1.70 S/1.34 Envase tipo carrete S/0.895 Ver S/1.17 S/1.05 S/0.884 S/0.868 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	58 A	5 mOhms	20 V	1.2 V	10.4 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS BSC052N03LS Infineon Technologies 1: S/3.85 3,374En existencias 5,000Se espera el 24/09/2026	N.º de artículo del Fabricante BSC052N03LS N.º de artículo de Mouser 726-BSC052N03LS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	3,374En existencias 5,000Se espera el 24/09/2026	Cinta cortada S/3.85 S/1.87 S/1.66 S/1.35 Envase tipo carrete S/0.911 Ver S/1.30 S/0.876 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	57 A	5.2 mOhms	20 V	1.2 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC0901NS Infineon Technologies 1: S/7.98 45En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC0901NS N.º de artículo de Mouser 726-BSC0901NS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	45En existencias	Cinta cortada S/7.98 S/5.02 S/3.29 S/2.61 Ver Envase tipo carrete S/1.96 S/2.32 S/2.23 S/1.96 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	100 A	1.6 mOhms	20 V	1.2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies 1: S/7.79 25En existencias 15,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC0901NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC0901NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	25En existencias 15,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC0901NSATMA1 Existencias: 25 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 5,000 Se espera el 16/10/2026 10,000 Se espera el 11/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/7.79 S/4.36 S/3.20 S/2.53 Ver Envase tipo carrete S/1.99 S/2.34 S/2.25 S/1.99 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	100 A	1.6 mOhms	20 V	1.2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC0902NS Infineon Technologies 1: S/6.42 2,876En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC0902NS N.º de artículo de Mouser 726-BSC0902NS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	2,876En existencias	Cinta cortada S/6.42 S/3.97 S/2.60 S/2.05 Envase tipo carrete S/1.37 Ver S/1.75 S/1.62 S/1.32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	100 A	2.2 mOhms	20 V	1.2 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	48 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel