Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon's 20V-60V OptiMOS Power MOSFETs are innovative products that serve the market needs throughout the whole energy supply chain. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar microinverter), power supply (e.g. server and telecom), and power consumption (e.g. electric vehicle). These devices consistently set the benchmark in key specifications for power system design, including leading on-state resistance and Figure of Merit characteristics which lead to reduced power losses and improved overall efficiency. These help customers that face the challenge of growing power demand, higher efficiency, and lower cost.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 43

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8

BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.23
39,512En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ042N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ042N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8

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39,512En existencias

Cinta cortada

S/3.23

S/2.69

S/2.46

S/2.35

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Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

98 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.83
7,506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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7,506En existencias

Cinta cortada

S/11.83

S/7.71

S/5.33

S/4.48

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Envase tipo carrete

S/3.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.22
1,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB026N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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Cinta cortada

S/12.22

S/7.98

S/5.53

S/4.67

Envase tipo carrete

S/3.93

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

BSC052N03LS
Infineon Technologies
1: S/3.35
9,404En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

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9,404En existencias

Cinta cortada

S/3.35

S/1.97

S/1.45

S/1.23

Envase tipo carrete

S/1.05

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

57 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS

BSC0909NS
Infineon Technologies
1: S/3.43
8,483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0909NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0909NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS

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8,483En existencias

Cinta cortada

S/3.43

S/2.14

S/1.39

S/1.06

Envase tipo carrete

S/0.751

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

34 V

44 A

7.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1: S/6.27
5,150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.65

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.59

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
1: S/6.31
6,489En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

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6,489En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/3.97

S/2.66

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.54

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

153 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.03
9,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0502NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0502NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/6.03

S/3.84

S/2.56

S/2.02

Ver

Envase tipo carrete

S/1.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0901NSI
Infineon Technologies
1: S/6.66
4,026En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0901NSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0901NSI

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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4,026En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.24

S/2.81

S/2.22

Envase tipo carrete

S/1.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

142 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1: S/4.83
3,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC032NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

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3,200En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/3.04

S/2.00

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

84 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LS
Infineon Technologies
1: S/4.24
4,688En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ065N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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4,688En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.66

S/1.73

S/1.34

Envase tipo carrete

S/0.981

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

49 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8

BSC0901NSIXT
Infineon Technologies
1: S/6.62
3,746En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSIXT

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSIATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8

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Hoja de datos

3,746En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.79

S/2.29

Envase tipo carrete

S/1.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.81
564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB010N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

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564En existencias

Cinta cortada

S/19.81

S/16.23

S/13.51

S/12.07

Envase tipo carrete

S/10.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

243 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.57
1,153En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB014N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

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1,153En existencias

Cinta cortada

S/18.57

S/12.26

S/8.99

S/8.49

Envase tipo carrete

S/6.89

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LS
Infineon Technologies
1: S/8.21
25,376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

25,376En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/5.25

S/3.64

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.48
5,582En existencias
9,700Se espera el 9/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

5,582En existencias

9,700Se espera el 9/04/2026

Cinta cortada

S/14.48

S/9.50

S/6.66

S/5.88

Envase tipo carrete

S/4.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS

BSC016N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.81
11,966En existencias
9,000Se espera el 26/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC016N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC016N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

11,966En existencias

9,000Se espera el 26/03/2026

Cinta cortada

S/9.81

S/7.05

S/5.22

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.55

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.05
7,852En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC028N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

7,852En existencias

Cinta cortada

S/11.05

S/7.16

S/4.98

S/4.13

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
8,420En existencias
5,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC039N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

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Hoja de datos

8,420En existencias

5,000Se espera el 26/11/2026

Cinta cortada

S/8.99

S/5.76

S/3.93

S/3.14

Ver

Envase tipo carrete

S/2.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
7,552En existencias
2,200Se espera el 26/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

7,552En existencias

2,200Se espera el 26/02/2026

Cinta cortada

S/4.59

S/1.78

S/1.46

S/1.35

S/1.29

Envase tipo carrete

S/1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ019N03LS
Infineon Technologies
1: S/7.63
10,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ019N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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S/7.63

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S/3.37

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S/2.12

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

149 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
7,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ031NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ031NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/5.25

S/3.22

S/2.23

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.32

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0902NS
Infineon Technologies
1: S/5.22
5,862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0902NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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S/5.22

S/3.27

S/2.17

S/1.69

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Envase tipo carrete

S/1.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

106 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2

IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.86
4,456En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD053N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2

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Cinta cortada

S/7.86

S/4.98

S/3.36

S/2.67

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S/2.14

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

45 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC010NE2LS
Infineon Technologies
1: S/5.76
5,814En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC010NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010NE2LS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Cinta cortada

S/5.76

S/4.05

S/3.36

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.70

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

36 A
40 A
44 A
45 A
49 A
57 A
58 A
63 A
69 A
84 A
90 A
98 A
100 A
106 A
120 A
142 A
149 A
153 A
180 A
220 A

800 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms

9.1 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
13.6 nC
17 nC
19 nC
21 nC
26 nC
27 nC
32 nC
35 nC
38 nC
39 nC
41 nC
44 nC
46 nC
48 nC

2.5 W
25 W
26 W
28 W
30 W
36 W
37 W
38 W
43 W
48 W
69 W
74 W
83 W
96 W
136 W
139 W
156 W
167 W
214 W
300 W