Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon's 20V-60V OptiMOS Power MOSFETs are innovative products that serve the market needs throughout the whole energy supply chain. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar microinverter), power supply (e.g. server and telecom), and power consumption (e.g. electric vehicle). These devices consistently set the benchmark in key specifications for power system design, including leading on-state resistance and Figure of Merit characteristics which lead to reduced power losses and improved overall efficiency. These help customers that face the challenge of growing power demand, higher efficiency, and lower cost.

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Resultados: 41

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.08
1,596En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB026N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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1,596En existencias

Cinta cortada

S/13.08

S/8.29

S/5.92

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
1: S/6.58
5,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

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5,950En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/3.87

S/2.72

S/2.25

Ver

Envase tipo carrete

S/1.76

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

153 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.76
7,199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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7,199En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/7.40

S/5.25

S/4.24

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.75

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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90 A

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- 20 V, 20 V

2.1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LS
Infineon Technologies
1: S/8.91
23,395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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23,395En existencias

Cinta cortada

S/8.91

S/5.64

S/3.80

S/3.08

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Envase tipo carrete

S/2.46

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

30 V

230 A

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72 nC

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+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1: S/6.85
3,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

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3,700En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.36

S/2.16

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.73

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

25 V

100 A

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- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
1: S/3.46
9,893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0906NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0906NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

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Cinta cortada

S/3.46

S/2.16

S/1.40

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.716

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

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63 A

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13 nC

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+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
9,938En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0502NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0502NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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9,938En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/3.97

S/2.73

S/2.16

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.67

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TDSON-8

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100 A

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- 20 V, 20 V

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26 nC

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+ 150 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
8,096En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Cinta cortada

S/5.37

S/2.73

S/1.92

S/1.58

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100 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NS
Infineon Technologies
1: S/6.23
4,411En existencias

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BSC0902NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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S/6.23

S/3.84

S/2.53

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Envase tipo carrete

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100 A

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1.2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS

BSC016N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.47
32,648En existencias
20,000Se espera el 20/08/2026

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BSC016N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC016N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS

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32,648En existencias

20,000Se espera el 20/08/2026

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S/13.47

S/8.76

S/6.15

S/5.14

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Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

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- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.26
12,312En existencias
10,000Se espera el 25/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC028N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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10,000Se espera el 25/03/2027

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S/15.26

S/9.96

S/7.24

S/6.07

Ver

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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1 Channel

60 V

100 A

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2.1 V

49 nC

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+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies
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7,549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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Cinta cortada

S/9.11

S/5.76

S/3.89

S/3.16

Ver

Envase tipo carrete

S/2.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.93
3,731En existencias
10,000Se espera el 23/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

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3,731En existencias

10,000Se espera el 23/07/2026

Cinta cortada

S/19.93

S/13.12

S/9.58

S/8.10

Ver

Envase tipo carrete

S/6.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.59
9,172En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC039N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

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Hoja de datos

9,172En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/10.59

S/6.81

S/4.63

S/3.93

Ver

Envase tipo carrete

S/3.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.07
851En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB014N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

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Hoja de datos

851En existencias

Cinta cortada

S/22.07

S/14.44

S/10.78

S/9.03

Envase tipo carrete

S/8.37

S/7.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.06
336En existencias
500Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP029N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

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Hoja de datos

336En existencias

500Se espera el 9/07/2026

S/15.06

S/9.81

S/7.12

S/5.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

84 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC010NE2LSI
Infineon Technologies
1: S/9.85
5,213En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC010NE2LSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010NE2LSI

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

5,213En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/6.27

S/4.24

S/3.41

Ver

Envase tipo carrete

S/2.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

59 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.65
452En existencias
1,000Se espera el 22/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB010N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

Obtenga más información

Hoja de datos

452En existencias

1,000Se espera el 22/07/2026

Cinta cortada

S/28.65

S/19.15

S/15.41

S/13.66

Envase tipo carrete

S/12.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

243 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2

IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.00
179En existencias
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB057N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB057N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2

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Hoja de datos

179En existencias

4,000En pedido

Cinta cortada

S/10.00

S/6.42

S/4.36

S/3.71

Envase tipo carrete

S/3.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

45 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3

IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
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376En existencias
500Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPI029N06NAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3

Obtenga más información

Hoja de datos

376En existencias

500Se espera el 9/07/2026

S/13.58

S/8.84

S/6.19

S/5.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1: S/5.84
3,067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC032NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

3,067En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.59

S/2.36

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

84 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

BSC050NE2LS
Infineon Technologies
1: S/4.55
7,816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC050NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

7,816En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.81

S/1.85

S/1.46

Envase tipo carrete

S/0.977

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

58 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

BSC052N03LS
Infineon Technologies
1: S/6.19
4,509En existencias
5,000Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

4,509En existencias

5,000Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/6.19

S/3.83

S/2.53

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

57 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NS
Infineon Technologies
1: S/6.23
23En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

23En existencias

Cinta cortada

S/6.23

S/3.84

S/2.53

S/1.99

Ver

Envase tipo carrete

S/1.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.92
3,573En existencias
5,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ031NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ031NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

3,573En existencias

5,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/5.92

S/3.73

S/2.47

S/1.93

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

36 A
40 A
44 A
45 A
49 A
57 A
58 A
63 A
69 A
84 A
90 A
98 A
100 A
106 A
120 A
149 A
153 A
180 A
220 A
230 A

800 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3.2 mOhms

9.1 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
13.6 nC
17 nC
19 nC
21 nC
26 nC
27 nC
32 nC
35 nC
38 nC
39 nC
44 nC
46 nC
48 nC
49 nC