Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V_(ds) and are 100% tested gate resistance(R_g). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

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Resultados: 47

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2338DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.58
619En existencias
42,000Se espera el 10/06/2027

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SI2338DS-T1-GE3

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78-SI2338DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23

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Cinta cortada

S/3.58

S/2.28

S/1.54

S/1.14

S/0.985

Envase tipo carrete

S/0.779

MouseReel Disponible

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Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23

SI2356DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.88
1,511En existencias
339,000En pedido

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SI2356DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2356DS-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23

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Cinta cortada

S/2.88

S/1.80

S/1.17

S/0.829

S/0.677

Envase tipo carrete

S/0.397

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

4.3 A

51 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

3.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2392ADS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.35
1,202En existencias
18,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2392ADS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2392ADS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

S/3.35

S/2.07

S/1.34

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.806

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3.1 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SOT-23

SI2399DS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.19
8,549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2399DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2399DS-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SOT-23

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S/3.19

S/1.97

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.841

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

34 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2301CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.62
24,775En existencias
156,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2301CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2301CDS-E3

Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

S/3.62

S/2.30

S/1.49

S/1.07

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.561

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.1 A

112 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

10 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2304DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.58
1,429En existencias
165,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2304DDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2304DDS-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23

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Cinta cortada

S/3.58

S/2.48

S/1.57

S/0.973

S/0.716

Envase tipo carrete

S/0.638

MouseReel Disponible

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: 3,000

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

SI2306BDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.05
1,995En existencias
24,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2306BDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2306BDS-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

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Cinta cortada

S/4.05

S/2.72

S/1.72

S/1.24

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.736

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.16 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2307CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
144En existencias
33,000En pedido

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SI2307CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2307CDS-T1-GE3

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S/3.70

S/2.64

S/1.65

S/1.14

S/0.954

Envase tipo carrete

S/0.856

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.5 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

4.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2319CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.20
437En existencias
75,000En pedido

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SI2319CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2319CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

S/4.20

S/3.01

S/1.87

S/1.29

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.973

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

40 V

4.4 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2323CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.18
175En existencias
36,000En pedido

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SI2323CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2323CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

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36,000En pedido

Cinta cortada

S/5.18

S/3.18

S/2.09

S/1.65

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

39 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2328DS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/6.66
22En existencias
21,000Se espera el 23/08/2027

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SI2328DS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2328DS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

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22En existencias

21,000Se espera el 23/08/2027

Cinta cortada

S/6.66

S/4.13

S/2.78

S/2.19

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

1.15 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

730 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2323DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.32
157,640En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2323DDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2323DDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

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S/4.32

S/3.07

S/1.91

S/1.32

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.993

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.3 A

39 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2312CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.88
135,881En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2312CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

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135,881En pedido

Cinta cortada

S/2.88

S/1.77

S/1.14

S/0.864

S/0.779

Envase tipo carrete

S/0.662

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6 A

31.8 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W

SI2306BDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
45,000Se espera el 6/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI2306BDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2306BDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W

Hoja de datos

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45,000Se espera el 6/08/2026

Cinta cortada

S/3.70

S/2.29

S/1.49

S/1.14

S/1.03

Envase tipo carrete

S/0.821

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.16 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2324DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.71
51,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2324DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2324DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

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51,000En pedido

Cinta cortada

S/4.71

S/3.36

S/2.09

S/1.44

S/1.21

Envase tipo carrete

S/1.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

2.3 A

234 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2365EDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.65
107,233En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2365EDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2365EDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

S/2.65

S/1.73

S/1.11

S/0.689

S/0.549

Envase tipo carrete

S/0.432

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.9 A

26.5 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

13.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2318CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.85
126,525Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI2318CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2318CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23

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S/3.85

S/2.65

S/1.68

S/1.04

S/0.771

Envase tipo carrete

S/0.685

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

5.6 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2328DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
14,800Se espera el 9/09/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI2328DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2328DS-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

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14,800Se espera el 9/09/2027

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.04

S/2.40

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

1.15 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

730 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V

SI2333CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.71
17,890En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2333CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2333CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V

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17,890En pedido

Cinta cortada

S/4.71

S/2.94

S/1.93

S/1.50

Envase tipo carrete

S/1.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

7.1 A

35 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2336DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.31
32,119En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2336DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2336DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs SOT-23

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Comentarios de Producto

32,119En pedido

Cinta cortada

S/3.31

S/2.39

S/1.59

S/1.06

S/0.93

Envase tipo carrete

S/0.751

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.2 A

42 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

SI2122DS-T1-GE3
Vishay
6,000: S/0.654
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SI2122DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2122DS-T1-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

Cinta cortada

S/0.654

S/0.611

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

2.17 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

3.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 19mohm @ 4.5V

SI2601DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/1.81
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2601DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2601DN-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 19mohm @ 4.5V

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/1.81

S/1.66

S/1.61

S/1.58

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

TrenchFET

Reel

SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

530 mA
690 mA
1.15 A
1.6 A
2.17 A
2.3 A
2.6 A
2.7 A
2.9 A
3.1 A
3.16 A
3.5 A
3.6 A
3.8 A
4.3 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.2 A
5.3 A

17 mOhms
23 mOhms
26.5 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
31.8 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
39 mOhms
42 mOhms
45 mOhms
47 mOhms
51 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
61 mOhms
66 mOhms

2 nC
2.7 nC
2.9 nC
3 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.8 nC
4 nC
4.1 nC
4.2 nC
6 nC
6.7 nC
6.9 nC
7 nC
7.6 nC
7.7 nC
8.8 nC
9 nC
10 nC