Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V_(ds) and are 100% tested gate resistance(R_g). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

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Resultados: 47

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2302CDS-T1-GE3
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- 8 V, 8 V

850 mV

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

860 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2307CDS-T1-E3
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Enhancement

TrenchFET

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SI2325DS-T1-GE3
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Enhancement

TrenchFET

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SI2303CDS-T1-E3
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3.5 nC

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SI2309CDS-T1-GE3
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SI2309CDS-T1-GE3

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23

SI2329DS-T1-GE3
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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2374DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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161,347En existencias

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SI2374DS-T1-GE3

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S/0.58

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S/0.436

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SOT-23-3

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1 Channel

20 V

5.9 A

30 mOhms

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1 V

7.7 nC

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Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2392ADS-T1-GE3
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1: S/3.35
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SI2392ADS-T1-GE3

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S/1.34

S/1.02

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S/0.767

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SOT-23-3

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1 Channel

100 V

3.1 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2305CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.41
41,820En existencias

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SI2305CDS-T1-GE3

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781-SI2305CDS-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 8V Vgs SOT-23

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S/2.41

S/1.49

S/0.954

S/0.72

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S/0.545

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SOT-23-3

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1 Channel

8 V

5.8 A

35 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

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- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W

SI2306BDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
39,336En existencias

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SI2306BDS-T1-E3

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781-SI2306BDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W

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Cinta cortada

S/3.70

S/2.29

S/1.49

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.829

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SOT-23-3

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1 Channel

30 V

3.16 A

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- 20 V, 20 V

1 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

SI2306BDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.58
13,936En existencias

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SI2306BDS-T1-GE3

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781-SI2306BDS-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

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S/3.58

S/2.23

S/1.44

S/1.11

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S/0.856

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.16 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2309CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
18,528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2309CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2309CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23

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18,528En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.802

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

345 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

4.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2325DS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/6.38
24,821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2325DS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2325DS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

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S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.11

S/1.92

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S/1.64

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

150 V

690 mA

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V

SI2333CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
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SI2333CDS-T1-E3

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781-SI2333CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V

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S/4.71

S/2.89

S/1.93

S/1.50

S/1.36

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S/1.07

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

7.1 A

35 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2343CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
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N.º de artículo del Fabricante
SI2343CDS-T1-GE3

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781-SI2343CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

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S/2.29

S/1.49

S/1.14

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SMD/SMT

SOT-23-3

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1 Channel

30 V

5.9 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2367DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI2367DS-T1-GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.8 A

66 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2377EDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.88
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SI2377EDS-T1-GE3

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S/1.14

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

61 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2333DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.00
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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

6 A

23 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

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Enhancement

TrenchFET

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SI2347DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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70,905En existencias
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SI2347DS-T1-GE3

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S/0.545

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

5 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SOT-23

SI2399DS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SI2399DS-T1-GE3

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Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

34 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

530 mA
690 mA
1.15 A
1.6 A
2.17 A
2.3 A
2.6 A
2.7 A
2.9 A
3.1 A
3.16 A
3.5 A
3.6 A
3.8 A
4.3 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.2 A
5.3 A

17 mOhms
23 mOhms
26.5 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
31.8 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
39 mOhms
42 mOhms
45 mOhms
47 mOhms
51 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
61 mOhms
66 mOhms

2 nC
2.7 nC
2.9 nC
3 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.8 nC
4 nC
4.1 nC
4.2 nC
6 nC
6.7 nC
6.9 nC
7 nC
7.6 nC
7.7 nC
8.8 nC
9 nC
10 nC