Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V_(ds) and are 100% tested gate resistance(R_g). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 47

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2307CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.54
413,117En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2307CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2307CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

413,117En existencias

Cinta cortada

S/3.54

S/2.17

S/1.43

S/1.10

Envase tipo carrete

S/0.829

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.5 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2302DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.37
216,653En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2302DDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2302DDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

216,653En existencias

Cinta cortada

S/2.37

S/1.48

S/0.946

S/0.716

Envase tipo carrete

S/0.638

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.9 A

57 mOhms

- 8 V, 8 V

850 mV

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

860 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2309CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.15
118,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2309CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2309CDS-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

118,784En existencias

Cinta cortada

S/3.15

S/1.96

S/1.27

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

345 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2302CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.96
178,406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2302CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2302CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

178,406En existencias

Cinta cortada

S/2.96

S/1.84

S/1.19

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.697

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.9 A

57 mOhms

- 8 V, 8 V

850 mV

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

860 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.96
38,317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2303CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2303CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

38,317En existencias

Cinta cortada

S/2.96

S/1.84

S/1.19

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.697

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2323CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.40
14,954En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2323CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2323CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

14,954En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.75

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

39 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2303CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/2.96
66,801En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2303CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2303CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

66,801En existencias

Cinta cortada

S/2.96

S/1.84

S/1.19

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.677

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SOT-23

SI2371EDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.88
602,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2371EDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2371EDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SOT-23

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

602,997En existencias

Cinta cortada

S/2.88

S/1.98

S/1.25

S/0.775

Envase tipo carrete

S/0.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

4.8 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2301CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/2.76
153,469En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2301CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2301CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

153,469En existencias

Cinta cortada

S/2.76

S/1.72

S/1.11

S/0.841

Envase tipo carrete

S/0.646

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.1 A

112 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

10 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2302CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/2.57
297,189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2302CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2302CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

297,189En existencias

Cinta cortada

S/2.57

S/1.59

S/1.02

S/0.51

Envase tipo carrete

S/0.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.6 A

57 mOhms

- 8 V, 8 V

850 mV

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

710 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23

SI2329DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
10,164En existencias
15,000Se espera el 27/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI2329DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2329DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23

Hoja de datos

10,164En existencias

15,000Se espera el 27/04/2026

Cinta cortada

S/3.70

S/2.30

S/1.51

S/1.16

Envase tipo carrete

S/0.903

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

8 V

6 A

30 mOhms

- 5 V, 5 V

350 mV

19.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2374DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.87
172,213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2374DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2374DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

172,213En existencias

Cinta cortada

S/1.87

S/1.14

S/0.724

S/0.541

Envase tipo carrete

S/0.405

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

5.9 A

30 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2392ADS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.11
23,829En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2392ADS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2392ADS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

23,829En existencias

Cinta cortada

S/3.11

S/1.93

S/1.25

S/0.958

Envase tipo carrete

S/0.736

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3.1 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2305CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.26
45,543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2305CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2305CDS-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

45,543En existencias

Cinta cortada

S/2.26

S/1.39

S/0.891

S/0.673

Envase tipo carrete

S/0.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

8 V

5.8 A

35 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W

SI2306BDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.43
19,497En existencias
21,000Se espera el 20/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI2306BDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2306BDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W

Hoja de datos

Comentarios de Producto

19,497En existencias

21,000Se espera el 20/04/2026

Cinta cortada

S/3.43

S/2.14

S/1.39

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.825

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.16 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2309CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.15
30,153En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2309CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2309CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

30,153En existencias

Cinta cortada

S/3.15

S/1.96

S/1.27

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.732

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

345 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

4.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2325DS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/5.96
27,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2325DS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2325DS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

27,985En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/3.76

S/2.51

S/1.97

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

150 V

690 mA

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2328DS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/5.29
9,724En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2328DS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2328DS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

9,724En existencias

Cinta cortada

S/5.29

S/3.32

S/2.20

S/1.72

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

1.15 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

730 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V

SI2333CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/4.40
43,713En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2333CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2333CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V

Hoja de datos

Comentarios de Producto

43,713En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.75

S/1.81

S/1.40

S/1.27

Envase tipo carrete

S/1.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

7.1 A

35 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2343CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.43
16,076En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2343CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2343CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

16,076En existencias

Cinta cortada

S/3.43

S/2.14

S/1.39

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.825

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

5.9 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2323DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.31
33,266En existencias
21,000Se espera el 18/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI2323DDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2323DDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

33,266En existencias

21,000Se espera el 18/02/2027

Cinta cortada

S/3.31

S/2.06

S/1.33

S/1.02

S/0.919

Envase tipo carrete

S/0.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.3 A

39 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2333DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.80
70,218En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2333DDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2333DDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SOT-23

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

70,218En existencias

Cinta cortada

S/2.80

S/1.74

S/1.12

S/0.576

Envase tipo carrete

S/0.576

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

6 A

23 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2347DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.26
74,633En existencias
108,000Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI2347DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2347DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

74,633En existencias

108,000Se espera el 9/07/2026

Cinta cortada

S/2.26

S/1.39

S/0.891

S/0.673

Envase tipo carrete

S/0.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

5 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23

SI2356DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.49
25,589En existencias
135,000Se espera el 22/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI2356DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2356DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

25,589En existencias

135,000Se espera el 22/06/2026

Cinta cortada

S/2.49

S/1.53

S/0.973

S/0.732

Envase tipo carrete

S/0.483

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

4.3 A

51 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

3.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SOT-23

SI2399DS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.96
22,528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2399DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2399DS-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

22,528En existencias

Cinta cortada

S/2.96

S/1.84

S/1.19

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.681

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

34 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

530 mA
690 mA
1.15 A
1.6 A
2.17 A
2.3 A
2.6 A
2.7 A
2.9 A
3.1 A
3.16 A
3.5 A
3.6 A
3.8 A
4.3 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.2 A
5.3 A

17 mOhms
23 mOhms
26.5 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
31.8 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
39 mOhms
42 mOhms
45 mOhms
47 mOhms
51 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
61 mOhms
66 mOhms

2 nC
2.7 nC
2.9 nC
3 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.8 nC
4 nC
4.1 nC
4.2 nC
6 nC
6.7 nC
6.9 nC
7 nC
7.6 nC
7.7 nC
8.8 nC
9 nC
10 nC