Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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4th Gen E Series MOSFETs

Vishay Semiconductors 4^th Gen E Series MOSFETs are low Figure-Of-Merit (FOM) MOSFETs with E series technology. The 4^th Gen E series MOSFETs feature low effective capacitance and reduced switching and conduction losses. These MOSFETs are avalanche energy rated (UIS). Vishay Semiconductors 4^th Gen E MOSFETs are available in TO-220AB, PowerPAK^® SO-8L, PowerPAK^® 8 x 8, DPAK (TO-252), and Thin-Lead TO-220 FULLPAK packages. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and Power Factor Correction (PFC) power supplies.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Vishay Semiconductors
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SIHB080N60E-GE3

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78-SIHB080N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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S/13.66

S/12.49

S/11.02

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600 V

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N CHAN 700V 47A

SQW44N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/36.28
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SQW44N65EF-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N CHAN 700V 47A

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S/36.28

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHA240N60E-GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SIHA240N60E-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

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S/7.32

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHA180N60E-GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser
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Vishay Semiconductors

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Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 34A N-CH MOSFET

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SIHH240N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHH240N60E-T1-GE3

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78-SIHH240N60ET1GE3

Vishay / Siliconix

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S/10.35

S/7.28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 40A N-CH MOSFET

SIHP065N60E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/34.80
904En existencias

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SIHP065N60E-BE3

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78-SIHP065N60E-BE3

Vishay / Siliconix

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S/17.48

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Tube

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SIHB180N60E-GE3
Vishay / Siliconix
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843En existencias

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SIHB180N60E-GE3

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Vishay / Siliconix

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S/20.09

S/12.49

S/9.34

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SIHD690N60E-GE3
Vishay Semiconductors
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2,111En existencias

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SIHD690N60E-GE3

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78-SIHD690N60E-GE3

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S/9.54

S/6.07

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET

SIHK075N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/32.62
3,650En existencias

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SIHK075N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIHK075N60ET1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET

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S/19.50

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB120N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/25.11
929En existencias

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SIHB120N60E-GE3

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78-SIHB120N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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S/13.27

S/12.14

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

SIHP180N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.37
892En existencias

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SIHP180N60E-GE3

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78-SIHP180N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

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S/8.99

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19 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

SIHA100N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/22.03
356En existencias

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SIHA100N60E-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

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S/12.38

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S/9.38

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET

SIHA690N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.82
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SIHA690N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET

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S/10.82

S/6.97

S/4.79

S/3.84

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N-Channel

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4.3 A

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Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

SIHU5N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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2,899En existencias

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SIHU5N80AE-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

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S/7.20

S/4.59

S/3.06

S/2.41

Envase tipo carrete

S/1.94

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1 Channel

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4 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8

SIHH120N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHH120N60E-T1-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8

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Cinta cortada

S/23.47

S/15.38

S/12.38

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S/9.03

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24 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

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+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHB065N60E-T1-GE3
Vishay
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N.º de artículo del Fabricante
SIHB065N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB065N60ET1GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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1,536En existencias

Cinta cortada

S/27.87

S/18.29

S/17.83

Envase tipo carrete

S/17.83

S/10.74

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHF074N65E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/34.57
2,158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHF074N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF074N65E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

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2,158En existencias

S/34.57

S/23.67

S/18.88

S/18.84

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TO-220FP-3

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1 Channel

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39 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH180N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo del Fabricante
SIHH180N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH180N60E-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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Cinta cortada

S/18.84

S/12.34

S/9.23

S/7.71

S/7.32

Envase tipo carrete

S/6.73

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SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

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3 V

33 nC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG018N60E-GE3
Vishay Semiconductors
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539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG018N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG018N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

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S/74.27

S/47.22

S/44.06

Min.: 1
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TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

600 V

99 A

23 mOhms

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3 V

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L

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Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SIHJ240N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHJ240N60E-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L

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PowerPAK-SO-8-4

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1 Channel

600 V

12 A

240 mOhms

- 30 V, 30 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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600 V

34 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

SIHP065N60E-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHP065N60E-GE3

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

57 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHA105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

SIHD1K4N60E-GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.2 A

1.45 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

4th Gen E Series MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

7.5 nC
8 nC
11 nC
12 nC
22 nC
23 nC
33 nC
35 nC
41 nC
44 nC
45 nC
50 nC
53 nC
63 nC
74 nC
80 nC
98 nC
122 nC
173 nC
228 nC

29 W
31 W
33 W
35 W
39 W
48 W
62.5 W
63 W
78 W
89 W
114 W
156 W
167 W
179 W
192 W
202 W
208 W
227 W
250 W
375 W