Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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4th Gen E Series MOSFETs

Vishay Semiconductors 4^th Gen E Series MOSFETs are low Figure-Of-Merit (FOM) MOSFETs with E series technology. The 4^th Gen E series MOSFETs feature low effective capacitance and reduced switching and conduction losses. These MOSFETs are avalanche energy rated (UIS). Vishay Semiconductors 4^th Gen E MOSFETs are available in TO-220AB, PowerPAK^® SO-8L, PowerPAK^® 8 x 8, DPAK (TO-252), and Thin-Lead TO-220 FULLPAK packages. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and Power Factor Correction (PFC) power supplies.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHA240N60E-GE3
Vishay / Siliconix
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1,113En existencias

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SIHA240N60E-GE3

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78-SIHA240N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

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S/9.34

S/7.32

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

240 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L

SIHJ240N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.43
1,878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHJ240N60E-T1-GE3

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78-SIHJ240N60E-T1GE3

Vishay / Siliconix

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S/13.43

S/9.07

S/6.34

S/5.53

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S/4.52

S/4.48

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1 Channel

600 V

12 A

240 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL

SIHD690N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.68
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SIHD690N60E-GE3

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78-SIHD690N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL

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S/8.68

S/5.99

S/4.75

S/3.93

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+ 150 C

62.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG018N60E-GE3
Vishay Semiconductors
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SIHG018N60E-GE3

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78-SIHG018N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

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S/37.99

S/37.95

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TO-247AC-3

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524 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

SIHP065N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/28.77
851En existencias

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SIHP065N60E-GE3

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78-SIHP065N60E-GE3

Vishay / Siliconix

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S/16.62

S/14.36

S/14.13

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

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- 30 V, 30 V

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- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB180N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.78
869En existencias

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SIHB180N60E-GE3

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78-SIHB180N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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S/16.78

S/11.21

S/8.60

S/7.67

S/6.03

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)

SIHD240N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.73
2,608En existencias

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SIHD240N60E-GE3

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78-SIHD240N60E-GE3

Vishay Semiconductors

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S/12.73

S/8.29

S/5.76

S/4.67

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

240 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHA180N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.58
876En existencias

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SIHA180N60E-GE3

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78-SIHA180N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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S/16.58

S/8.49

S/7.71

S/6.34

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

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- 30 V, 30 V

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33 nC

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+ 150 C

33 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHA105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.00
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SIHA105N60EF-GE3

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78-SIHA105N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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S/9.85

S/8.99

S/7.43

Envase tipo carrete

S/6.89

MouseReel Disponible

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N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET

SIHA690N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.00
1,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA690N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA690N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET

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S/10.00

S/6.46

S/4.63

S/3.86

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4.3 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

SIHU5N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.73
2,899En existencias

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SIHU5N80AE-GE3

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78-SIHU5N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

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Cinta cortada

S/6.73

S/4.28

S/2.86

S/2.26

Envase tipo carrete

S/1.81

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Carrete: 3,000

Through Hole

N-Channel

1 Channel

800 V

4.4 A

1.35 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET

SIHK075N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/30.48
3,673En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK075N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIHK075N60ET1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/30.48

S/20.75

S/17.87

S/16.23

Envase tipo carrete

S/14.17

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-10

1 Channel

600 V

29 A

70 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

SIHA100N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.32
360En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA100N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA100N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

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360En existencias

S/20.32

S/11.56

S/10.55

S/8.80

S/8.37

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB120N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.47
930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB120N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB120N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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930En existencias

S/23.47

S/12.42

S/11.37

S/9.50

S/9.15

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

SIHP180N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.85
892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP180N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP180N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

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892En existencias

S/16.85

S/11.05

S/8.29

S/7.36

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 12A N-CH MOSFET

SIHH240N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.75
2,525En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH240N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH240N60ET1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 12A N-CH MOSFET

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2,525En existencias

Cinta cortada

S/14.75

S/9.65

S/6.81

S/6.03

S/5.61

Envase tipo carrete

S/4.90

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8 - 8

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

208 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8

SIHH120N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/24.25
1,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH120N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH120N60E-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8

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Hoja de datos

1,993En existencias

Cinta cortada

S/24.25

S/15.10

S/13.62

S/11.37

Envase tipo carrete

S/7.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SIHB065N60E-T1-GE3
Vishay
1: S/34.84
1,536En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB065N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB065N60ET1GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1,536En existencias

Cinta cortada

S/34.84

S/25.38

S/21.14

S/18.84

Envase tipo carrete

S/16.78

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHF074N65E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/29.39
2,158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHF074N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF074N65E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

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Hoja de datos

2,158En existencias

S/29.39

S/20.12

S/15.34

S/15.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

14 A

70 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH180N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/21.95
1,770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH180N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH180N60E-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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Hoja de datos

1,770En existencias

Cinta cortada

S/21.95

S/13.55

S/11.52

S/10.98

S/10.74

Envase tipo carrete

S/5.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N CHAN 700V 47A

SQW44N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/30.44
3,269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQW44N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQW44N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N CHAN 700V 47A

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Hoja de datos

3,269En existencias

S/30.44

S/22.65

S/18.65

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-3

N-Channel

1 Channel

700 V

47 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

266 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

SIHD1K4N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.77
3,264En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHD1K4N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHD1K4N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

Obtenga más información

Hoja de datos

3,264En existencias

S/6.77

S/4.28

S/2.86

S/2.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.2 A

1.45 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHB080N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/22.58
4,323En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB080N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB080N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Hoja de datos

4,323En existencias

S/22.58

S/12.77

S/11.68

S/9.77

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 34A N-CH MOSFET

SIHK065N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/33.63
3,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK065N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIHK065N60ET1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 34A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

3,699En existencias

Cinta cortada

S/33.63

S/23.00

S/20.36

S/18.49

Envase tipo carrete

S/16.15

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-10

1 Channel

600 V

34 A

59 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH068N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/35.50
1,198En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH068N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH068N60E-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

Obtenga más información

Hoja de datos

1,198En existencias

Cinta cortada

S/35.50

S/24.29

S/19.42

S/16.19

Envase tipo carrete

S/9.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

4th Gen E Series MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

7.5 nC
8 nC
11 nC
12 nC
22 nC
23 nC
33 nC
35 nC
41 nC
44 nC
45 nC
50 nC
53 nC
63 nC
74 nC
80 nC
98 nC
122 nC
173 nC
228 nC

29 W
31 W
33 W
35 W
39 W
48 W
62.5 W
63 W
78 W
89 W
114 W
156 W
167 W
179 W
192 W
202 W
208 W
227 W
250 W
375 W