Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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4th Gen E Series MOSFETs

Vishay Semiconductors 4^th Gen E Series MOSFETs are low Figure-Of-Merit (FOM) MOSFETs with E series technology. The 4^th Gen E series MOSFETs feature low effective capacitance and reduced switching and conduction losses. These MOSFETs are avalanche energy rated (UIS). Vishay Semiconductors 4^th Gen E MOSFETs are available in TO-220AB, PowerPAK^® SO-8L, PowerPAK^® 8 x 8, DPAK (TO-252), and Thin-Lead TO-220 FULLPAK packages. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and Power Factor Correction (PFC) power supplies.

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Resultados: 31

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHB080N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/25.77
4,244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB080N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB080N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Hoja de datos

4,244En existencias

S/25.77

S/13.66

S/12.49

S/10.98

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHA240N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.41
1,108En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA240N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA240N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

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1,108En existencias

S/15.41

S/10.08

S/7.32

S/6.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

240 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHA180N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.75
876En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA180N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA180N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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876En existencias

S/17.75

S/9.11

S/8.25

S/6.77

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 34A N-CH MOSFET

SIHK065N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/36.04
3,677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK065N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIHK065N60ET1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 34A N-CH MOSFET

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3,677En existencias

Cinta cortada

S/36.04

S/24.64

S/20.36

S/18.49

Envase tipo carrete

S/16.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-10

1 Channel

600 V

34 A

59 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 12A N-CH MOSFET

SIHH240N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.80
2,507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH240N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH240N60ET1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 12A N-CH MOSFET

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2,507En existencias

Cinta cortada

S/15.80

S/10.35

S/7.28

S/6.03

Envase tipo carrete

S/5.68

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8 - 8

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

208 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB180N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.07
843En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB180N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB180N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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843En existencias

S/19.07

S/12.49

S/9.34

S/7.82

S/6.85

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL

SIHD690N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.54
2,111En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHD690N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHD690N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL

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2,111En existencias

S/9.54

S/6.07

S/4.09

S/3.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.4 A

700 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB120N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/25.11
929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB120N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB120N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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929En existencias

S/25.11

S/13.27

S/12.14

S/10.59

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

SIHP180N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.37
892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP180N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP180N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

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892En existencias

S/18.37

S/12.03

S/8.99

S/7.51

S/6.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

SIHA100N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/21.95
360En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA100N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA100N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

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360En existencias

S/21.95

S/11.56

S/10.55

S/8.80

S/8.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8

SIHH120N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.47
1,938En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH120N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH120N60E-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8

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1,938En existencias

Cinta cortada

S/23.47

S/15.38

S/12.34

Envase tipo carrete

S/8.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET

SIHA690N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.74
1,549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA690N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA690N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET

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1,549En existencias

S/10.74

S/6.93

S/4.75

S/3.84

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4.3 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB

SIHP240N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.22
588En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP240N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP240N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB

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Hoja de datos

588En existencias

S/15.22

S/7.71

S/6.97

S/6.19

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

240 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

SIHU5N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
2,899En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHU5N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHU5N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

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Hoja de datos

2,899En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.06

S/2.41

Envase tipo carrete

S/1.94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Through Hole

N-Channel

1 Channel

800 V

4.4 A

1.35 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET

SIHK075N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/32.62
3,645En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK075N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIHK075N60ET1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3,645En existencias

Cinta cortada

S/32.62

S/22.19

S/18.92

S/16.82

S/16.23

Envase tipo carrete

S/14.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-10

1 Channel

600 V

29 A

70 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHB065N60E-T1-GE3
Vishay
1: S/27.87
1,536En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB065N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB065N60ET1GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,536En existencias

Cinta cortada

S/27.87

S/18.29

S/17.79

Envase tipo carrete

S/17.79

S/10.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHF074N65E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/34.57
2,158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHF074N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF074N65E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,158En existencias

S/34.57

S/23.67

S/17.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

14 A

70 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH180N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.84
1,639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH180N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH180N60E-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

Obtenga más información

Hoja de datos

1,639En existencias

Cinta cortada

S/18.84

S/12.34

S/9.23

S/7.71

S/7.16

Envase tipo carrete

S/6.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N CHAN 700V 47A

SQW44N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/33.90
3,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQW44N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQW44N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N CHAN 700V 47A

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Hoja de datos

3,439En existencias

S/33.90

S/23.16

S/17.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-3

N-Channel

1 Channel

700 V

47 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

266 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG018N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/74.27
542En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG018N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG018N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

Obtenga más información

Hoja de datos

542En existencias

S/74.27

S/47.22

S/44.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

600 V

99 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

228 nC

- 55 C

+ 150 C

524 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L

SIHJ240N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.83
1,830En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHJ240N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHJ240N60E-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L

Obtenga más información

Hoja de datos

1,830En existencias

Cinta cortada

S/14.83

S/9.69

S/6.77

S/5.53

Envase tipo carrete

S/5.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

240 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHA105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.36
759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA105N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA105N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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Hoja de datos

759En existencias

S/20.36

S/10.55

S/9.61

S/7.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH068N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/28.53
898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH068N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH068N60E-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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Cinta cortada

S/28.53

S/18.37

S/14.17

S/12.96

S/12.38

Envase tipo carrete

S/11.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 40A N-CH MOSFET

SIHP065N60E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/34.80
914En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP065N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP065N60E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 40A N-CH MOSFET

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S/34.80

S/19.00

S/17.48

S/16.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

57 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

SIHD1K4N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.59
2,311En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHD1K4N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHD1K4N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

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S/7.59

S/4.75

S/3.12

S/2.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.2 A

1.45 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

4th Gen E Series MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

7.5 nC
8 nC
11 nC
12 nC
22 nC
23 nC
33 nC
35 nC
41 nC
44 nC
45 nC
50 nC
53 nC
63 nC
74 nC
80 nC
98 nC
122 nC
173 nC
228 nC

29 W
31 W
33 W
35 W
39 W
48 W
62.5 W
63 W
78 W
89 W
114 W
156 W
167 W
179 W
192 W
202 W
208 W
227 W
250 W
375 W