Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ131ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.25
2,600En existencias

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SQJ131ELP-T1_GE3

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78-SQJ131ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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S/11.25

S/6.34

S/5.10

S/4.79

Envase tipo carrete

S/2.95

S/2.86

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

30 V

300 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

207 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ403BEEP-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.91
25,802En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ403BEEP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ403BEEP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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25,802En existencias

Cinta cortada

S/8.91

S/5.72

S/3.87

S/3.09

Envase tipo carrete

S/2.64

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MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

75 nC

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68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ403EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.58
21,440En existencias

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SQJ403EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ403EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/9.58

S/6.15

S/4.20

S/3.34

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S/2.98

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MouseReel Disponible

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P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

109 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.64
71,040En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ208EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ208EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

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Cinta cortada

S/8.64

S/5.49

S/3.70

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.51

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MouseReel Disponible

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N-Channel

2 Channel

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1.3 V, 1.4 V

33 nC, 75 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.33
49,080En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ407EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/8.33

S/4.98

S/3.58

S/2.90

S/2.66

Envase tipo carrete

S/2.42

MouseReel Disponible

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60 A

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+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ443EP-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.14
26,275En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ443EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ443EP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/8.14

S/5.22

S/3.50

S/2.78

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.30

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

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40 V

40 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

38 nC

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+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ872EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.33
120,898En existencias

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SQJ872EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ872EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

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S/8.33

S/5.33

S/3.60

S/2.86

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S/2.47

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MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

150 V

24.5 A

35.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
28,794En existencias

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SQJ980AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ980AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

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S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

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S/2.27

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MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

75 V

17 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ140EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.60
57,544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ140EP-T1_GE3

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78-SQJ140EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/8.60

S/5.29

S/3.72

S/2.96

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Envase tipo carrete

S/2.48

MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

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266 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.2 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V PowerPAK SO-8L

SQJ158EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.59
59,368En existencias

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SQJ158EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ158EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V PowerPAK SO-8L

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S/4.59

S/2.88

S/1.89

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.24

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MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

23 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

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+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ418EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.16
37,928En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ418EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ418EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.05

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.05

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MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

48 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.38
76,225En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ464EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ464EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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76,225En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.69

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

32 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ479EP-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.36
210,770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ479EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ479EP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/7.36

S/4.71

S/3.15

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.07

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

32 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

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+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ128ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.81
21,949En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ128ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ128ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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21,949En existencias

Cinta cortada

S/9.81

S/6.31

S/4.32

S/3.44

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

437 A

1.158 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ140ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.02
31,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ140ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ140ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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31,788En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.45

S/2.73

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

N-Channel

1 Channel

40 V

253 A

2.14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

255 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

SQJ401EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.73
30,060En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ401EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ401EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

30,060En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/8.25

S/5.72

S/4.83

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

12 V

32 A

5 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
35,389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ570EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ570EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

35,389En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.36

S/3.10

S/2.45

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V

9.5 A, 15 A

45 mOhms, 146 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9 nC, 12 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified

SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.07
77,842En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ960EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ960EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified

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77,842En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/7.82

S/5.41

S/4.40

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

8 A

30 mOhms, 30 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

SQJ886EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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48,663En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ886EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ886EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

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48,663En existencias

Cinta cortada

S/8.80

S/5.64

S/3.80

S/3.03

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ409EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.49
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ410EP-T1_GE3
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

30 V

32 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ431EP-T1_GE3
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

200 V

12 A

213 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P CH 40V (D-S)

SQJ500AEP-T1_BE3
Vishay / Siliconix
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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

30 A

9.2 mOhms, 27 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25.5 nC, 30.2 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

58 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

SQJ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8 A
9.4 A
9.5 A, 15 A
12 A
13 A
15 A
15 A, 18 A
15 A, 40 A
15 A, 45 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
18 A, 30 A
19.6 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
21 A
23 A
23.5 A
24 A

940 uOhms
1.12 mOhms
1.158 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.14 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms

6.5 nC, 14.5 nC
9 nC, 12 nC
10 nC
12 nC
12 nC, 25 nC
13 nC, 28.5 nC
14 nC
15 nC
15 nC, 20 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
19.7 nC, 33.8 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 48 nC
20 nC, 50 nC

17 W, 48 W
25 W
27 W
27 W, 27 W
27 W, 48 W
29.4 W
34 W
35 W
42 W
43 W, 48 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
60 W
65 W
66 W
68 W
75 W