Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

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Resultados: 199

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ185ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.06
7,076En existencias
Nuevo producto

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SQJ185ELP-T1_GE3

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78-SQJ185ELP-T1_GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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S/8.06

S/5.14

S/3.56

S/3.02

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S/2.32

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

P-Channel

1 Channel

80 V

62 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

145 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ128ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.19
21,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ128ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ128ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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S/9.19

S/5.10

S/4.05

S/3.21

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.56

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

437 A

1.158 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ140ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.51
32,074En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ140ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ140ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/7.51

S/4.79

S/3.22

S/2.55

S/2.38

Envase tipo carrete

S/1.94

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

N-Channel

1 Channel

40 V

253 A

2.14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

255 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ116EP-T1_GE3
Vishay
1: S/5.33
430En existencias
3,000Se espera el 25/02/2026
Nuevo producto

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SQJ116EP-T1_GE3

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78-SQJ116EP-T1_GE3

Nuevo producto

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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3,000Se espera el 25/02/2026

Cinta cortada

S/5.33

S/3.36

S/2.23

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.39

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

N-Channel

1 Channel

100 V

37 A

3 mOhms

20 V

2.5 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ131ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.23
908En existencias
Nuevo producto

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SQJ131ELP-T1_GE3

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78-SQJ131ELP-T1_GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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S/9.23

S/5.88

S/4.09

S/3.45

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SMD/SMT

SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

30 V

300 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

207 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ443AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.87
2,177En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ443AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ443AEP-T1_GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/4.87

S/3.03

S/2.00

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.29

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

8.1 mOhms

- 10 V, 10 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

SQJ401EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.74
30,480En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ401EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ401EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

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S/10.74

S/6.97

S/4.79

S/4.16

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S/3.41

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

12 V

32 A

5 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ860EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.25
61,577En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ860EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ860EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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S/5.25

S/3.31

S/2.20

S/1.71

S/1.56

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S/1.19

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ110EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.58
17,759En existencias

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SQJ110EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ110EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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S/9.58

S/6.15

S/4.24

S/3.37

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S/2.98

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ170ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.27
9,253En existencias

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SQJ170ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ170ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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S/6.27

S/3.89

S/2.65

S/2.09

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S/1.76

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

N-Channel

1 Channel

60 V

63 A

16.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ403BEEP-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.43
25,812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ403BEEP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ403BEEP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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S/7.43

S/5.37

S/3.62

S/2.88

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S/2.37

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ403EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.95
21,633En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ403EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ403EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/8.95

S/5.72

S/3.93

S/3.12

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S/2.66

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

109 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ409EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.94
42,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ409EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ409EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/7.94

S/5.10

S/3.43

S/2.72

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S/2.21

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ410EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.65
25,921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ410EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ410EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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25,921En existencias

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S/12.65

S/8.17

S/6.03

S/5.02

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.09

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

30 V

32 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ850EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
51,504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ850EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ850EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.37

S/2.68

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S/2.17

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ431EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.55
38,595En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ431EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ431EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/10.55

S/6.81

S/4.71

S/3.80

S/3.51

Envase tipo carrete

S/3.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

200 V

12 A

213 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.92
42,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ444EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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42,008En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/3.88

S/2.75

S/2.47

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.99

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P CH 40V (D-S)

SQJ500AEP-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.37
42,081En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ500AEP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ500AEP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P CH 40V (D-S)

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Cinta cortada

S/8.37

S/5.37

S/3.64

S/2.90

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.26

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

30 A

9.2 mOhms, 27 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25.5 nC, 30.2 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.37
61,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ500AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ500AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/8.37

S/5.37

S/3.64

S/2.90

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S/2.35

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

30 A

7.7 mOhms, 22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

38.3 nC, 45 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.11
53,779En existencias

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SQJ868EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ868EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

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S/6.11

S/3.79

S/2.51

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

58 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified

SQJ940EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
55,732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ940EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ940EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified

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S/7.79

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S/3.36

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

15 A, 18 A

13.3 mOhms, 5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC, 48 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ186EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.27
24,294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ186EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ186EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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S/3.36

S/2.65

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

60 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ140EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.50
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SQJ140EP-T1_GE3

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78-SQJ140EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/5.02

S/3.47

S/2.76

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S/2.27

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PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

266 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.2 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V PowerPAK SO-8L

SQJ158EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.32
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ158EP-T1_GE3

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78-SQJ158EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V PowerPAK SO-8L

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S/4.32

S/2.70

S/1.77

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S/1.07

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

23 A

27.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.84
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ416EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ416EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/5.84

S/3.70

S/2.46

S/1.93

S/1.76

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S/1.37

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

27 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

SQJ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8 A
9.4 A
12 A
13 A
15 A
15 A, 18 A
15 A, 40 A
15 A, 45 A
15 A, 9.5 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
19.6 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
21 A
23 A
23.5 A
24 A
24.5 A

940 uOhms
1.12 mOhms
1.158 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.14 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms

6.5 nC, 14.5 nC
9 nC, 12 nC
10 nC
12 nC
12 nC, 25 nC
13 nC, 28.5 nC
14 nC
15 nC
15 nC, 20 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
19.7 nC, 33.8 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 48 nC
20 nC, 50 nC

17 W, 48 W
25 W
27 W
27 W, 27 W
27 W, 48 W
29.4 W
34 W
35 W
42 W
43 W, 48 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
60 W
65 W
66 W
68 W
75 W