Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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S/4.32

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ116EP-T1_GE3
Vishay
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S/2.69

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Envase tipo carrete

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1 Channel

100 V

37 A

64 mOhms

20 V

2.5 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ131ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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S/4.28

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V PowerPAK SO-8L

SQJ158EP-T1_GE3
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SQJ464EP-T1_GE3
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S/6.38

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SQJ186EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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S/2.84

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SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ444EP-T1_GE3

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SQJ500AEP-T1_BE3
Vishay / Siliconix
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SQJ500AEP-T1_BE3

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S/8.95

S/5.76

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S/3.10

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Enhancement

TrenchFET

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SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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58,037En existencias

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SQJ500AEP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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S/8.95

S/5.76

S/3.89

S/3.10

S/2.85

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S/2.62

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SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.67
50,755En existencias

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SQJ868EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ868EP-T1_GE3

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S/7.67

S/4.75

S/3.12

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S/1.90

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MouseReel Disponible

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SQJ940EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ940EP-T1_GE3

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78-SQJ940EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/8.33

S/5.33

S/3.59

S/2.85

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.36

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ147ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.34
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SQJ147ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ147ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/6.34

S/4.01

S/2.66

S/2.09

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S/1.67

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MouseReel Disponible

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P-Channel

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40 V

90 A

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Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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36,352En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ570EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ570EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.28

S/4.36

S/3.10

S/2.45

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

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2 Channel

100 V

9.5 A, 15 A

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27 W, 27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified

SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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77,854En existencias

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SQJ960EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ960EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/12.11

S/7.82

S/5.41

S/4.40

S/4.20

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S/3.93

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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60 V

8 A

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1.5 V

20 nC

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34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

SQJ886EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.80
48,899En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ886EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ886EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/8.80

S/5.64

S/3.80

S/3.03

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

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40 V

60 A

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1.5 V

65 nC

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+ 175 C

55 W

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AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.64
71,043En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ208EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ208EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

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Cinta cortada

S/8.64

S/5.49

S/3.70

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A, 60 A

9.4 mOhms, 3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V, 1.4 V

33 nC, 75 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.33
49,421En existencias

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SQJ407EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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S/4.98

S/3.61

S/2.90

S/2.66

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S/2.41

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Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

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169 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ443EP-T1_BE3
Vishay / Siliconix
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SQJ443EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ443EP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/8.14

S/5.22

S/3.50

S/2.78

S/2.44

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S/2.29

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ872EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.33
126,321En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ872EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ872EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

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S/8.33

S/5.33

S/3.60

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.47

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

150 V

24.5 A

35.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
28,800En existencias

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SQJ980AEP-T1_GE3

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78-SQJ980AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

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S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.27

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

75 V

17 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ140ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.02
31,811En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ140ELP-T1_GE3

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78-SQJ140ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.45

S/2.73

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

N-Channel

1 Channel

40 V

253 A

2.14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

255 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

SQJ401EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.73
30,060En existencias

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SQJ401EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ401EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/12.73

S/8.25

S/5.72

S/4.83

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

12 V

32 A

5 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified

SQJ465EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.34
20,679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ465EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ465EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/9.34

S/5.99

S/4.09

S/3.25

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

8 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8 A
9.4 A
9.5 A, 15 A
12 A
13 A
15 A
15 A, 18 A
15 A, 40 A
15 A, 45 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
18 A, 30 A
19.6 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
21 A
23 A
23.5 A
24 A

940 uOhms
1.12 mOhms
1.158 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.14 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms

6.5 nC, 14.5 nC
9 nC, 12 nC
10 nC
12 nC
12 nC, 25 nC
13 nC, 28.5 nC
14 nC
15 nC
15 nC, 20 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
19.7 nC, 33.8 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 48 nC
20 nC, 50 nC

17 W, 48 W
25 W
27 W
27 W, 27 W
27 W, 48 W
29.4 W
34 W
35 W
42 W
43 W, 48 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
60 W
65 W
66 W
68 W
75 W