Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 50

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.28
806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R031CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R031CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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806En existencias

S/39.28

S/22.27

S/22.23

S/19.35

Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

600 V

63 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/33.55
847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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847En existencias

S/33.55

S/18.22

S/16.58

S/16.54

Ver

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.32
732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

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732En existencias

S/20.32

S/12.26

S/12.22

S/10.28

S/8.56

Min.: 1
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600 V

25 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.72
316En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R041CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R041CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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316En existencias

S/34.72

S/20.40

S/17.28

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Min.: 1
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TO-247-3

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1 Channel

700 V

68.5 A

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- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R105CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.45
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R105CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R105CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

8En existencias

Cinta cortada

S/18.45

S/12.22

S/8.68

S/8.14

Envase tipo carrete

S/6.66

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

42 nC

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+ 150 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.94
212En existencias
500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R280CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

212En existencias

500Se espera el 2/03/2026

S/10.94

S/10.90

S/5.45

S/4.98

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

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N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

237 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.83
218En existencias
500Se espera el 24/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

218En existencias

500Se espera el 24/02/2026

S/14.83

S/6.81

S/6.73

S/6.54

S/5.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.82
358En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

358En existencias

S/10.82

S/5.37

S/4.87

S/3.89

S/3.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

237 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R115CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/17.17
490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R115CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R115CFD7AUM

Infineon Technologies

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Hoja de datos

490En existencias

Cinta cortada

S/17.17

S/11.37

S/8.06

S/7.43

S/6.89

Envase tipo carrete

S/6.03

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 40 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.95
25En existencias
500Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R145CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R145CFD7XKS

Infineon Technologies

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Hoja de datos

25En existencias

500Se espera el 3/09/2026

S/14.95

S/8.80

S/6.66

S/5.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.10
318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R041CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R041CFD7XKS

Infineon Technologies

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Hoja de datos

318En existencias

S/31.10

S/15.26

S/13.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.65
151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R060CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R060CFD7SA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

151En existencias

S/25.65

S/13.74

S/12.57

S/10.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/52.12
178En existencias
240Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

178En existencias

240Se espera el 16/02/2026

S/52.12

S/31.33

S/27.13

S/27.09

S/26.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

77 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

183 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

298En existencias

S/19.07

S/12.65

S/10.04

S/8.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/43.21
136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R029CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R029CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

136En existencias

S/43.21

S/27.68

S/23.67

S/23.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.87
73En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R145CFD7ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

73En existencias

Cinta cortada

S/14.87

S/9.77

S/6.85

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.18

S/4.94

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.17
15En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R145CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R145CFD7XKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

15En existencias

S/17.17

S/16.54

S/9.11

S/7.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R125CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.78
38En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R125CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R125CFD7ATM

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos

38En existencias

Cinta cortada

S/16.78

S/16.58

S/10.74

S/10.35

Envase tipo carrete

S/5.96

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R035CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/36.55
4,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R035CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R035CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

4,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/36.55

S/25.07

S/20.20

S/19.00

Envase tipo carrete

S/16.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

67 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

351 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.50
2,999Se espera el 19/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,999Se espera el 19/03/2026

Cinta cortada

S/19.50

S/12.96

S/9.89

S/9.03

S/8.76

Envase tipo carrete

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 40 C

+ 150 C

147 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.89
2,990Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R160CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R160CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,990Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/9.89

S/8.14

S/6.42

S/5.64

Envase tipo carrete

S/4.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 40 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.57
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,000En pedido

S/12.57

S/8.14

S/5.99

S/5.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
500: S/6.93
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R105CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R105CFD7XKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/6.93

S/6.62

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.38
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R170CFD7XKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/15.38

S/10.08

S/7.40

S/6.58

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R125CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/15.61
Plazo de entrega 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R125CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R125CFD7XTM

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Plazo de entrega 19 Semanas

Cinta cortada

S/15.61

S/10.28

S/7.24

S/6.50

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
7 A
8 A
9 A
11 A
14 A
16 A
18 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
31 A
33 A
36 A
38 A
40 A
44 A
50 A

18 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms
125 mOhms
140 mOhms

24 W
26 W
32 W
43 W
52 W
75 W
76 W
83 W
85 W
92 W
95 W
106 W
124 W
125 W
127 W
140 W
147 W
156 W
160 W
171 W