Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 43

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 28.92 816En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R070CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R070CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	816En existencias	Cinta cortada S/ 28.92 S/ 15.49 S/ 14.21 S/ 13.55 Envase tipo carrete S/ 12.81	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	70 mOhms	20 V	4.5 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R185CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.94 3,336En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R185CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R185CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	3,336En existencias	Cinta cortada S/ 13.94 S/ 7.55 S/ 6.27 S/ 5.45 S/ 5.25 Envase tipo carrete S/ 5.25	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	153 mOhms	20 V	3.5 V	28 nC	- 40 C	+ 150 C	85 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R040CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 41.03 695En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R040CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R040CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	695En existencias	S/ 41.03 S/ 22.27 S/ 20.36 S/ 20.09	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	50 A	40 mOhms	20 V	3.5 V	109 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 30.13 2,492En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R055CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R055CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	2,492En existencias	Cinta cortada S/ 30.13 S/ 16.19 S/ 14.87 S/ 14.29 S/ 13.51 Envase tipo carrete S/ 13.51 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	44 A	55 mOhms	20 V	4 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	236 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R160CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: S/ 16.54 2,595En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R160CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R160CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	2,595En existencias	Cinta cortada S/ 16.54 S/ 9.77 S/ 7.98 S/ 6.66 S/ 6.42 Envase tipo carrete S/ 6.03 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	160 mOhms	20 V	3.5 V	31 nC	- 40 C	+ 150 C	95 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: S/ 31.30 3,440En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R060CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R060CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	3,440En existencias	Cinta cortada S/ 31.30 S/ 16.89 S/ 15.53 S/ 15.06 S/ 14.21 Envase tipo carrete S/ 14.21 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	40 A	60 mOhms	20 V	3.5 V	79 nC	- 40 C	+ 150 C	219 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R105CFD7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 20.20 1,321En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R105CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R105CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	1,321En existencias	Cinta cortada S/ 20.20 S/ 10.47 S/ 9.54 S/ 8.72 S/ 8.41 Envase tipo carrete S/ 7.90 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	105 mOhms	20 V	4 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	140 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R075CFD7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 28.49 1,980En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R075CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R075CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	1,980En existencias	Cinta cortada S/ 28.49 S/ 15.26 S/ 13.97 S/ 13.27 S/ 12.53 Envase tipo carrete S/ 12.53 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	650 V	33 A	75 mOhms	20 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	188 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 20.01 678En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R125CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R125CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	678En existencias	S/ 20.01 S/ 10.35 S/ 9.42 S/ 8.25 S/ 7.75	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	125 mOhms	20 V	3.5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 35.73 268En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPW65R060CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R060CFD7SA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	268En existencias	S/ 35.73 S/ 21.06 S/ 17.75 S/ 17.20 S/ 16.19	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	3.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 38.85 250En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP65R041CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	250En existencias	S/ 38.85 S/ 26.55 S/ 21.91 S/ 19.62 S/ 18.45	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	650 V	50 A	41 mOhms	20 V	4.5 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPP60R280CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.16 712En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R280CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R280CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	712En existencias	S/ 13.16 S/ 6.58 S/ 5.96 S/ 4.79 S/ 4.55	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	237 mOhms	20 V	3.5 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R045CFD7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 40.01 577En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R045CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R045CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	577En existencias	Cinta cortada S/ 40.01 S/ 22.15 S/ 20.82 S/ 20.79 S/ 19.70 Envase tipo carrete S/ 19.70 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	52 A	45 mOhms	20 V	4 V	79 nC	- 55 C	+ 150 C	270 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: S/ 18.26 2,895En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R095CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R095CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	2,895En existencias	Cinta cortada S/ 18.26 S/ 12.03 S/ 10.98 S/ 9.38 Envase tipo carrete S/ 9.38	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	95 mOhms	20 V	3.5 V	51 nC	- 40 C	+ 150 C	147 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R115CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: S/ 20.36 420En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R115CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R115CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	420En existencias	Cinta cortada S/ 20.36 S/ 10.55 S/ 9.61 S/ 8.49 Envase tipo carrete S/ 7.98	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	115 mOhms	20 V	3.5 V	42 nC	- 40 C	+ 150 C	124 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 37.60 4,368En existencias 3,000Se espera el 30/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPB60R040CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R040CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	4,368En existencias 3,000Se espera el 30/11/2026	Cinta cortada S/ 37.60 S/ 21.06 S/ 19.58 S/ 19.27 Envase tipo carrete S/ 18.26 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	50 A	40 mOhms	20 V	4 V	107 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 14.91 3,632En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R145CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R145CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	3,632En existencias	Cinta cortada S/ 14.91 S/ 7.98 S/ 7.24 S/ 5.96 Envase tipo carrete S/ 5.61 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	145 mOhms	20 V	3.5 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 19.85 974En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R125CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R125CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	974En existencias	S/ 19.85 S/ 10.28 S/ 8.80 S/ 7.75	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	125 mOhms	20 V	3.5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	92 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R105CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 21.99 1,341En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R105CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R105CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	1,341En existencias	Cinta cortada S/ 21.99 S/ 11.48 S/ 10.47 S/ 9.42 Envase tipo carrete S/ 8.87	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	105 mOhms	20 V	4.5 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	106 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.55 2,404En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R170CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R170CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	2,404En existencias	Cinta cortada S/ 13.55 S/ 6.85 S/ 6.31 S/ 5.10 Envase tipo carrete S/ 4.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	144 mOhms	20 V	3.5 V	28 nC	- 55 C	+ 150 C	76 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: S/ 29.43 518En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R075CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R075CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	518En existencias	Cinta cortada S/ 29.43 S/ 15.80 S/ 14.48 S/ 13.90 S/ 13.47 Envase tipo carrete S/ 12.96	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	33 A	66 mOhms	20 V	3.5 V	67 nC	- 40 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R070CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 28.80 638En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R070CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R070CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	638En existencias	S/ 28.80 S/ 15.45 S/ 14.13 S/ 12.73	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	57 mOhms	20 V	3.5 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 27.60 622En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R090CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R090CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	622En existencias	S/ 27.60 S/ 17.13 S/ 15.53 S/ 13.20 Ver S/ 10.63 S/ 10.47 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	90 mOhms	20 V	3.5 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 75.79 180En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R018CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R018CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	180En existencias	S/ 75.79 S/ 45.15	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	101 A	18 mOhms	20 V	3.5 V	251 nC	- 55 C	+ 150 C	416 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R024CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 61.89 480En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R024CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R024CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	480En existencias	S/ 61.89 S/ 35.07 S/ 34.80	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	77 A	24 mOhms	20 V	4 V	183 nC	- 55 C	+ 150 C	320 W	Enhancement		Tube