Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 50

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R070CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.73
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R070CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R070CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

831En existencias

Cinta cortada

S/22.73

S/15.65

S/11.76

S/11.72

Envase tipo carrete

S/9.54

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R105CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/16.78
1,354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R105CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R105CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,354En existencias

Cinta cortada

S/16.78

S/11.17

S/7.90

S/7.32

S/6.58

Envase tipo carrete

S/5.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.42
3,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

3,364En existencias

Cinta cortada

S/12.42

S/7.36

S/5.68

S/4.83

S/4.44

Envase tipo carrete

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

153 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 40 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R055CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.77
2,555En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R055CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R055CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,555En existencias

Cinta cortada

S/22.77

S/17.05

S/12.42

S/12.38

Envase tipo carrete

S/10.39

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

44 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

236 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.56
3,402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

3,402En existencias

S/24.56

S/14.40

S/11.72

S/10.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.65
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R075CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000En existencias

Cinta cortada

S/18.65

S/14.56

S/10.43

S/10.16

S/9.23

Envase tipo carrete

S/8.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.50
828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

828En existencias

S/19.50

S/18.76

S/10.20

S/9.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R090CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.41
1,917En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R090CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R090CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,917En existencias

Cinta cortada

S/18.41

S/12.22

S/8.80

S/8.21

S/7.40

Envase tipo carrete

S/6.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.30
272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R060CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R060CFD7SA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

272En existencias

S/28.30

S/16.11

S/13.97

S/12.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

3.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R360CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.76
2,433En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360CFD7ATM

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

2,433En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.64

S/4.05

S/3.45

Envase tipo carrete

S/2.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

360 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R140CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.14
1,468En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R140CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R140CFD7AUM

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos

1,468En existencias

Cinta cortada

S/15.14

S/10.39

S/7.63

S/6.81

S/5.84

Envase tipo carrete

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

35 nC

- 40 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.27
778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

778En existencias

S/16.27

S/8.37

S/7.98

S/6.73

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.91
1,199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,199En existencias

S/11.91

S/5.96

S/5.53

S/4.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R055CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.42
1,983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R055CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R055CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,983En existencias

Cinta cortada

S/28.42

S/21.18

S/17.13

S/15.22

Envase tipo carrete

S/13.04

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
3,816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R170CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R170CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

3,816En existencias

Cinta cortada

S/11.41

S/7.40

S/5.29

S/4.40

Envase tipo carrete

S/3.93

S/3.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.86
465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

465En existencias

S/29.86

S/17.36

S/14.60

S/13.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/47.72
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R029CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R029CFD7XK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

240En existencias

S/47.72

S/28.80

S/24.68

S/24.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
191En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R105CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R105CFD7XKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

191En existencias

S/19.07

S/13.97

S/11.29

S/10.04

S/8.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.96
840En existencias
2,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

840En existencias

2,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/31.96

S/21.95

S/17.09

S/17.05

Envase tipo carrete

S/13.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.53
4,315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

4,315En existencias

Cinta cortada

S/12.53

S/8.37

S/6.03

S/5.18

Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/26.31
1,029En existencias
3,000Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R060CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R060CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,029En existencias

3,000Se espera el 11/06/2026

Cinta cortada

S/26.31

S/19.23

S/15.57

S/13.82

S/11.83

Envase tipo carrete

S/11.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 40 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/20.82
1,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,784En existencias

Cinta cortada

S/20.82

S/15.06

S/10.86

S/10.63

S/10.08

Envase tipo carrete

S/8.64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

66 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 40 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.73
1,087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,087En existencias

S/22.73

S/17.17

S/13.90

S/12.34

S/10.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.31
740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

740En existencias

Cinta cortada

S/26.31

S/20.75

S/20.71

S/15.92

Ver

Envase tipo carrete

S/12.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

52 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/61.93
450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R018CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R018CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

450En existencias

S/61.93

S/37.52

S/34.10

S/34.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

101 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

251 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
7 A
8 A
9 A
11 A
14 A
16 A
18 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
31 A
33 A
36 A
38 A
40 A
44 A
50 A

18 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms
125 mOhms
140 mOhms

24 W
26 W
32 W
43 W
52 W
75 W
76 W
83 W
85 W
92 W
95 W
106 W
124 W
125 W
127 W
140 W
147 W
156 W
160 W
171 W