Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
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IPD60R170CFD7ATMA1

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726-IPD60R170CFD7ATM

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/12.26

S/7.98

S/5.84

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S/4.55

Envase tipo carrete

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Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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772En existencias

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726-IPP60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

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772En existencias

S/22.46

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S/9.81

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Enhancement

Tube

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Infineon Technologies
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NRND

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S/30.60

S/19.85

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S/15.10

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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Infineon Technologies
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3,361En existencias

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Cinta cortada

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S/5.06

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CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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S/13.58

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Tube

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Infineon Technologies
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388En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024CFD7XKSA1

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388En existencias

S/57.06

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Tube

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Infineon Technologies
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2,522En existencias

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IPT60R055CFD7XTMA1

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726-IPT60R055CFD7XTM

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Cinta cortada

S/27.09

S/17.44

S/13.74

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Envase tipo carrete

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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3,226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
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3,226En existencias

S/28.80

S/16.54

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CoolMOS

Tube

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IPA60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R170CFD7XKSA1

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726-IPA60R170CFD7XKS

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984En existencias

S/13.62

S/6.81

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CoolMOS

Tube

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IPB60R070CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.31
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R070CFD7ATMA1

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726-IPB60R070CFD7ATM

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831En existencias

Cinta cortada

S/26.31

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.10
136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R029CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R029CFD7XKS

Infineon Technologies

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136En existencias

S/50.10

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S/27.68

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305 W

Enhancement

Tube

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IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.45
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R160CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R160CFD7AUM

Infineon Technologies

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2,990En existencias

Cinta cortada

S/15.45

S/10.08

S/7.24

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
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1 Channel

600 V

16 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

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+ 150 C

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R105CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.84
1,332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R105CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R105CFD7XTM

Infineon Technologies

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Hoja de datos

1,332En existencias

Cinta cortada

S/18.84

S/12.46

S/8.84

S/7.94

S/7.63

Envase tipo carrete

S/7.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
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24 A

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4 V

36 nC

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+ 150 C

140 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/21.41
2,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM

Infineon Technologies

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2,989En existencias

Cinta cortada

S/21.41

S/13.66

S/10.16

S/9.07

S/8.45

Envase tipo carrete

S/8.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 40 C

+ 150 C

147 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.56
1,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R075CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,990En existencias

Cinta cortada

S/27.56

S/18.57

S/13.47

S/12.69

S/11.87

Envase tipo carrete

S/11.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.39
268En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R060CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R060CFD7SA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

268En existencias

S/32.39

S/19.19

S/16.78

S/14.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

3.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/35.30
1,564En existencias
2,000Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,564En existencias

2,000Se espera el 11/06/2026

Cinta cortada

S/35.30

S/24.09

S/17.87

Envase tipo carrete

S/16.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.53
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,000En existencias

S/18.53

S/9.54

S/8.02

S/7.43

S/6.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/76.80
215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R018CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R018CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

215En existencias

S/76.80

S/52.39

S/45.35

S/40.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

101 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

251 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.76
533En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

533En existencias

S/34.76

S/23.63

S/19.81

S/17.13

S/15.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/55.70
211En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R029CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R029CFD7XK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

211En existencias

S/55.70

S/39.66

S/34.02

S/29.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.60
3,444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

3,444En existencias

Cinta cortada

S/14.60

S/9.50

S/6.70

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/29.15
825En existencias
3,000Se espera el 30/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R060CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R060CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

825En existencias

3,000Se espera el 30/07/2026

Cinta cortada

S/29.15

S/19.70

S/14.36

S/13.70

S/12.81

Envase tipo carrete

S/12.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 40 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/28.49
1,679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,679En existencias

Cinta cortada

S/28.49

S/19.23

S/13.97

S/13.27

S/12.46

Envase tipo carrete

S/12.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

66 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 40 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.86
1,012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,012En existencias

S/26.86

S/14.29

S/13.08

S/11.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
8 A
9 A
11 A
14 A
16 A
18 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
31 A
33 A
36 A
38 A
40 A
44 A
50 A
52 A

18 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms
125 mOhms
144 mOhms

24 W
26 W
32 W
52 W
75 W
76 W
83 W
85 W
92 W
95 W
106 W
124 W
125 W
127 W
140 W
147 W
156 W
160 W
171 W
178 W